GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

新一轮信息技术发展背景下，砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注，文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能，推导晶体管的I-V特性方程，建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系，以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰，文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度，文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。     

低磁场量子化霍尔电阻样品发展综述

基于量子化霍尔效应建立电阻标准是当今前沿计量技术,是国际上定义电阻单位的最高标准,其核心部件是量子化霍尔电阻样品,传统砷化镓样品通常需要工作在10 T以上的强磁场环境中,磁体研制难度大,成本高,不易推广应用。随着量子电阻标准小型化、低成本化和国产化的发展,研制低磁场量子化霍尔电阻样品是发展趋势。介绍了砷化镓、石墨烯和铁磁拓扑材料三种低磁场量子电阻样品的原理,总结了研究现状和存在的问题,从磁场、温度、测量不确定度和技术成熟度等方面分析了三种方法的优势及不足,旨在为我国发展低磁场量子电阻标准提供理论基础。     

中航工业雷达与电子设备研究院

<正>中航工业雷达与电子设备研究院于2004年3月由中国航空工业第六○七研究所和苏州长风有限责任公司整合成立,在无锡和苏州分设研发中心和生产试验基地,是集机载雷达、显示器等航空电子设备研发、试验、制造为一体的科技先导型研究院,业务范围覆盖了政府系统和商用系统两大领域,涉及综合监视系统、机载雷达、座舱显示器、广播电视网络传输设备、专用传感器件等众多产品。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

基于银焊膏电流烧结的航天功率分立器件气密封装

由于传统气密封装方法在封装的过程中会给电子器件带来不利的影响，本文基于银焊膏电流烧结快速互连技术，提出了一种新型的气密封装方法，可用于航天功率分立器件的密封。本文研究了通电过程中接头温度、微观形貌以及剪切强度的变化。在银焊膏电流烧结的过程中，随着有机物的去除，烧结银层升温速率急剧下降，并且最初被有机物分离的银颗粒逐渐相互接触。随着通电时间延长，烧结银接头越来越致密，伴随着接头强度的不断提高。最终获得的烧结银密封接头可以满足封装器件对气密性的要求。     

基于网络分析仪的多类型微波器件S参数自动校准软件研究

为实现高效测量,减少多种类型被测器件导致的测量参数设置复杂问题,本文通过分析微波网络S参数测量系统的工作原理和性能特点,采用C#多线程、模块化结构设计出S参数自动校准软件,对S参数测量系统建立被测器件的类型、标准件的参数以及测试流程等数据库,同时建立被测参数的测量不确定度模型。基于矢量网络分析仪结合自动校准软件实现反射参数与传输参数的测试,通过试验可发现,采用自动化校准软件的测试结果与手动测试结果具有较高的一致性。