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151.
依据软钎焊接原理,将带有接地式焊盘器件的软钎焊接方法分为手工软钎焊接方式、表面贴装技术设备软钎焊接方式、半手工加热台软钎焊接方式三类,并进行了比较研究。对使用三种不同方式进行焊接的产品,进行了焊点的力学性能试验、环境电性能试验,并使用有限元数值模拟方法对焊点在温度冲击载荷下的力学性能进行了计算分析。研究表明,半手工加热台软钎焊接方式完全满足带有接地式焊盘器件的软钎焊接需求,是一种经济可行的加工方式。  相似文献   
152.
象移对星载TDICCD相机成像品质的影响分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
像移是影响星载时间延迟积分电荷耦合器件(TDICCD)相机成像品质的重要因素。为研究像移对TDICCD像质的影响,首先分析了像移引起图像模糊和几何变形的机理,研究了像移降质的辐射和几何方面评价参量。依据TDICCD工作原理,建立了像移影响下TDICCD相机空变降质模型,并以此为基础,计算并分析了不同形式、不同方向上的像移影响下的像质下降情况。分析结果表明,不同方向、不同形式的像移引起的成像品质下降是不同的。文章中提出的空变降质模型可以为后续的仿真及像移降质图像的恢复等提供参考。  相似文献   
153.
空间 CCD 相机对均匀景物响应的不一致在图像中表现为条带现象,相对辐射校正可以减弱或消除条带效应。相对辐射校正可以使用不同的算法,但效果不同。文章选取了某空间 CCD 相机的实验室辐射定标数据,采用基准的归一化系数法和最小二乘法,分别计算该相机的3组相对辐射校正系数,并对实验室原始辐射定标数据进行相对辐射校正,验证3种算法的校正效果。通过相对辐射校正后的图像和3种算法的辐射校正残余误差分析,认为以所有辐亮度DN(digital number)均值为基准的归一化系数法的校正效果在多数辐亮度级下好于最小二乘法。最后分析了相机像元响应线性度和算法辐射校正残余误差的关系。  相似文献   
154.
随着SLAM技术的不断发展,视觉SLAM技术成为了该领域的研究热点问题。其中的视觉惯性里程计分支更是视觉SLAM中的热点问题。近些年科学家们的研究大多数是基于高性能传感器的硬件环境或是数据集下进行研究,取得了显著的成果。这些成果也推动了整个SLAM领域的发展,使得研究成果逐渐向工业界转化。但是工业界对成本的敏感使得这些在高性能硬件环境下研究的算法不一定能很好的应用在嵌入式系统中。基于这样一个问题,本文设计了一款基于嵌入式的单目视觉惯性里程计的硬件平台,该平台使用的是低成本的传感器做为感知模块,使用ZYNQ做为数据处理单元,开发人员可以在该平台上研究视觉惯性里程计的问题以及对现有算法进行优化,使得学术研究的SLAM算法可以应用到嵌入式系统中。  相似文献   
155.
宇航抗辐射加固集成电路是航天工程的核心基础技术。长期以来,美欧等国家对抗辐射加固集成电路持续支持并严格禁运,宇航集成电路的发展和自主可控是我国向航天强国迈进的关键核心基础之一,受到国家的高度重视。本文总结了宇航抗辐射加固集成电路发展特点和我国发展现状,分析了未来宇航抗辐射加固集成电路的发展需求,探讨了未来需要重点关注的3个技术方向,即软加固的天算芯片、高压功率器件加固和单粒子效应仿真。  相似文献   
156.
为了解决传统雷达旁瓣干扰对消系统在强近地杂波接收时对消器收敛环无法正常工作的问题,提出了一种基于收敛权值存储的自适应旁瓣干扰对消系统,并给出了详细的软硬件实现方法.整个系统以EP1K100为控制核心.实际设备装调的结果证明该系统能有效消除近地接收时强地杂波带来的影响.  相似文献   
157.
《航天器工程》2013,(5):27-27
<正>据中国科技部网站2013年8月29日消息,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,近期取得重大突破,成功研发出半浮栅晶体管(SFGT)。采用该新器件构成的动态随机存储器,无需电容器便可实现传统动态随机存储器全部功能,不但成本大幅降低,而且集成度更高,读写速度更快。此外,半浮栅晶体管还可应用于主动式图像传感器芯片,提高感光单元密度,从而提升图像传感器的分辨率和灵敏度。半浮栅晶体管  相似文献   
158.
随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应.文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×108~1×109/(cm2·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应.结合高能电子作用28 nm器件的...  相似文献   
159.
针对柔性热电薄膜器件的最新研究进展,从柔性基底、热电材料、薄膜沉积工艺、过渡层的引入和器件设计等几个方面归纳总结了在热电器件制作过程中材料和工艺选择方面应注意的问题。对各类柔性热电薄膜器件的性能对比分析表明:目前性能最佳的柔性器件采用的材料是(Bi,Sb)2Te3类合金,其单个热电偶对在1K的温差下可输出0.1~0.3mV的电压;在内阻足够低的条件下,单个热电偶对在1K温差下的输出电压与热电材料的Seebeck系数相等;增加热电薄膜的厚度能够有效地降低热电偶对的内阻,进而提高器件的输出电压。  相似文献   
160.
 结合功率器件非稳态导热的温度变化规律,采用非稳态的测试方法,对功率器件在不同条件下得到的时间常数及稳态温度的预测精度进行了测试和分析;并以此为依据,提出了一种综合利用功率器件升温及降温曲线,从而有效降低功率器件测试温升幅度的方法。实验及分析结果表明,在给定5%的误差范围内,单独采用温升测试数据对稳态温度进行预测时,温升测试幅度需达到总温升的70%左右。而综合利用升温及降温阶段的测试数据时,温升幅度可以降低至40%左右,对应的温升测试时间也缩短为前者的1/2。从而可以有效提高功率器件的热测试效率,并尽可能降低测试对器件造成的损害。  相似文献   
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