《可编程逻辑器件原理与应用》教学与实践

文中介绍了《可编程逻辑器件原理与应用》课程的特点、教学内容、教学安排以及实验安排，总结了教学实践中的体会。     

变波长变时延迟光控相控阵天线

一种新的完全用光调调谐的光延迟器件可用作光控微波相控阵天线无偏斜波速控制的实时延迟产生器，光波波长相对微波波束方向的图形允许对光控组合提供一种有效的硬件结构，很容易和大口径天线成比例，描述了采用这种单片延迟器件的全光控相控阵天线系统的性能，提出并检验了采用中级光波长变换，单独控制方位和仰角二维天线阵的范围，组装了实时延迟光控双阵元X波段天线来验证宽瞬时带宽的工作情况。     

基于S5933的高速数据发送板卡的CPLD设计

讨论利用 PCI专用接口芯片 S5 933进行 PCI高速数据传输的方法。简要介绍 PCI总线及 S5 933的内部结构 ,对 S5 933的 3种数据传输方式进行简介 ,并通过实际工作描述用 CPL D进行高速数据发送板卡的逻辑控制设计。     

空间相机离轴角引起的积分时间误差分析

光学遥感卫星中空间相机常用的离轴三反光学系统,离轴三反系统能扩大光学系统视场、提高系统调制传递函数（MTF）,但是离轴角会带来积分时间不同步的问题,文章对离轴角引起的积分时间不同步而产生的成像品质影响进行了分析。首先对离轴三反光学系统的离轴角建立数学模型后,应用STK软件仿真空间TDICCD相机在不同级数下离轴角带来的摄影点积分时间和星下点积分时间的差异,然后用Matlab编写程序处理得到的不同积分时间的采样点得出结论,离轴角越大,光学系统的传递函数越小,光学相机成像品质越差。在工程应用中,对一个确定离轴角的离轴三反光学系统,通过仿真,对积分时间调整给出了相应设计建议。     

象移对星载TDICCD相机成像品质的影响分析

像移是影响星载时间延迟积分电荷耦合器件（TDICCD）相机成像品质的重要因素。为研究像移对TDICCD像质的影响,首先分析了像移引起图像模糊和几何变形的机理,研究了像移降质的辐射和几何方面评价参量。依据TDICCD工作原理,建立了像移影响下TDICCD相机空变降质模型,并以此为基础,计算并分析了不同形式、不同方向上的像移影响下的像质下降情况。分析结果表明,不同方向、不同形式的像移引起的成像品质下降是不同的。文章中提出的空变降质模型可以为后续的仿真及像移降质图像的恢复等提供参考。     

空间CCD相机辐射校正算法分析

空间 CCD 相机对均匀景物响应的不一致在图像中表现为条带现象,相对辐射校正可以减弱或消除条带效应。相对辐射校正可以使用不同的算法,但效果不同。文章选取了某空间 CCD 相机的实验室辐射定标数据,采用基准的归一化系数法和最小二乘法,分别计算该相机的3组相对辐射校正系数,并对实验室原始辐射定标数据进行相对辐射校正,验证3种算法的校正效果。通过相对辐射校正后的图像和3种算法的辐射校正残余误差分析,认为以所有辐亮度DN（digital number）均值为基准的归一化系数法的校正效果在多数辐亮度级下好于最小二乘法。最后分析了相机像元响应线性度和算法辐射校正残余误差的关系。     

单目视觉惯性里程计硬件平台的研究

随着SLAM技术的不断发展,视觉SLAM技术成为了该领域的研究热点问题。其中的视觉惯性里程计分支更是视觉SLAM中的热点问题。近些年科学家们的研究大多数是基于高性能传感器的硬件环境或是数据集下进行研究,取得了显著的成果。这些成果也推动了整个SLAM领域的发展,使得研究成果逐渐向工业界转化。但是工业界对成本的敏感使得这些在高性能硬件环境下研究的算法不一定能很好的应用在嵌入式系统中。基于这样一个问题,本文设计了一款基于嵌入式的单目视觉惯性里程计的硬件平台,该平台使用的是低成本的传感器做为感知模块,使用ZYNQ做为数据处理单元,开发人员可以在该平台上研究视觉惯性里程计的问题以及对现有算法进行优化,使得学术研究的SLAM算法可以应用到嵌入式系统中。     

宇航抗辐射加固集成电路技术发展与思考

宇航抗辐射加固集成电路是航天工程的核心基础技术。长期以来,美欧等国家对抗辐射加固集成电路持续支持并严格禁运,宇航集成电路的发展和自主可控是我国向航天强国迈进的关键核心基础之一,受到国家的高度重视。本文总结了宇航抗辐射加固集成电路发展特点和我国发展现状,分析了未来宇航抗辐射加固集成电路的发展需求,探讨了未来需要重点关注的3个技术方向,即软加固的天算芯片、高压功率器件加固和单粒子效应仿真。     

柔性热电薄膜器件的研究进展

针对柔性热电薄膜器件的最新研究进展,从柔性基底、热电材料、薄膜沉积工艺、过渡层的引入和器件设计等几个方面归纳总结了在热电器件制作过程中材料和工艺选择方面应注意的问题。对各类柔性热电薄膜器件的性能对比分析表明:目前性能最佳的柔性器件采用的材料是(Bi,Sb)2Te3类合金,其单个热电偶对在1K的温差下可输出0.1~0.3mV的电压;在内阻足够低的条件下,单个热电偶对在1K温差下的输出电压与热电材料的Seebeck系数相等;增加热电薄膜的厚度能够有效地降低热电偶对的内阻,进而提高器件的输出电压。     

功率器件稳态温度预测的非稳态测试及精度分析

 结合功率器件非稳态导热的温度变化规律,采用非稳态的测试方法,对功率器件在不同条件下得到的时间常数及稳态温度的预测精度进行了测试和分析;并以此为依据,提出了一种综合利用功率器件升温及降温曲线,从而有效降低功率器件测试温升幅度的方法。实验及分析结果表明,在给定5%的误差范围内,单独采用温升测试数据对稳态温度进行预测时,温升测试幅度需达到总温升的70%左右。而综合利用升温及降温阶段的测试数据时,温升幅度可以降低至40%左右,对应的温升测试时间也缩短为前者的1/2。从而可以有效提高功率器件的热测试效率,并尽可能降低测试对器件造成的损害。