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171.
172.
为了实现复合材料表面涂层划痕的多点自修复,研究多级管径的修复剂输送系统。在涂层中分别布置了主管道、次级管道以及末端微纳/多孔结构,构成多级微脉管修复剂输送系统。研究发现三级微脉管输送系统输送修复剂的效果最好,修复剂扩散更为均匀,扩散速度更快;主级管道水平布置更为合理,管道不易堵塞,修复剂输送更流畅,而且将主级管道嵌入基体中,可以减少其对涂层性能的影响。对末级管道结构的进一步研究表明,导流网结构比多孔泡沫镍的输送效果更好。因此,使用将主管道水平嵌入基体,末端微纳结构使用导流网的三级微脉管系统有望应用于复合材料表面涂层划痕的自修复。 相似文献
173.
本文从压电石英的结构入手,付石英的18种一次转角和36种二次转角切型进行了分析和归纳,提出并实现了一种用微机对任意切型的一、二次转角晶片X光定向数据进行计算的方法,其结果与实际十分吻合。 相似文献
174.
为满足低损耗的设计需求,太赫兹微波组件中一般使用熔融石英基板。不同于光学系统对熔融石英材料的要求,应用于太赫兹等高频段微波组件的熔融石英基板材料不仅需要具备稳定的介电性能,还需要更优异的表面镀膜特性与电路图形、外形等加工精度要求。本文基于薄膜电路制造工艺要求,针对JC-Z05石英基板膜层附着力、表面刻蚀精度、切割质量、粘接强度等关键工艺特性研究,并通过改进工艺参数,进一步优化JC-Z05石英基板工艺适用性,提升国产石英基板材料作为在太赫兹频段薄膜电路制备的可靠性。研究结果表明,国产化熔融石英基板,结合优化后的薄膜电路制作工艺,制作出的电路具有膜层附着力强、外形切割公差小以及粘接可靠性高的特点,可满足复杂宇航环境中的高可靠应用。这一工作可为后续熔融石英电路基板在太赫兹领域的应用提供参考。 相似文献
175.
为建立简单高效的晶体塑性本构模型材料参数识别方法,将传统Voronoi多晶/柱晶微结构模型进行了简化,探索了简化微结构模型的建模策略,验证了利用简化微结构模型进行材料参数识别的合理性,分别形成了针对多晶、柱晶与单晶合金的材料参数识别策略,获得了ZSGH4169,DZ125与DD6合金共15组材料参数。结果显示:简化模型的网格数量远远低于传统Voronoi微结构模型,极大地降低了计算代价;为保证简化模型的结果合理且计算代价适中,简化多晶模型需大致含有125个晶粒;相同材料参数条件下,简化模型与传统Voronoi模型的计算结果基本一致;3类合金仿真/实验结果间的最大误差均不超过5%。文中所开发材料参数识别方法计算成本小、操作难度低、运行效率高。 相似文献
176.
描述了对水的密度进行绝对测量的熔化石英球体体积的确定。此球体的直径用光学干涉仪测量,即将此球体放置在两个平行标准板之间,而其间距的精确值已知。通过测量每块标准板表面到球体之间的间隙而测得其直径。为了使用精确的分数法,采用了两种波长:频率稳定的 He-Ne 激光器为633nm 及 He-Cd 激光器为441nm。详细阐述了为干涉仪克服熔化石英表面的低反射性而采取的特殊安排。同时,也介绍了一种消除由于石英球体的透明性而引起的伪效应的方法。此直径(大约85mm)测得值的标准偏差为5~12nm,体积上就相当于0.16~0.43ppm(1ppm=1×10~(-6)),此体积的总不确定度估计为0.26~0.48ppm。 相似文献
177.
介绍500kHz晶体滤波器在电子对抗设备中的应用和设计制作。该滤波器用于电子对抗OOK信号提载波电路中,用网络综合法设计,采用两节四晶体窄带差接桥式电路结构,达到的技术指标为:中心频率f_0=500kHz;3dB带宽B_3,一种为180~190Hz,一种为460~480Hz;带内波动Ar<0.5dB;阻带衰减As>50dB;矩形系数B_(40)/B_3=3.1~3.3;插入损耗A_0=3~4dB;输入阻抗R(in)=输出阻抗R_(out)=820Ω。 相似文献
178.
179.
为了获得母弹模型的头部激波对子弹模型的干扰特性,在φ0.5m高超声速风洞进行了子母弹干扰测力试验技术的研究。在试验中,采用现有的φ20内式六分量天平测量母弹的气动力,采用专门研制的φ14内式六分量子弹干扰测力天平测量子弹的气动力。试验结果表明:专门研制的子弹干扰测力天平温度效应小、性能稳定、测值可靠,很好地满足了风洞试验的需要。 相似文献
180.
梯形截面微管道内流场的PIV测量 总被引:7,自引:0,他引:7
利用micro-PIV系统测量了去离子水在水力直径为237μm,长度为31mm的梯形截面微管道内的流场结构,得到了不同雷诺数下沿流动方向不同位置微管道中间截面上的速度分布,并利用数值模拟方法计算了相应雷诺数下三维梯形截面微管道内的速度分布。实验结果和数值模拟结果显示实验中的梯形截面微管道内从层流到湍流的转捩发生在Re=1500~1800左右,实验中充分发展段长度Le。微管道水力直径Dk和雷诺数之间的关系可由公式Le/Dk=(0.08~0.085)船表示。 相似文献