全文获取类型
收费全文 | 546篇 |
免费 | 44篇 |
国内免费 | 41篇 |
专业分类
航空 | 222篇 |
航天技术 | 110篇 |
综合类 | 33篇 |
航天 | 266篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 13篇 |
2021年 | 20篇 |
2020年 | 21篇 |
2019年 | 19篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 14篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 29篇 |
2013年 | 20篇 |
2012年 | 25篇 |
2011年 | 28篇 |
2010年 | 21篇 |
2009年 | 22篇 |
2008年 | 25篇 |
2007年 | 25篇 |
2006年 | 28篇 |
2005年 | 33篇 |
2004年 | 29篇 |
2003年 | 18篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 16篇 |
1997年 | 12篇 |
1996年 | 21篇 |
1995年 | 13篇 |
1994年 | 17篇 |
1993年 | 12篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 7篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有631条查询结果,搜索用时 109 毫秒
11.
12.
13.
基于DS18B20的智能温度控制器采用单总线数字温度传感器,硬件结构简单,测量精度高,抗干扰能力强,重点介绍DS18B20的特性和编程要点。 相似文献
14.
15.
16.
17.
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 相似文献
18.
为了将机载设备的故障检测定位至器件级,研制了ARINC429手动发码器,通过以可编程逻辑器件为核心单元的硬件电路实现了ARINC429信息的输出,完成了样机设计,并已投入使用. 相似文献
19.
基于国内外运输类飞机针对适航标准第25.865条的符合性现状,结合飞机在着火情况下一定时间内的操纵和安全飞行需要,在分析易受飞机着火影响的飞行安全关键部件防火要求的基础上,即位于指定火区或邻近指定火区内必需的飞行操纵器件、发动机架和其它飞行结构,如发动机安装节、邻近发动机舱或APU舱的主飞控部件等,必须用防火材料制造或用防火材料屏蔽,使之能至少承受15 min的着火影响,提出了第25.865条的适航解析要求和符合性验证方法。开展了对第25.865条的制定背景、技术要求及符合性验证方法的研究,包括适航要求的解析,防火的定义解读,防火材料和非防火材料的符合性验证思路,及对关键飞行操纵器件、屏蔽、冗余和气弹稳定性等方面的着火评估,形成了第25.865条的适航技术要求和符合性验证方法,可为运输类飞机针对第25.865条的适航性设计和符合性验证提供参考。 相似文献
20.