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991.
美丽的北京航空航天大学如星河般灿烂,其中有一颗璀璨夺目,光彩熠熠——这就是北京航空航天大学电子信息工程学院。从1958年10月29日建立航空无线电系起,在学校的领导和支持下,学院几届党政领导班子和广大师生员工  相似文献   
992.
针对航空电子光纤通道网络的实时性问题,建立了光纤通道的网络演算模型,分析了在交换机不同服务策略下系统各类数据流的延迟上界情况,给出了计算在交换机不同服务策略下各类数据流延迟上限的数学方法.分析结果表明与先到先服务(FCFS,First Come First Service)服务策略相比,非抢占式静态优先级(NPP,Non-Preemptive Priority)服务策略可以降低高优先级数据的延迟上界,能更好地满足高优先级数据的强实时性要求.通过与仿真结果比较可知,仿真结果与此数学方法的分析结果一致,此方法适于分析系统中各类消息的延迟上界情况,可用于光纤通道网络设计和性能评价.   相似文献   
993.
北京华瑞飞机部件维修服务有限公司,作为国内较早的航空部件修理企业,多年来主要从事自动飞行控制系统、舱压控制系统、仪表、电源系统、灯光等系统各类机载电子、电气、附件的维修。同时,还承担着空调系统、水系统、防冰系统、气源系统附件的修理。其中一些项目,包括 B737 SCU、B747 BSCU、FCSV,  相似文献   
994.
烧蚀对再入体绕流电子数密度影响的数值研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从化学非平衡NS方程或其简化形式(粘性激波层方程、PNS方程)出发,采用分区求解的方法数值模拟含泰氟隆烧蚀产物的高超声速再入体流场.首先计算分析了RAM-C飞行试验状态和一个考核算例,对计算方法和程序作了初步验证.其次耦合烧蚀壁面边界条件和流体控制方程,采用19组分28个反应的化学反应模型,对有、无烧蚀情况下高超声速钝锥体再入绕流及底部流场进行了数值模拟,深入分析了烧蚀产物对再入流场电子数密度及温度分布的影响.  相似文献   
995.
针对某型发动机在高空小表速飞行时出现的转速摆动现象,在从机理上对其进行分析的基础上,结合国产综合电子调节器和改型的俄制综合电子调节器的n1转速通道占空比控制率S1n1,采用减小开环增益的方法,单独修改n1转速通道S1占空比控制率.试飞结果表明:该措施不仅有效地解决了转摆问题,而且提高了空中加力接通的可靠性.  相似文献   
996.
介绍了一种新型的数据下载式电子探空仪系统方案,该方案采用GPS芯片一体化、微处理器和数字传输以及先进的自动回收装置等技术,探空仪可多次重复使用,整个系统无需复杂的发射、接收设备,既避免了由于电磁干扰引起的系统工作不稳定问题,又使地面设备和使用成本大大降低,具有巨大的经济效益。  相似文献   
997.
介绍了利用IK220计数卡实现角速率、振动台的角速度和角加速度测量,给出了具体的系统组成、软件结构和最终的测试结果.该装置可以较方便地实现角速度和角加速度测量,实际应用达到了比较满意的效果.  相似文献   
998.
航空电子系统随着任务需求和技术的发展不断向深度综合演进,其系统的复杂性给网络的设计和验证带来了巨大的挑战,如何通过网络生成实现受限资源条件下航电信息交互的实时性能保障是目前亟待解决的问题。针对目前存在的无法对航电网络进行实时性调控的拓扑设计方法进行改进,依据终端节点之间所有虚拟链路的最大通信帧长之和的大小关系,提出一种基于度中心性理论的航空电子全双工交换式以太网(AFDX)网络拓扑生成算法。将终端节点之间数据帧长作为节点度的衡量标准,对所有终端节点进行集合划分,并根据集合中终端节点的数据帧长对交换机进行连接。采用确定性网络演算以及仿真的方法对基于度中心性的AFDX网络拓扑生成算法进行效能评估。利用确定性网络演算方法,在小规模虚拟链路(VL)的组网下,结果显示:基于度中心性的拓扑生成算法生成的网络拓扑中75%的VLs实时性能优于原始人工设计的网络拓扑,且端到端延迟平均减小9.37%。利用OMNet++仿真方法,在1 400条虚拟链路的组网规模下,结果显示:基于度中心性的拓扑生成算法生成的网络拓扑中94.3%的VLs实时性能优于人为规划网络拓扑,且端到端延迟平均减小50.2%。由此表明:基于度中心性的拓扑生成算法很大程度上提高了网络的实时性能保障。   相似文献   
999.
本文简述了先进航空系统的总线结构,航空综合自卫系统分系统的系统结构及功能配置。详细论述了APP规约的设计及APP规约的硬件实现-BCIB通研接口板,并通过ASPS系统得到验证。  相似文献   
1000.
对不锈钢基体上离子束混合沉积的C-SiC涂层进行了H^ 辐照模拟试验,由SIMS测量H^ 辐照前后氢的浓试分布,采用沟电子能谱(XPS)对H^ 辐照前后涂层元素C和Si进行了内层电子结合能的测量分析,研究C及Si的化学键态的变化与H的关系,探讨SiC涂层阻氢机理。  相似文献   
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