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641.
1996-2003年大耀斑事件引起的TEC突然增强的统计分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用1996—2003年期间GOES卫星耀斑观测资料和国际GPS观测网的GPS—TEC资料分析X级大耀斑事件引起的电离层电子浓度总含量(TEC)的突然增强(SITEC)现象.对X射线耀斑等级、耀斑日面位置与SITEC的关系进行了分析.结果表明,两者都与SITEC现象的强弱有着一定的正相关性.在消除X射线耀斑等级、耀斑日面位置对电离层SITEC现象的影响后,进而分析了日地距离以及耀斑持续时间对电离层SITEC现象的影响.结果表明,日地距离和耀斑持续时间都是影响SITEC现象的重要参数,日地距离较近时发生的耀斑事件引起的SITEC现象较为强烈.另外,耀斑持续时间越长,SITEC现象越微弱,但是当耀斑持续时间继续延长时,SITEC现象的强弱逐渐趋于不再改变,最后在某值附近达到平衡.还对某些没有在电离层中引起明显SITEC现象的耀斑事件进行了讨论,发现了这类耀斑的一些特征.  相似文献   
642.
研究AA 7055-T7751板材不同厚度层的力学性能,并采用电子背散射衍射(EBSD)、透射电子显微镜(TEM)、小角度X射线散射(SAXS)等分析技术研究板材不同厚度层的微观组织。结果表明:从板材表层到厚度中心,再结晶程度从69%下降到19.1%,亚晶粒尺寸从10μm减小到2μm;板材厚度中心主要为轧制型织构,远离中心层其含量逐渐减少,板材表层主要为剪切型织构;板材主要强化相为盘状η'相,其盘面半径为3.7 nm,厚度为1~3 nm,与基体的共格应变约为0.0133;板材不同厚度层沿轧制方向的拉伸屈服强度近似呈线性变化:σ_y=-38.7S+604.8(0≤S≤1)。  相似文献   
643.
针对某型飞机电子防滑刹车系统原整机调试工艺方法不能模拟飞机滑跑环境,不能精确测量机、电、液、气的核心参数,不能实现防滑保护、交叉保护、余度检查等不足,研究该系统"机械、电气、液压、气压"4个方面的联调、联试工艺方法,制定相关综合检测技术标准,实现工艺流程的优化,为电子防滑刹车系统综合调试、故障复现提供可靠支撑。  相似文献   
644.
航空电子系统经过数十年的演进,正朝着更加开放、灵活、智能的方向发展,同时也不断面临新的问题和挑战,需要在功能复杂度不断提升的前提下实现资源的高效分配,保证系统的实时性与可靠性。通过分析机载嵌入式计算特点,基于模型的系统工程理论的同时结合形式化建模仿真方法,针对典型嵌入式计算平台场景中的组件开展基于模型的设计方法研究与应用。该方法能够清晰描述航电嵌入式计算的时间关键性特征,有效辅助设计和论证工作,降低研发周期、提升设计的可复用性。  相似文献   
645.
646.
国际可靠性、维修性、安全性会议(ICRMS)是由中国现场统计研究会、中国电子学会、中国机械工程学会、中国仪器仪表学会、中国兵工学会、中国航空学会、中国宇航学会共同发起并轮流主办的关于可靠性、  相似文献   
647.
目前最常见的航空图是二维航图.与飞行活动相关的各类人员每天都会使用它。二维图形便于制作.印刷方便,适合在机舱等狭小空间内阅读。长期以来二维航空图在指引航班飞行、保障飞行安全等方面发挥着重要作用。但是二维航图也一直存在表达空间信息不直观.信息量小等缺点。随着近年来地理信息技术(GIS)迅猛发展,各种三维图形软件层出不穷,机舱内安装的电子飞行包(EFB)等已能够使用电子化的、三维影像形式的航空图。在机场选址、飞行程序设计、空中流量管理等领域对三维航图的需求也与日俱增。  相似文献   
648.
随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应.文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×108~1×109/(cm2·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应.结合高能电子作用28 nm器件的...  相似文献   
649.
我国东菱公司自主研制成功35 t级电动振动试验系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
电动振动台是力学环境试验的一个主要手段,广泛应用于导弹、卫星、飞机、船舶、汽车和电子等尖端产业的科研和生产中,属于当前世界管制产品目录中的产品,长期被美、英、日等主要西方国家所垄断.多年来,对于5t以上大推力电动振动台,某些发达国家一直对我国实行封锁和禁运,影响了我国国防科技工业的发展.  相似文献   
650.
采用第一性原理方法研究钙态矿材料锆酸锶(SrZrO3)的电子结构和光学性质.SrZrO3的直接带隙及间接带隙的大小分别为3.53,3.80 eV,同时基于电子能带结构对SrZrO3的光导率、介电函数、反射谱、吸收谱、能量损失谱、折射系数和湮灭系数等光学性质进行分析,表明光导率在8.45,12.27 eV处存在O 2p→Zr 4d T2g及O2p→Zr 4d Eg 4d的带间跃迁.计算结果符合实验结果.  相似文献   
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