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171.
172.
用循环伏安曲线和交流阻抗谱测试技术研究了不同溶液浸泡对复合材料性能的影响,探讨了电化学表征参数与复合材料腐蚀程度之间的相关性.实验结果显示,随着浸泡时间的延长,试样的反应电阻逐渐减小,双电层电容逐渐增大,并且浸泡于酸性探针和碱性探针溶液中的试样的电化学参数比浸泡于中性探针溶液中的试样的电化学参数变化幅度更大.实验结果表明利用电化学参数的变化可以反映碳纤维增强环氧树脂基复合材料的腐蚀程度,即可以用阻抗值和电流值的大小变化表征复合材料的耐蚀性. 相似文献
173.
174.
175.
□□继2005年10月13日,法国首颗第3代军用通信卫星锡拉库斯-3A(Syracuse-3A)由欧洲阿里安-5火箭发射之后,该系列的第2颗卫星--锡拉库斯-3B于2006年8月11日由阿里安-5ECA重型火箭送入轨道.该卫星将向法国和北大西洋公约组织提供话音通信、视频会议和网络接入等服务,提升法国军事通信的速度和效率. 相似文献
176.
177.
为了在考虑表面粗糙度条件下,对表面织构影响润滑性能的理论计算结果进行试验验证,提出了一种通过纳秒紫外激光在锡青铜样片表面构造不同粗糙度参数的方法.通过改变激光加工参数制备了不同表面粗糙形貌,并采用白光干涉共聚焦显微镜以及粗糙度仪对表面粗糙形貌进行表征.试验结果表明,表面粗糙度随激光扫描速度的增大而减小;扫描间距等于光斑直径50μm、扫描速度300mm/s时,表面粗糙纹理方向清晰,便于粗糙度方向参数的控制.通过控制粗糙度方向参数以及微织构方向控制,实现了与表面粗糙方向成规定角度的微织构阵列的制备. 相似文献
178.
采用塔菲尔(Tafel)曲线法和电化学阻抗法(EIS)2种电化学方法评价了 4种不同型号的电子电气缓蚀剂在天然海水中对 T2铜合金、H62铜合金以及 2Al2-T4铝合金的缓蚀效果。对于 T2铜合金,缓蚀剂的缓蚀效率从高至低依次为 DZ-1、TFHS-20、DJB-823、WD-40;对于 H62铜合金,缓蚀效率从高至低依次为 DZ-1、DJB-823、WD-40、 TFHS-20;对于 2Al2-T4铝合金,缓蚀效率从高至低依次为 DZ-1、WD-40、DJB-823、TFHS-20。4种缓蚀剂中,DZ-1缓蚀剂 Tafel曲线法和 EIS法得到的缓蚀效率都高于 99.5%,所以,对于 T2铜合金、H62铜合金以及 2Al2-T4铝合金 3种金属材料来说,DZ-1是 4个型号的缓蚀剂中效果最优的。 相似文献
179.
为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6%。刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0%。本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命。 相似文献
180.
对精密模具大面积微结构的电铸制备工艺进行了研究。研究了掩膜厚度、化学微蚀刻、二次辅助阴极对精密模具大面积微结构电铸成型的影响。结果表明,化学微蚀刻能进一步去除显影残胶,提高镀层微结构与模具基板的结合力。在曝光时间为100s,曝光能量为750~810mJ/cm2的曝光工艺条件下,掩膜厚度在130~160μm时,可以得到线宽为100μm侧壁陡直度较好的精密模具微结构。采用外加电势的二次辅助阴极三电极电铸体系可以提高铸层的均匀性。 相似文献