首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   380篇
  免费   61篇
  国内免费   34篇
航空   202篇
航天技术   80篇
综合类   19篇
航天   174篇
  2024年   6篇
  2023年   16篇
  2022年   18篇
  2021年   21篇
  2020年   19篇
  2019年   28篇
  2018年   25篇
  2017年   8篇
  2016年   19篇
  2015年   13篇
  2014年   19篇
  2013年   23篇
  2012年   20篇
  2011年   25篇
  2010年   19篇
  2009年   14篇
  2008年   33篇
  2007年   16篇
  2006年   16篇
  2005年   14篇
  2004年   15篇
  2003年   14篇
  2002年   11篇
  2001年   5篇
  2000年   6篇
  1999年   2篇
  1998年   5篇
  1997年   8篇
  1996年   7篇
  1995年   4篇
  1994年   8篇
  1993年   6篇
  1992年   4篇
  1991年   1篇
  1990年   2篇
  1989年   3篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有475条查询结果,搜索用时 15 毫秒
471.
王健 《航天控制》2023,(4):54-58
为满足运载火箭轨道作业段遥测全帧码流中有效载荷姿态、冲击、速率等关键信息参数的挑路、帧重构及传输的需求,提出了一种基于双臂螺旋天线的箭载天基遥测系统设计。本文在通过COMSOL仿真软件对系统双臂螺旋天线在轴向工作模式下的散射参数(Scatter参数,S参数)和远场辐射方向图进行电磁波、频域及重力场耦合仿真分析的基础上,选择了385 MHz、4.77 GHz频段作为主、备份频段进行天基遥测数据的传输,最后在整箭模拟飞行测试中进行了天基遥测系统空间衰减等效实验。实验结果表明,地面天基检测站“捕获”、“载波”、“帧同步”、“符号同步”功能正确,精准完成了箭载天基遥测系统状态锁定,近地轨道处遥测数据传输速率稳定保持在1.2 Mbps,系统链路余量充裕,与现有系统相比同等条件下的箭地通信速率提升比至少达到了76%。  相似文献   
472.
2021年12月2日,厦门空管站气象台设备信息室的监控终端清晰显示出05号跑道及跑道中间的配电室画面。这第一帧视频图像的显示标志着电信5G切片无线专网技术首次在厦门空管站应用取得成功。摄像头可360度旋转,配电室内显示无死角,值班机务员在航管楼的监控室内可随时监测两个配电室机器的运行情况,大大节省了到场检测时间。  相似文献   
473.
对存在未知外界干扰、参数不确定问题的刚–液–柔多体耦合航天器姿态控制进行了研究。将液体燃料的晃动等效为球摆模型,挠性附件假设为欧拉–伯努利梁,运用拉格朗日方法建立航天器的动力学方程。将外界干扰、航天器转动惯量的参数不确定性以及液体晃动和挠性附件振动带来的耦合干扰归结为集总干扰,设计干扰观测器对其进行补偿;在干扰观测器的基础上,设计一种模糊滑模控制律。在原有的终端滑模控制基础上采用模糊控制对切换增益进行改进,达到抑制系统抖动的目的。数值仿真结果表明:所设计的模糊终端滑模控制律不仅能够实现充液挠性航天器的姿态机动,而且能够有效抑制液体晃动和挠性附件的振动,具有更好的控制性能。  相似文献   
474.
G矩阵反演法是一维综合孔径辐射计普遍采用的图像重构算法,其实现包含两个关键要素:系统响应G矩阵标定和有效的数值反演算法。目前,在轨运行的辐射计采用系统误差分步测量的定标方法。在G矩阵反演法和点源测量G矩阵的理论基础上,对相应点源测量试验过程和水体成像试验过程进行了介绍,并对成像精度进行了分析,验证了整体定标的可行性。接着,提出了在轨G矩阵定标方法,并分析了卫星机动对载荷的影响。相比于目前在轨应用的分步测量系统误差的定标方法,该方法利用外部定标源整体标定系统响应G矩阵,能够简化分步定标各系统参数的定标过程,实现符合设计的成像精度,为后续高精度的图像重构算法提供保证,给一维综合孔径辐射计在轨定标提供了新的思路。  相似文献   
475.
由于缺少p型氧化镓,造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用,提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导,运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)进行了仿真研究,通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V,代价是器件正向导通电阻略微增加,由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响,发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm,器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V,同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号