全文获取类型
收费全文 | 3586篇 |
免费 | 422篇 |
国内免费 | 608篇 |
专业分类
航空 | 1996篇 |
航天技术 | 646篇 |
综合类 | 339篇 |
航天 | 1635篇 |
出版年
2024年 | 21篇 |
2023年 | 150篇 |
2022年 | 161篇 |
2021年 | 196篇 |
2020年 | 136篇 |
2019年 | 169篇 |
2018年 | 91篇 |
2017年 | 118篇 |
2016年 | 116篇 |
2015年 | 134篇 |
2014年 | 192篇 |
2013年 | 213篇 |
2012年 | 300篇 |
2011年 | 271篇 |
2010年 | 236篇 |
2009年 | 225篇 |
2008年 | 267篇 |
2007年 | 194篇 |
2006年 | 186篇 |
2005年 | 160篇 |
2004年 | 137篇 |
2003年 | 119篇 |
2002年 | 124篇 |
2001年 | 109篇 |
2000年 | 85篇 |
1999年 | 70篇 |
1998年 | 65篇 |
1997年 | 69篇 |
1996年 | 49篇 |
1995年 | 49篇 |
1994年 | 40篇 |
1993年 | 29篇 |
1992年 | 36篇 |
1991年 | 27篇 |
1990年 | 24篇 |
1989年 | 25篇 |
1988年 | 17篇 |
1987年 | 6篇 |
排序方式: 共有4616条查询结果,搜索用时 15 毫秒
161.
航空表面涂层技术是航空制造技术的重要组成部分,涂层材料与涂层制造技术创新对提高航空零部件产品性能、降低能源消耗、提升产品可靠性及服役寿命具有重要意义.主要对涉及航空工业领域热障涂层、复合材料表面环境障涂层、高温可磨耗封严涂层及纳米涂层技术的应用现状与研究进展进行了阐述. 相似文献
162.
163.
164.
为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. 相似文献
165.
近日,中国航天科技集团公司一院702所自主研发的70吨超大推力电动振动台在天津大型运载火箭研制基地顺利完成了测试工作,其各项指标达到国际领先水平,推力为国外现有最大推力35吨振动台的两倍,成为世界上推力最大的电动振动台。作为地面试验验证的重要设备,70吨超大推力电动振动台的研发成功,将为我国空间站、重 相似文献
166.
国外小卫星最新发展研究 总被引:1,自引:0,他引:1
进入21世纪后,随着航天技术的发展,现代小卫星逐渐呈现轻量化、小型化、低成本以及高功能密度和性价比等优势,小卫星已成为空间系统的重要组成部分。各主要航天国家为在小卫星技术领域取得领先优势,均制定了大型计划和项目。在过去十几年中,小卫星技术迅猛发展,小卫星逐渐从探索、试验阶段转入业务化、装备化运营阶段,并在遥感、通信、导航、空间科学、新技术演示验证以及教育培训等诸多领域得到了广泛应用。国外通常把质量在500kg以下的卫星定义为小卫星。考虑到我国卫星技术发展现状,目前,我国把质量在1000kg以下的卫星定义为小卫星。 相似文献
167.
据俄罗斯国防部官方发言人表示,5月17日成功试射了一枚RSM-54轻舟潜射弹道导弹,导弹成功击中位于勘察加半岛库那河试验场的目标。据军方官员介绍,根据海上核力量可靠性验证计划,此次试射是从水下进行的。导弹作战单元在指定时间到达试验场。 相似文献
168.
169.
9月中旬,我国第二颗月球探测卫星嫦娥二号成功从172万千米外深空,传回第一批科学探测数据。这些数据是嫦娥二号从月球飞往日地拉格朗日L2点过程中,太阳风离子探测器、太阳高能粒子探测器、γ射线谱仪等三种有效载荷开机,所获取的空间环境探测数据。根据工程总体安排,将于近日择机再次开启 相似文献
170.
低轨道航天器高电压太阳电池阵电流泄漏效应分析计算 总被引:1,自引:0,他引:1
在一种简化的太阳电池阵结构模型基础上, 利用太阳电池阵电流收集经验模式,基于电流平衡, 建立了一种计算低轨道航天器高电压太阳电池阵在等离子体环境中电流泄漏的方法. 利用该方法, 对高电压太阳电池阵电流泄漏效应与低轨道等离子体环境、电池阵电压、电池阵裸露金属面积的关系进行了分析计算.结果表明, 随着轨道高度增加, 电流泄漏引起的电池阵功率损失迅速下降, 影响最严重的区域为电离层等离子体密度最高的300~400 km高度的轨道区域; 电流泄漏引起的功率损失与太阳电池阵电压呈指数关系, 电压越高功率损失越大; 200 V以下的电池阵功率损耗较小, 远低于电源系统总功率的1%;电流泄漏与太阳电池阵裸露金属导体的表面积呈正比关系, 因此, 通过减少太阳电池阵裸露面积, 可以降低电流泄漏的影响. 相似文献