2012微电子与元器件计量测试研讨会在京召开CSCD

2012年12月20日,由工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国半导体协会、国防科技工业微电子元器件一级计量站主办的＂2012微电子与元器件计量测试研讨会＂在北京顺利召开。国家质监局计量司宋伟副司长、陈红处长,工业和信息化部科技司韩俊副司长、技术基础处常利民处长,     

VRB-51D型DVOR故障检修二例

引言VRB-51D型DVOR由澳大利亚AWA公司生产,其特点是电子元器件集成度不高,但是性能可靠,运行稳定,易维护,故障率比较低。哈尔滨、齐齐哈尔和佳木斯三地机场的VRB-51D型DVOR是     

加速构建中国宇航元器件标准体系大力支撑宇航元器件产品体系建设

分析国内外宇航元器件标准体系的现状与发展趋势,阐述宇航元器件标准体系对宇航元器件产品体系构建的支撑与推动作用,提出我国宇航元器件标准体系的指导思想、技术特点和总体设计等关键内容.     

宇航用元器件锡晶须生长研究

通过分析锡晶须的研究历史,将锡晶须的研究归结为三个阶段:早期对锡晶须现象的研究、锡晶须生长机理的研究和减缓锡晶须生长方法的研究。比较了锡晶须长度及密度的测量方法。总结了目前抑制锡晶须生长的方法:在不同基底材料上采用不同厚度镀锡层;使用Ni、In等阻挡层;对镀层表面进行热处理和回流处理;避免使用纯锡镀层,镀层合金化;在镀层表面覆盖保形涂层。     

国际空间站用元器件的升级筛选

概述升级筛选对于保证国际空间站可靠运行的重要作用,阐述升级筛选的概念,对国际空间站元器件升级筛选的内容进行了研究,介绍升级筛选的具体工作程序,同时分析我国宇航元器件筛选的现状,提出几点工作建议。     

磁记忆检测力-磁效应微观机理的试验研究

铁磁材料在地磁场环境中受载荷的作用,其内部会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向和不可逆的重新取向.将去应力退火后的20钢和45钢压缩试件分别施加不同载荷并制作成金相观察试样,利用粉纹法观察受力程度不同的试件的磁畴结构,然后,对比同种材料不同载荷试样的磁畴结构照,分析不同残余应力对磁畴的影响.试验表明:未受力或应力集中较小时,晶粒内磁畴以片状畴为主,同一晶粒内畴壁相互平行,随着应力集中程度的增加,磁畴结构出现迷宫畴.且应力集中程度越大,迷宫畴个数越多,同时畴壁长度和间距发生改变.     

电子元器件的使用可靠性

叙述了电子元器件的选用和筛选原则及方法．     

湿热环境下湿度对塑封器件贮存可靠性的影响

针对塑封电子器件在湿热环境下的贮存可靠性问题,通过湿热实验考察了湿热环境中的湿度因素对某型塑封器件贮存过程中的吸湿行为、封装表面状态以及电性能的影响.结果表明:环境湿度对塑封器件吸湿过程有显著影响,在同样的温度下相对湿度越高,器件的吸水速率越大,达到饱和时的饱和水汽含量也越大,而湿度对器件水汽吸收达到饱和时间的影响比较小,一般贮存300 h后水汽含量都达到饱和;塑封器件在湿热环境下贮存的主要失效模式是外引线腐蚀,且随着相对湿度增加腐蚀程度更加严重,分析认为器件封装过程中在外引线表面造成的断口、裂纹和针孔等缺陷处是腐蚀发生的敏感区;在贮存期内湿度对塑封器件的电性能影响不大.     

面向国产元器件应用替代的适航符合性验证思路探讨

国产元器件在民用航空领域的应用替代成为大趋势。根据适航要求,国产元器件在民用航空领域的使用应得到充分的适航符合性验证。因此,分析了国产元器件适航要求来源、要求实质,给出了国产元器件应用替代的验证流程与思路,并结合验证思路提出了适航审查的关注重点工作内容,为国产元器件的应用替代提供验证思路与指导。