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921.
922.
精确的器件大信号模型是成功设计微波非线性电路的基础。本文详细介绍了根据测量的ColdFETS参数、正常工作偏置下的S参数及脉冲I-V特性来建立功率CaAsMESFET的Curtice立方大信号模型的方法,利用该方法建立的器件大信号模型精度高,具有较高工程实用价值。  相似文献   
923.
VERA  P.BEHAR  李恒 《空载雷达》2002,(1):48-59
本文提出一种用于信号处理的新型并行算法以及带有自适应检测后积累(API)的恒虚警(CFAR)处理器的并行systolic结构。这种处理器用于脉冲干扰条件下雷达对小型机载目标回波的单个距离分辨率单元中的有效目标检测。这种算法的主要特征是在进行噪声水平估计前能自动地确定并删除二维参考窗口及检测单元中受脉冲干扰污损的不希望的样本。通过这种方法可将脉冲干扰环境对自适应门限处理的影响减至最低程度。对这种目标控制自满的统计分析表明,即便在脉冲干扰的功率与频率都非常高的情况下,信噪比损失也微乎其微。设计了CFAR API的Systolic结构。Systolic结构的基本微量尺度为处理器单元的数目、计算时间及实时实现所需的加速度。  相似文献   
924.
在逆合成孔径雷达(ISAR)成像中,由于机动目标的非合作运动,散射器的多普勒频移随时间变化,而雷达回波信号通常为线性调频脉冲。线性调频脉冲会计对ISAR成像的性能起着重要作用。Li和Stoica最近提出了一种自适应FIR滤波方法,用来估计正弦信号的振幅和相位,并将这种方法应用于采用正弦信号模型的合成孔径雷达(SAR)成像。本文推广Li和Stoica的算法,用来估计线性调频脉冲信号并将其用于机动目标的ISAR成像。该推广算法已由仿真数据验证。  相似文献   
925.
PML在三维柱坐标系下的应用及脉冲天线数值模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
在三维柱坐标系下推导了麦克斯韦方程在完全匹配层 (PML )吸收边界条件中的时域有限差分 (FDTD)表达式 ,从而把 FDTD推广到三维复柱坐标系中并编程实现。为保证求解的稳定性 ,给出了更为严格的时间步长计算公式 ,并去除了对称轴上的奇点。提出了利用插值法对 PML最外层理想金属层进行设置的方法 ,并简化了通常处理理想金属表面电磁场的约束条件。最后给出在柱坐标系下脉冲天线的数值模拟。  相似文献   
926.
空间光学遥感器对于国家安全具有重要的意义。激光武器的出现对空间光学遥感器构成了极大的安全威胁,相应的激光防护技术也成为亟需解决的问题。首先对空间光学遥感器的激光防护策略做了分类,然后对不同的防护方案进行了优缺点比较。最后,提出了一种基于VO2和C60的概念式薄膜联合式激光防护方案。  相似文献   
927.
根据全球地表后向散射系数的概率统计分布,定量分析Ku频段星载降水测量雷达脉冲压缩峰值旁瓣电平与其干扰距离单元数之间的关系,提出通过倾斜雷达天线波束扫描平面来降低系统对峰值旁瓣电平指标要求的方法。数值仿真结果表明,当雷达天线波束扫描平面倾角为0°时,脉冲压缩的峰值旁瓣电平(PSL)应小于-70dB;当倾角为2°~3°时,PSL应小于-60dB。  相似文献   
928.
脉冲发动机中金属膜片式隔舱动态破坏过程研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
为了实现固体火箭发动机的多脉冲启动功能,设计了一种金属膜片式隔舱(PSD)结构,利用断裂力学理论和圆板大挠度理论建立了金属膜片的设计公式,根据燃烧室的使用要求确定了打开压强为2.2 MPa的金属膜片尺寸,利用脆性断裂模型模拟了膜片的破坏过程,得到其打开压强为2.15 MPa,有限元数值计算结果与公式计算结果符合较好。设计了金属膜片打开破坏的单项试验,5次试验平均打开压强为2.10 MPa,数值模拟的破坏形式与试验结果一致。通过区间估计,计算了膜片真实平均打开压强置信度为90%的置信区间为[1.90 MPa,2.30 MPa],该范围可以较好满足脉冲发动机的使用要求。  相似文献   
929.
星载激光测高仪回波信号仿真分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
为研究不同地形、地物对激光回波信号的变化状况和星载激光测高仪的实际测量精度等问题,文章采用计算机仿真技术建立了立体地物数字模型、激光脉冲数学模型和噪声信号模型;设计了针对光栅网格地形数据的激光回波近似算法,避免了三角面片的划分、面片间遮挡测试和消隐处理,简化了计算过程。对理想平面目标的激光回波仿真结果与理论结果一致。利用在Matlab环境下开发的仿真程序,对平面型、阶梯型和高斯起伏型3种典型地物模型进行了仿真实验,估算了星载激光测高仪对不同目标区域的实际测量精度。  相似文献   
930.
CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。  相似文献   
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