三区加热井式炉的微机改造

铝合金淬火温度允差±5℃,个别合金允差±3℃,当前趋向于用空气循环炉取代硝盐炉。原125kW三区加热井式炉采用热电偶——电子电位差计——交流接触器控温,可靠性差。现应用微机改造。采用改型后的DWK三点微机,EU—2热电偶,VPC转换,实现高精mV~℃转换,使用UPS不间断电源,μ80打印机,以原有温度记录仪和交流接触器作为控温回路,控温精度±2℃/24h,无超调,炉镗有效工作区温度均匀性由±6.5℃提高到±3℃,可靠度由67.07%提高到89.13%。     

PID控制器在八路温控中的应用

本文主要介绍了PID控制器的工作原理以及PID控制器在八路温控中的应用，并对使用过程需要注意的问题进行了详细的说明。     

超燃冲压发动机再生冷却U型通道的热传导模型研究

本文主要对超燃冲压发动机再生冷却通道进行了设计和改良。首先提出U型冷却通道这种往返式流道的通道结构,并针对传统的同向流道和U型通道分别进行了一维程序建模,对比了两种通道的优劣。并针对U型通道进行了不同高宽比对肋间传热影响的讨论和改变通道截面积以提升通道整体冷却效果的研究。研究表明：U型通道能较明显的降低燃烧室壁面的局部高温,使得整体温度分布更加均匀;适当增加高宽比,可增加肋间壁面的传热,使通道两侧温度差拉低;适当减小高宽比,可增加底壁面的传热,使局部燃烧室壁温降低;渐变通道截面积的设计方案,对解决通道出口区域燃烧室壁温过高,起到了明显的改善作用。     

真空热试验中的温度控制算法

文章对真空热试验中温度控制算法进行了初步研究，主要论述了模糊控制算法、神经网络控制算法。     

冷、热定标源温控装置成功研制

本刊迅 为满足星载微波辐射计地面定标的需要,一航计测受航天科工集团二院的委托,成功地研制了150—183GHz冷定标源和10～90GHz热定标源温度控制装置,这两套装置分别经历了常温真空验收和低温真空验收,完全达到了项目要求的技术指标,并且在稳定性方面远远高于项目要求。这两套装置已分别于2006年11月和2007年3月交付使用,至今运行良好。     

光纤光源温度动态特性分析及控制

根据半导体热电致冷器(TEC)工作的基本原理,分析了光纤光源模块的温度动态特性,建立了与之对应的数学模型.对光源模块进行了实际实验测试,采用多点频率的工作电流驱动TEC模块,通过光源模块内部的热敏元件采样光源管芯温度的动态数据,用最小二乘法进行数据拟合,得到了与数学模型十分接近的结果,因此可以确定数学模型中的待定参数.采用 MAX1978单片TEC控制器,根据温度动态特性数学模型设计了最优的比例积分微分(PID)补偿网络,实现了光纤光源的温度控制系统,得出了TEC温度控制系统对光源有良好的控制精度和稳定性.      

KM6空间环境模拟设备运动模拟器内腔温度控制设计方案

文章在运动模拟器初始通风冷却温度控制方案的基础上, 提出了风扇换热器组件冷却方案, 并采用CFD模拟两种方案下模拟器内部流场和温度场分布。此外, 为了验证风扇换热器组件冷却方案的可行性, 采用遗传算法进行了三流程板翅式换热器的优化设计。计算表明风扇换热器组件冷却方案可行有效, 明显改善运动模拟器内部气体流动和换热。     

平台式航空/海洋重力仪精密温度控制研究

以平台式航空/海洋重力仪为基础,为降低温度变化对其惯性器件尤其是重力敏感器的影响,保证重力测量的精度,设计了一种三级五路结构的高精度温度控制系统。以包含核心惯性器件的第三级温控为例,重点分析了温控对象的建模、非线性PI控制器的设计等问题,并进行了仿真分析和高低温环境下的试验验证,结果表明,在-10℃^+45℃温度范围内3个温控通道的温度变化量和温度稳定性均小于0.01℃,达到了重力仪的温度控制精度要求,为重力仪实现高精度重力测量提供了有利的温度条件。     

CCGA封装芯片落焊控温工艺研究

部分宇航型号单机生产过程中,CCGA芯片因软件固化、调试等原因需使用返修台进行落焊,落焊温度曲线直接影响CCGA器件及周围器件的装配可靠性。本文使用红外热风混合型返修台进行CCGA落焊控温工艺研究,并进行焊接及可靠性试验验证。研究发现,返修台控温点距离器件边缘1-2mm时温度反馈控制效果最佳;本文提出了增加导热挡板控制高温区范围（＞183 ℃）的新方案,可将高温区控制在落焊位置周围8mm范围内;CCGA焊接样件分析显示焊锡柱侧微观组织呈块状,IMC层组织均匀,未出现Cu3Sn脆化物,可靠性试验后染色浸润测试发现焊点完好,未出现裂纹。结果证明所本文提出的温度控制工艺合理有效,可应用于宇航产品落焊过程。     

用于冷原子陀螺仪的高精度数字温度控制器

本文设计了一款高精度数字温度控制器,应用于冷原子陀螺仪的半导体激光器温度控制。文章详细介绍了温控设计的原理、控制策略,控制器采用积分分离PID控制原理,主控制器选用C8051F410,温度传感器采用AD590,通过DRV591芯片驱动半导体致冷器（TEC）并输入相应大小电流进行致冷或加热控制。并开展了高精度温控实验,达到很好的温度控制效果。