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991.
进行了真空压力浸渗法制备高体积分数SiCp/Mg复合材料的工艺实验.结果表明,真空压力浸渗法具有良好的渗流条件,避免了气体和夹杂物的裹入等问题;在压力为300 kPa、温度为973 K及保压时间为5 min条件下,成功渗透了振实堆积的单一尺寸SiCp多孔体的最小粒径为32 μm;浸渗后的复合材料中SiCp体积分数达到了58.21%.经OM、XRD分析表明,镁液渗透均匀,复合材料内部组织致密,无明显的孔洞及夹杂等铸造缺陷. 相似文献
992.
军用飞机驾驶舱中飞行员上肢可达性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
描述了获取上肢可达区数据的测量方法,并建立了可达区分析模型;以座椅参考点为坐标原点,采用坐标变换的方法将美国军用飞机飞行员的上肢可达区数据转换成中国歼(强)击机飞行员上肢可达区的近似数据;按照国家军用标准的规定,建立了座舱可达区的三种分析模型;借助建立的模型对某型号军用飞机电子化驾驶舱中的部分控制器的可达性进行了分析;最后利用军用飞机进行了实际检测,检测结果验证了可达区分析模型的正确性. 相似文献
993.
PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
使用常规的PECVD(等离子体增强化学汽相沉积)沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜,并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料的纳米硅薄膜的压阻特性,测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数K,其值可以达到80,退火后K值会增加,电阻随压力呈良好的线性关系,但有较大滞后,并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析。本文对nc-Si:H薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。 相似文献
994.
995.
采用金相显微镜、推力分析仪等测试手段研究了石英安瓿内壁镀碳工艺对所镀碳膜的表面形貌、碳膜和石英安瓿结合力的影响。获得了一个较佳的镀碳工艺,即在气体流量为600 ml/min,镀碳温度在1060℃~1100℃之间,镀碳时间为30 min,冷却时间为11 h的条件下可获得均匀、致密而且与石英安瓿内壁结合牢固的碳膜层。采用该工艺镀膜的石英安瓿生长的AgGaS2晶体完整,表面光洁透明,位错密度低,约为6×104cm-2。 相似文献
996.
对主电桥预移相恒温热线(膜)流速计动态响应方程调节元参量的解析解,及利用本线路模型理论,设计新型 HWFA 的若干原则作了阐述。根据这些原则研制的IFA-900型智能流速计系统,革除了传统 HWFA 所必需的三个调节参量,使用简单,操作方便;频带宽,稳定性好,动态性能有重大改进;软件功能强,智能化功能多,自动化程度有很大提高。 相似文献
997.
在比较和分析现有的无膜激波管之后,设计了以活塞控制驱动的无膜激波管,进行了理论分析、结构设计、工程估算等方面的工作,最后进行调试并给出了调试结果。 相似文献
998.
一种电离层物理模型及其在F1谷区形成讨论中的应用 总被引:5,自引:2,他引:5
在电离层F区考虑了三种中性成分的4种离子(O~+、No~+、N_2~+和O_2~+),从严格的电子和离子密度连续方程出发,由中性风所满足的动力学方程和离子运动方程解出水平中性风,从而得到离子垂直漂移速度,由此建立了一种电离层的物理模式;并用此模式,针对我国中、低纬(116°E,30°N)地区,讨论了光化学作用对F_1层的影响和动力学效应在F层中的作用。着重讨论由水平中性风引起的离子垂直漂移运动对F_1谷区的影响。结果表明:在光化平衡模式下,E区明显形成。在太阳活动低年夏季可产生明显的F_1“凸缘”。但仅靠光化平衡作用不能产生深的F_1谷区,也不能解释F_2层的形成;双极扩散是F_2层形成的主要机制;中性风的因素对E层影响不大,却可以在太阳活动低年夏季产生谷深在0.05—0.1的深F_1谷区。用此模式还计算了F_1谷区日变化,结果表明:中性风影响模式能较好地反映我国中低纬地区F_1谷区变化的地域特征。 相似文献
999.
圆柱体绕流尾迹的PIV测量 总被引:2,自引:0,他引:2
PIV是一种先进的流场定量测量技术,在生产性风洞中的应用前景非常广泛。利用PIV测量技术,采用双CCD摄像机在EL-5低速生产性风洞中对不同的雷诺数Re下圆柱体绕流尾迹进行定量的测量,给出了圆柱体绕流尾迹的瞬时速度场、涡量场和流场的流线图。通过测量发现剪切层的相互作用是圆柱体绕流尾迹区旋涡形成和脱落的重要因素,并直接验证了Gerrard的绕流尾迹理论;在雷诺数Re=104-105范围内,随着雷诺数的增大圆柱绕流近尾迹区旋涡形成区域长度在逐渐缩短。 相似文献
1000.