喷嘴挡板式电液伺服阀制造技术创新研究

喷嘴挡板式电液伺服阀是液压系统实现控制功能的常用元件,本文通过在某型号伺服阀产品工艺流程、关键零组件/工序工艺方法、工艺文件等方面进行超出传统方式的改进和试验,完成了其制造技术的创新性实践研究,优化了该类电液伺服阀生产模式,提升了生产效率和能力.     

一种基于MBD的部件装配工艺设计辅助系统

介绍了MBD模式下装配信息的表达特点,并针对这些特点,在Visual Studio2005平台下,利用CAA技术对CATIA进行二次开发,开发出部件装配工艺设计辅助系统.该系统方便、实用,为部件装配工艺设计所需信息提供快速、准确、规范的提取手段,提高了装配工艺设计的数字化水平.     

数值模拟技术在热压罐工艺中的应用

随着复合材料和计算机技术的发展,数值模拟技术在复合材料工艺仿真中的应用也日益明显.总结分析了数值模拟技术在复合材料热压罐工艺中的研究进展,包括热压罐内流场仿真、固化放热控制、固化变形预测,以及热隔膜成型过程仿真的应用前景.随着大数据和复合材料自动化、智能化的发展,发展数值模拟技术是大势所趋.     

不同冶炼工艺对1Cr18Ni10Ti钢夹杂物的影响

通过试验研究了1Cr18Ni10Ti不锈钢的4种冶炼工艺:真空感应+电渣重熔、真空感应(陶瓷过滤器)、真空感应(陶瓷过滤器)+电渣重熔、真空感应+真空自耗,得到钢锭中夹杂物的种类、大小以及数量的变化.对比试验结果可知,采用真空感应(陶瓷过滤器)冶炼工艺与真空感应+真空自耗之后的钢锭的夹杂物水平相当,D类夹杂物数量最少,大颗粒夹杂物占比也最小.     

丝束张力对自动铺丝成型工艺的影响

为获得良好的铺丝成型质量,通过理论分析和实际铺放实验,从送丝质量和铺放质量两个角度出发,研究了丝束张力对自动铺丝成型工艺的影响。送丝实验发现,丝束张力的大小对送丝精度和送丝可靠性影响显著;铺放实验发现,过大或过小的丝束张力都会导致铺放质量的下降,铺放过程中丝束张力维持在合理的范围内;基于铺放过程中预浸丝束的受力分析,探究了不同铺放条件下铺放张力对铺放质量的影响,讨论了影响丝束张力取值范围的因素,建立了丝束张力取值范围的计算公式并对该公式的合理性进行了实验性验证。最终得出结论,丝束张力是自动铺丝成型工艺的重要工艺参数之一,铺放中丝束张力的取值应随曲面形状和铺放轨迹的改变而调整,并与其他铺放工艺参数相匹配以实现铺放质量的最优化。     

耐４２０℃聚酰亚胺复合材料成型工艺

通过对耐420℃聚酰亚胺树脂的化学反应特性、流变性能分析以及加压时机和压力大小等成型工艺参数对复合材料性能的影响,确定了最优的复合材料成型工艺。同时采用超声水穿透法对制得的复合材料进行超声检测,并结合金相显微镜分析讨论了衰减比例与孔隙率之间的关系,确定了超声检测参数。结果表明:分段阶梯加压,可有效控制复合材料的树脂含量和孔隙率,选用5 MHz探头、15 d B增益的超声水穿透检测参数可有效评判2~3 mm厚复合材料的成型质量。研制的聚酰亚胺复合材料在420℃的弯曲强度保持率为65%,弯曲模量保持率为89%,表现出良好的高温性能。     

改进的风险优先数(RPN)分析方法

针对工艺故障模式影响分析(PFMEA,Process Failure Modes and Effects Analysis)中风险优先数(RPN,Risk Priority Number)分析方法存在的缺陷,在分析导致这些缺陷的原因的基础上,提出了一种基于费用及发生概率的定性与定量相结合的RPN分析方法.该方法中定性分析部分以传统RPN分析方法中的严酷度等级评价为基础,对工艺故障模式的严酷度等级进行评价;定量分析部分以故障模式发生后导致的费用损失的期望值作为RPN值.改进后的RPN分析方法中,定量化的数据使得风险排序更为客观、准确.最后,使用改进后的RPN分析方法对相控阵雷达中某组件的滤波器装配工艺进行了PFMEA分析,取得了良好的效果.      

响应面法优化牡蛎复合酶水解工艺研究

采用响应面法优化牡蛎的复合酶水解工艺.结果表明：中性蛋白酶与风味蛋白酶按照2∶1复配,在水解温度40℃,水解时间5.68h,水解pH值7.0条件下,牡蛎蛋白水解度可达到32.24%,水解效果最优.验证试验表明,实际蛋白质的水解度与模型预测值相近,因此采用响应面法优化牡蛎酶解工艺,准确可靠.     

130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究

针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态（SET）的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递（LET）值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制。重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双（多）峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律。此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同。当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲。分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因。