机械制图中尺寸标注的常见错误

例举了机械制图中常见的几种错误尺寸标注，并指出了错误原因和正确标注方法．     

典型卫星轨道的位移损伤剂量计算与分析

位移损伤剂量是评估电子元器件在轨发生位移损伤导致性能退化的重要参数。文章首先给出了位移损伤剂量的等效原理和计算方法,即用位移损伤等效注量来表征卫星轨道带电粒子导致的位移损伤剂量;之后分别采用3种不同的太阳质子注量模型,计算了典型大椭圆轨道的位移损伤等效注量,并结合计算结果对不同模型的特点和适用性进行了分析;其后针对4种典型卫星轨道,计算了不同飞行寿命期内的位移损伤等效注量,发现不同轨道的位移损伤剂量有较大差异,并结合空间带电粒子辐射环境分布特点及卫星轨道参数等分析了差异的产生原因;最后,分析不同的太阳质子注量预估方法对位移损伤剂量计算结果的影响,总结了不同轨道、不同飞行寿命情况下卫星经受的带电粒子辐射环境的严酷程度。研究结果可为卫星内部元器件位移损伤效应防护工作提供参考。     

浆料固相含量对多孔氮化硅陶瓷结构和性能的影响

以琼脂糖作为凝胶物质,采用凝胶注模工艺制备了多孔氮化硅陶瓷,通过改变浆料的固相含量,制备了不同性能的多孔氮化硅陶瓷.结果表明,随着浆料的固相含量从35vol％增加到45vol％,材料的气孔率从57.6％减小至40.8％,弯曲强度从96 MPa增加到178 MPa;大量的长棒状β-Si3N4晶粒从孔壁上生长出来,将气孔填充,其生长方式为溶解-沉淀-析出与气-液-固两种生长机制协同作用的结果.长棒状的氮化硅晶须和恰当的界面结合强度是多孔氮化硅陶瓷具有较高强度的主要原因.     

交错磁场聚焦带状电子注的研究

带状电子注在均匀磁场作用下传输时,很容易形成Diocotron不稳定性,导致电子注在传输过程中产生逐渐的崩溃。文章采用交错排列的磁堆形成的PCM磁场聚焦半无限带状电子注,分析了PCM磁场聚焦半无限带状注的作用机理,得出半无限带状电子注在PCM磁场作用下的包络方程（Matthieu方程）。结合理论分析,使用三维粒子模拟程序模拟了PCM磁场对半无限带状电子注的聚焦,详细研究了PCM磁场的部分参数对电子注传输的影响,并对模拟结果进行了分析。     

陀螺环支座精铸模具设计及应用

利用蜡料的可焊接性,将陀螺环支座蜡模进行合理的分割,通过蜡模各部分之间自带的定位关系,将蜡模组合在一起。分割后的零件模具,设计、加工简单,生产周期短。零件的组合简便,定位可靠,能够保证设计图纸的形状、尺寸要求。     

最佳PCM群同步码的最新发展成果

在遥测、遥控、遥感和数字通讯等PCM信息传输系统中,群同步(含字同步、帧同步、格式同步)十分重要,同步的优化取决于同步码的优化和良好的检测手段,而以前者为主。群同步码的最佳化可以提高系统的抗干扰能力,减少指令错漏和数据错误或丢失等等。该文找出N=31～42位最佳PCM群同步码,指出它们在E=0～5时的误同步概率、列表给出有关字长、码组图样、误同步概率的详细结果。     

（20～400）MeV准单能中子参考辐射场的建立方法CSCD

为了满足对高能中子辐射场测量仪器进行校准的需要,必需建立20MeV以上的准单能中子参考辐射场.对国际上（20～400） MeV准单能中子参考辐射场的建立情况及建立方法进行了调研,可通过7Li（p,n）7Be反应获得该能区准单能中子场,中子束流轮廓可通过转换体和影像板进行测量,辐射场中子能谱可利用液体闪烁探测器或者238U裂变电离室通过飞行时间法进行测量,可建立高效率的反冲质子望远镜作为该能区的中子注量测量初级标准.     

注装梯恩梯(TNT)装药冲击Hugoniot参数的实验测定

本文利用一级轻气炮实验技术，对注装梯恩梯药进行了高应变率下的动态冲击实验，对实验方法进行了改进，设计了一种新型的轻气炮延伸炮管。根据实验数据结果，得到了注装ＴＮＴ装药的冲击Ｈｕｇｏｎｉｏｔ参数。     

三角形耦合本振阵列天线波束形成技术

以对称三角形耦合振荡器阵列为本振阵列,分析了耦合本振振荡器的相位控制原理,推导了耦合本振稳定同步形成均匀的平面相位分布,且反对称地调节边界单元的自由振荡频率,可改变本振信号的线性相位分布,确定了加权矢量,得出波束形成方向图,并通过仿真验证了三角形耦合本振阵列天线阵接收波束形成的可行性。