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141.
通过放电等离子烧结(SPS)技术制备了不同石墨烯含量的7075铝合金基复合材料,测试了石墨烯含量对复合材料力学性能的影响。结果表明,铝基复合材料的硬度、压缩强度、屈服强度均随石墨烯的加入而增加,在石墨烯质量分数达到1.0%时获得最大值;石墨烯与金属之间的界面为纯净的冶金结合,石墨烯与金属原子之间为原子扩散连接;SPS烧结过程中未形成有害的Al_4C_3相;随着石墨烯含量的进一步增加(达到3.0%~5.0%),铝基复合材料的力学性能反而会随石墨烯的增加而不断恶化,石墨烯含量的持续增加会使石墨烯片层间的团聚愈发严重,这是复合材料力学性能不断恶化的主要原因。 相似文献
142.
在脉冲频率为50、250、500、750、1 000 Hz的条件下,应用微弧氧化(MAO)技术在7050高强铝合金表面制备了陶瓷膜层,并采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电化学工作站、摩擦磨损试验机等手段分别对陶瓷膜的表面形貌、相组成、耐腐蚀性、耐磨性等进行分析。结果表明,当脉冲频率过低时,MAO陶瓷膜层表面粗糙,影响膜层致密性;而当脉冲频率过高时,则不利于MAO陶瓷膜层生长,所得的膜层耐蚀性和耐磨性较差。当脉冲频率为250 Hz时,所制备的膜层具有最佳的耐磨性及耐蚀性。 相似文献
143.
采用真空电弧离子镀技术在单晶高温合金DD32上制备HY5金属粘结层,通过振动光饰、吹砂2种不同的表面处理方法改变粘结层表面状态,再在粘结层表面利用电子束物理气相沉积技术制备陶瓷层。研究了不同处理方法对粘结层表面状态的影响;测试了不同表面处理方法下制备的热障涂层的高温氧化性能并对比分析了它们的变化规律。此外,探讨了不同表面处理方法对界面元素成分及失效特征的影响。研究结果表明,通过表面处理可以去除粘结层表面较大的凸起,提高表面平整度,提高热障涂层抗氧化性能。与粗糙界面相比,光滑界面形成的TGO层均匀致密,Al含量高。经长时间的高温氧化后,粗糙界面的TGO层出现明显皱曲现象,陶瓷层开裂剥落。 相似文献
144.
145.
146.
光推进是将光能转换为动能的一种推进方式,石墨烯材料具有独特的光电特性,为光推进技术发展提供了重要前提。文章介绍了石墨烯光推进技术发展,讨论了石墨烯光推进的电子射流、Knudsen力、激光烧蚀三种作用机理假设,分别计算了电子射流及Knudsen力产生推力的数量级,认为Knudsen力更有可能是光产生驱动现象的原因。针对Knudsen力这一假设,采用悬丝摆动的微小力测量方法,表征了石墨烯海绵表面受激光照射一侧和未被照射一侧的表面温度,两侧表面形成了显著的温差,热量主要在受照射的一侧表面聚集;讨论了真空度等参数对光驱动力大小产生的影响。结果表明,石墨烯光驱动力在微牛量级,低真空度(1~10 Pa)是产生光驱动力的适宜环境,热效应在光驱动里中占据主导作用,间接表明了石墨烯光驱动力主要来自于Knudsen力的可能性。 相似文献
147.
飞机电气化、信息化程度的不断提高,对航空电缆提出了更高的要求,常规铝导体的性能不能满足新型航空电缆对轻质、高强、高导电性能的需求。石墨烯具备极高的强度和导电率,是理想的高强高导改性材料。首先对比了现有电工铝和电工铜在力学性能和导电率上的差距;随后讨论了石墨烯优异的力学和电学性能;最后综述了石墨烯在改善铝基体力学性能和电学性能方面的研究进展。结果表明,采用粉末冶金、连铸连轧等制备工艺,石墨烯能有效提高铝基体的拉伸强度,同时有望保持延伸率不降低,但也会使导电率降低0.5%~4%;只有实现石墨烯在铝基体中的连续分布,才能充分发挥出石墨烯高导电率的优势,提高铝基体的电学性能。采用粉末冶金和连铸连轧等工艺手段,牺牲少量导电率,通过石墨烯大幅提高铝导体的力学性能,从而满足航空电缆的相关需求,将具备广阔的应用前景。 相似文献
148.
《南昌航空工业学院学报》2021,35(1)
综述了近年来国内外关于氧化处理法、表面涂层法、等离子体处理法对CF本体性能、CFRP力学性能的影响研究进展,分析了不同处理法改性CF对CFRP力学性能的作用机制、改性效果和优缺点。指出了近年来国内外研究存在的问题和今后的发展趋势,推动高性能CFRP在航空航天领域进一步应用,为今后研究者进一步研发和生产新型复合材料、改进CFRP综合性能提供完整的数据信息和理论依据。 相似文献
149.
H3PO4+C6H11NaO7体系中钛合金阳极氧化着色工艺研究 总被引:8,自引:0,他引:8
作者在H3PO4+C6H11NaO7体系中对TC10、TC3、TC1、TA2阳极氧化均能得到丰富色彩。研究表明,钛材的成分、电压、pH值、升压方式、氧化时间等对阳极氧化膜的颜色都有一定的影响,电压是影响氧化膜颜色的主要因素。此外,稀土元素铈和双氧水的加入能提高膜层的耐蚀性。 相似文献
150.
采用管式炉对直接烧结SiC在1200℃、1300℃和1400℃静止空气气氛下分别氧化1 h、5 h、12 h、24 h,使用热重分析仪分析质量变化曲线,用掠入射X射线衍射仪、场发射扫描电镜以及能谱仪表征氧化产物,揭示氧化机理;使用分子动力学软件LAMMPS在反应力场下模拟SiC的氧化行为。实验结果显示:直接烧结SiC的氧化遵循抛物线氧化规律,即氧化过程是由氧气向内扩散控制的,氧化过程可分为3个阶段;氧化层的形貌从最初的无定形SiO2转变成球晶状SiO2并伴随氧化速率的降低;随氧化时间的进一步增加,球晶特征转化为细晶结构并伴随氧化速率的升高;SiO2结构转变以及氧化速率的改变与O2通过氧化层的特定扩散形式有关。分子动力学模拟表明:6H-SiC的氧化是由O2向内扩散控制的;6H-SiC高温氧化反应生成SiO2的同时伴随着C元素向内聚积,C与O2反应生成CO与CO2,最终以气泡的形式逸出。 相似文献