利用PIV方法测量半浮区液桥热毛细对流的速度场

利用PIV法对硅油液桥热毛细对流的定常速度场进行了实时测量。为了便于测量,液桥上桥端面采取了铜环中嵌透明材料的方法,从液桥的顶部进行观测。当液桥上下桥有温差时,热毛细对流出现;本实验对于不同上下桥的温差,对液桥横剖面内的速度场分别进行了测量,研究外加温差对于流场速度分布的影响;并且在液桥中取了几个典型横截面进行测量,以期对大Pr数液桥的定常速度场有比较全面的定量测量。此外,实验结果也可作为数值模拟计算结果的验证。     

南昌机场登机桥固定廊道热工分析和空调设计

登机桥作为连接飞机与候机楼的桥梁,为进出机场的旅客提供全天候、舒适和安全的行走空间,同时也为不同的机场规划和机坪布置提供经济、灵活的解决方案,提高了机场的运行效率和航站楼的服务水平。现在我国大、中型机场多采用不低于70％的近机位布置,按此原则也加大了对登机桥的需求。     

基于航空公司视角对千万级机场航班近机位靠桥率的思考与建议

近机位靠桥率是衡量机场运营效率和服务质量的重要指标之一。本文从航空公司的视角出发,解读民航局机场司《关于提升千万级机场航班近机位靠桥率的指导意见》文件要求,通过对某航司航班时刻、各机场廊桥设施资源、机位分配管控、机场保障流程等影响靠桥率的因素进行分析,提出了基于大数据的廊桥资源管理与智能航班计划编排、基于数据共享的航司靠桥率管控、创新产品应用提升拖曳自滑能力等创新性建议,为机场航司协同配合,实现持续提升航班近机位靠桥率和航班运营效率提供可参考的借鉴思路。     

桥函数在数据保密中的应用

本文提出了一种密钥量极大,新的分组密码体制。它是由置换和不进位的桥函数变换适当组合构成的。这种体制实现起来比较容易,而且保密性能强。     

跨流区超低轨航天器快速气动力计算方法

超低轨飞行器常工作在过渡流区中,过渡流区中气动特性多变,建模困难,目前缺少较好的快速气动力计算方法。在面元法的基础上,提出了设计迎风单元筛选算法与logistics-log桥函数,对连续流区与自由流区结果进行加权,实现超低轨卫星的气动力估算。在方法验证中,对圆柱与钝头双楔体在宽努森数(Kn)范围下的气动力进行测算,发现结果与直接模拟蒙特卡洛法(DSMC)数据一致。对典型超低轨飞行器地球重力场和海洋环流探测卫星(GOCE)的气动力进行分析,发现GOCE随着姿态变化阻力变化明显,需要舵面或陀螺仪进行姿态控制;在不同高度下的阻力量级变化大,在超低轨运行时需要动力系统维持高度。     

一类新型智能码序列的相关函数研究

智能码的生成方法和特性研究是当前移动通信中重点研究的关键技术之一。文中介绍一类特殊的智能码———桥函数序列。给出桥函数序列的几种特殊生成方式。研究桥函数序列的自相关和互相关函数特性,得到一类具有零自相关窗的桥函数序列和一类互相关函数恒为零的桥函数序列族。最后给出q=8和k=2时对应的一类智能码———桥函数序列族,它由64个不同的长度均为256的离散桥函数序列组成。这类桥函数序列族可望在移动通信CDMA中得到应用。     

先复制后移位桥函数的性质

在文[3]中,首次引入了桥函数的定义,它是先移位后复制产生的。在此基础上,文[4]提出了先复制后移位桥函数。初步研究表明,第二类桥函数在数学表达式等方面优于第一类桥函数。     

基于大功率电子枪的阴极加热控制系统的设计

以电子枪阴极灯丝加热电流为研究对象,建立一套可靠、稳定的阴极加热控制系统.相对于传统采用可控硅控制的单相交流调压电路,该电源的设计基于PWM电流控制芯片SG3525,采用恒频脉宽调制控制方式,自动调整输出功率得到稳定的电流输出.充分满足了阴极灯丝所需的低电压、大电流、加热速度快的特性要求.     

移动登机桥举升机构设计

移动登机桥举升叉架受力分析计算,突破叉架结构的传统手工计算。借助于现代设计方法,在初步确定该结构的参数基础上,采用SolidWorks软件三维建模,通过COSMOSMotion插件对其工作机构进行运动学仿真;在COSMOSworks模块中,按照实际工况对模型进行约束及加栽、划分网格等操作,进行机构的结构有限元分析,校核该机构的结构参数,提高了举升叉架的设计效率和安全可靠性。通过实地试验,验证该机构参数的合理性及该方法的可信度。     

Z-pinned复合材料层板Ⅰ型裂纹的疲劳扩展

用数值模拟方法研究z-pin增强复合材料DCB层压板Ⅰ型裂纹的疲劳扩展问题。在理论模型中，将z-pin简化为一系列施加在DCB层板上的外力，这些力在裂纹扩展中对裂纹提供桥接力。基于试验观察，桥接力随疲劳载荷的衰减规律可假设为一个分一。段的幂函数。用一个指数函数表示复合材料DCB层板疲劳断裂韧性与疲劳循环次数的关系，并将此作为裂纹扩展的判据。分析结果表明，无论是位移控制模式还是载荷控制模式，z—pin可以有效地降低分层扩展速率。还就z—pin密度，z-pin大小等参数进行了分析研究。