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151.
转台速率波动原因分析及一种自适应抑制方法探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
对导致惯导测试与运动仿真转台速率波动的原因进行了探讨,分析了它们对转台速率波动的影响,并在此基础上提出了一种针对位置传感器周期性误差的速率波动自适应抑制方法。 相似文献
152.
给出了一种利用非线性观测器方法能够同时估计出来所需要的迎角和侧滑角参数,研究了非线性观测器原理及其反馈参数优化设计方法,得到了所需要的非线性观测器,最后通过仿真验证表明该方法具有很高的精度且易于实现。 相似文献
153.
变攻角下低压涡轮导向器二次流的实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在低速扇形叶栅风洞上,对五种攻角下的某型低压涡轮导向器原型和改型叶栅进行了实验研究,详细测量了各攻角下叶栅流道内的流场,分析了二次流发生和发展的过程以及攻角对其的影响,并通过改型和原型叶栅的对比,讨论了减少二次流损失的机理.结果表明,改型叶栅有效地降低了端壁横向压力梯度和前缘逆压梯度,抑制了边界层增厚和分离,从而控制了漩涡的生成和发展,削弱了通道涡的强度和尺度,使得二次流损失减少. 相似文献
154.
刘丽 《沈阳航空工业学院学报》2005,22(1):63-65
介绍一种以AT89C55/51单片机为核心的主从机船舶位置控制系统。驾驶员在船长室通过键盘给定理想航向信号,选择航向传感器一电罗经测出实际航向信号,将这两个信号进行运算和处理,然后发出理想的舵偏转角信号给从机。从机安装在舵机所在现场,由精密电位器测出实际的航角信号,从机将其与理想的舵角信号进行比较,并发出控制步进电机转动的信号,从而系统快速可靠地实现船舶位置的串级控制。主从机之间的通信以RS-422标准实现。文中介绍了该系统的结构,详细分析系统原理并给出软件框图。 相似文献
155.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
156.
锪窝孔边扇形角裂纹应力强度因子的三维有限元分析 总被引:2,自引:0,他引:2
根据航空等领域内锪窝铆接及锪窝锣接构件的典型结构特征,采用三维的十节点四面体等参有限单元模型,分别对无裂纹及孔边含裂纹锪窝孔 /直通孔结构进行了模拟分析;得到了锪窝孔构件的危险部位及90°,120°锪窝孔边扇形角裂纹的应力强度因子,给出了覆盖面广的计算曲线;通过对计算结果的分析,讨论了裂纹长度、孔径以及板厚等因素对应力强度因子的影响。和已有的文献比较表明,本文数值结果精确,方法可靠。 相似文献
157.
蓝新艳%王应德%薛金根%王鲁 《宇航材料工艺》2005,35(1):35-38
采用自制单孔熔融纺丝系统,对熔融纺丝状态时聚碳硅烷(PCS)的流变特性展开了研究。结 果表明:PCS熔融纺丝时,喷丝板孔道中的剪切速率在102~104s-1之间;PCS熔体为切力变稀流体;非牛顿 指数n为0.6~0.95;黏流活化能Eη约为190~230kJ/mol,是一般成纤高聚物的2~5倍。表观黏度η为 20~60Pa·s,对温度变化非常敏感,可纺温区很窄。 相似文献
158.
张中伟%王俊山%许正辉%李承新 《宇航材料工艺》2005,35(2):42-46
提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力. 相似文献
159.
郝雷%刁训刚%顾宝霞%王天民 《宇航材料工艺》2008,38(2):26-29
采用多弧离子镀制备了多彩Al/TiNO(掺氮TiO2)薄膜,利用SEM观察了薄膜的表面、断面形貌,并测量了其膜厚.采用XRD研究了薄膜的相结构.利用紫外一可见分光光度计研究了TiNO膜的可见光谱特性,用红外比辐射率测量仪测量了样品的红外发射率.结果表明:在不改变Al箔在8~14 um波段低红外发射率的情况下,实现了其物理着色.所得薄膜为锐钛矿型TiO2结构,薄膜表面平整、致密,结合力较好.TiNO薄膜呈明显柱状生长,薄膜试样表面未出现明显缺陷,薄膜表面致密,柱状颗粒生长完好.TiNO薄膜的沉积速率达120 nm/min. 相似文献
160.
采用Gleeble-1500热模拟机研究了TC11合金在800~1 050℃、应变速率0.005~5/s条件下的高温变形行为.根据动力学分析,确定了不同温度区间的热激活能和热变形方程.结合变形微观组织观察确定了TC11合金的高温变形机制.结果显示:TC11合金在(α β)两相区和β相区的热变形激活能分别为285.38和141.98 kJ/mol,表明不同温度区间的热变形机理不同;在两相区变形主要发生片状组织的球化,在β相区变形时低应变速率下(0.005~0.05/s)主要发生β相的动态再结晶,高应变速率下(0.05~5/s)主要发生动态回复.研究结果为确定该合金的最佳变形工艺参数提供了理论依据. 相似文献