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81.
优化方法在轴流压气机转子叶片气动设计中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
尝试将数值最优化方法应用于压气机叶片气动设计。针对一台高压比、小流量轴流压气机转子,采用任意回转面叶型优化设计和三维叶片优化设计,实现了达到给定压比、流量前提下较高效率和较大稳定工作范围。研究结果表明:转子叶片通道内流动可采用S1/S2两类流面近似,采用S1/S2两类流面设计方法可得到气动性能较好的转子;以叶型积叠线、安装角及子午面流道作为设计变量,采用三维叶片优化方法可进一步提高转子气动性能。 相似文献
82.
83.
84.
85.
高负荷吸附式压气机叶栅开槽方案实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在低速条件下对三种吸气槽方案的高负荷吸附式压气机叶栅进行了详细的实验研究.通过墨迹流场显示法对叶栅壁面流场进行了测量,利用五孔气动探针对叶栅出口截面进行了扫掠,并对不同叶高的型面静压进行了采集,详细分析了全叶高吸气方式和两种局部吸气方式对叶栅流场结构和负荷能力的影响.结果表明,采用吸力面两端吸气对抑制角区分离流动、减弱通道涡强度和尺度、提高叶栅内流动性能的效果要优于其它两种方式,积聚在角区的低能流体由于较大的吸气量而被大量吸除是性能改善的关键. 相似文献
86.
在平面透平叶栅风洞中,测量了一种典型透平静叶型直叶片叶栅和叶片弯曲角分别为-10°、-20°的反弯曲叶片叶栅的出口流场和叶片表面静压.定量地分析了叶片反弯曲对叶栅出口二次流、总压损失和气流角的影响,并探讨了叶片反弯曲作用的机理.结果表明:叶片反弯曲在叶片表面特别是吸力面建立了反"C"形压力分布,它是引起叶栅性能和流场变化的主要原因,但叶片反弯曲不能改善叶栅的气动性能. 相似文献
87.
亚音压气机平面叶栅内流动的声激励试验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
针对非定常两代流型理论的验证展开了大量的试验研究工作.为了简化同时又能抓住问题的本质,试验研究首先从平面叶栅风洞上起步.在测得各个工况下叶栅后旋涡脱落特征频率的基础上,采用声激励的试验手段,系统研究了非定常扰动之间的相互作用.通过加激励前后总压损失的对比、流场特征参数频谱图的对比和具体气动参数的对比,证实了合理组织各个非定常扰动的相互作用可以提升叶栅的气动性能,说明了"非定常耦合流型"在叶轮机中存在的可能性. 相似文献
88.
考虑离子极化漂移中非线性项对动力学Alfven孤波特性的影响,采用双流体模型研究磁化等离子体中低频动力学Alfven稀疏型孤波的特性,所得的结果表明,两种类型的动力学Alfven稀疏型孤波在磁层中大范围内均存在(参数β约为10^-6,0,1,β为等离子体的热压之磁压之比,即β=20μ0nT/B0^2),它们或以超Alfven速或以亚Alfven速传播。同时发现在β值较小(10^-6-10^-4)时,离子极化漂移非线性项对动力学Alfven孤波特性有较大的影响,不可忽略,而在较大值时(β-0.1),此修正作用不大,由于动力学Alfven孤波允许平行电场存在,故它对等离子体中带电粒子的加速和能化起重要作用。同时也对离子的横向加速有一定的作用,它使一种新的能量转换机制成为可能。 相似文献
89.
设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。 相似文献
90.
用矢通量分裂法求解N-S方程和Euler方程,对超音通流风扇叶栅流场进行了数值模拟,由计算结果给出的物理图象表明,叶栅通道内没有强激波,亦未出现分离回流,全叶栅流场均为超音速,说明计算的两种叶型符合设计要求,其性能有待实验检验。 相似文献