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281.
本文介绍了一种用于对1000MPa 以下的高压传感器进行动态特性标定的水激波管装置,装置内径30mm,管长550mm,用叠氮化铅点火头为爆源,用 PVF_2压电薄膜做成色散压杆传感器监测其压力波形。利用该装置对二种不同原理的高压传感器进行了动态标定试验,得到了初步的频率响应特性的试验结果。  相似文献   
282.
对不锈钢基体上离子束混合沉积的C-SiC涂层进行了H^ 辐照模拟试验,由SIMS测量H^ 辐照前后氢的浓试分布,采用沟电子能谱(XPS)对H^ 辐照前后涂层元素C和Si进行了内层电子结合能的测量分析,研究C及Si的化学键态的变化与H的关系,探讨SiC涂层阻氢机理。  相似文献   
283.
为应对长时间、高频响、高热流密度条件下的热流密度测试要求,通过热沉体设计发展了一种新型热阻式薄膜热电堆热流传感器,并利用对比标定的方法、采用辐射标定方式确定各个此类型传感器的灵敏度系数。标定实验数据表明:该类型热流传感器的灵敏度系数与感应面温度相关,且在高于一定温度之上校正关系式不同于以往的线性关系而呈现出二次非线性关系。通过分析可知:呈现出二次非线性校正关系式的原因主要是依赖于温度的热阻层导热系数以及薄膜热电偶Seebeck 系数。实验数据以及分析结果为该类型热流传感器的标定和优化设计提供了参考,同时确保了该类型热流传感器在使用过程中获得准确、可靠的热流测试数据。  相似文献   
284.
李明 《航天电子对抗》2013,(1):39-41,44
根据最新研究情况,论述了新型天线技术的发展现状。液体天线用离子液体或液态金属等构成天线,构造灵活,使用场合广泛;铁电材料通过可调的高介电常数特性获得辐射特性可变的天线;而薄膜天线依托柔性材料技术的进步,易于制作轻质复杂的天线,适用于航空航天领域;集成化的桅杆天线是提高舰船整个平台性能的主要途径之一,有的技术已用在新建造的舰船上;异向介质和超材料透镜天线,具有体积小、增益高的特点,特别适用于情报侦察领域。  相似文献   
285.
航天器表面瞬态测温用薄膜热电偶的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据航天器表面测温的需要,研制了一种K型(NiCr-NiSi)薄膜热电偶。该型热电偶采用射频磁控溅射技术在针型高温陶瓷基体上制备薄膜热电偶,其热电偶结点厚度为微米级,能够与航天器表面有效贴合,实现航天器表面的瞬态高温测量。通过物理试验验证,该型薄膜热电偶测量最高温度能够达到800℃,测量相对误差在±0.5%以内,满足返回式航天器表面高温的瞬态测温需求。  相似文献   
286.
以PZC为有机锆先驱体原材料,采用A,B,C三种PIP工艺路线制备了不同ZrC含量的C/Si C-ZrC复合材料,并对C/Si C-ZrC复合材料的组成、微观结构、力学性能、烧蚀性能及作用机理进行了测试和分析。结果表明,有机锆先驱体制备的C/Si C-ZrC复合材料烧蚀性能有大幅提高,但其力学性能却存在一定程度的下降,并且随着ZrC含量的增加,C/SiC复合材料的力学性能呈现出逐渐降低的趋势,其质量烧蚀率和线烧蚀率呈现出先减小后增大的趋势。  相似文献   
287.
新型星用导电型Kapton基热控材料   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种新型导电型Kapton基热控材料,其导电层采用了TO(氧化锡)膜。这种TO膜具有很高的光学透明度,方阻在10^4Ω ̄10^6Ω范围内,可有效地抑制卫星表面的充放电现象。经过8200h太阳当量紫外辐照后,TO/Kapton/Al热控材料的αs相对变化率Δα3/α5仅为6.7%。在TO/Kapton与Kapton试样的8000h的紫外辐照对照实验中,表明TO膜具有明显的紫外辐射防护功能。在-  相似文献   
288.
289.
太阳帆航天器展开结构技术综述   总被引:1,自引:0,他引:1  
近年来,深空探测技术引起了世界各国的极大关注,太阳帆的出现使得降低深空探测的成本成为可能,这其中自旋展开的结构由于重量小,展开能耗低等优点引起许多学者的关注.本文对可展开太阳帆的发展概况,自旋展开结构中薄膜的折叠方式,薄膜材料的选择以及自旋展开结构地面试验研究现状进行了概述.  相似文献   
290.
Hydrogenated nanocrystalline silicon carbide (SIC) thin films were deposited on the single-crystal silicon substrate using the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) technique. The influences of magnetic field and hydrogen dilution ratio on the structures of SiC thin film were investigated with the atomic force microscopy (AFM), the Fourier transform infrared absorption (FTIR) and the transmission electron microscopy (TEM). The results indicate that the high plasma activity of the helicon wave mode proves to be a key factor to grow crystalline SiC thin films at a relative low substrate temperature. Also, the decrease in the grain sizes from the level of microcrystalline to that of nanocrystalline can be achieved by increasing the hydrogen dilution ratios. Transmission electron microscopy measurements reveal that the size of most nanocrystals in the film deposited under the higher hydrogen dilution ratios is smaller than the doubled Bohr radius of 3C-SiC (approximately 5.4 nm), and the light emission measurements also show a strong blue photoluminescence at the room temperature, which is considered to be caused by the quantum confinement effect of small-sized SiC nanocrystals.  相似文献   
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