薄膜充气管充气展开特性试验

用展开导轨消除因重力产生的摩擦力,在不同充气速率与初始展开角条件下对薄膜材料充气管的充气展开特性进行了试验研究,获得了展开角,以及展开加速度和内气压的变化规律。试验及分析结果表明:充气管的充气膨胀与展开相互独立,充气膨胀过程近似为等压增容过程,折叠部位的气压变化特性与整体气压变化特性差异明显。     

多孔氧化铝湿敏元件电特性机理的初步研究

本文阐述了多孔Al_2O_3薄膜湿敏元件的感湿机理及其电特性,提出Al_2O_3薄膜的感湿特性是以物理吸附为基础的,并基于这个模型,研究了表面导电机理和Al_2O_3的介电特性。通过理论计算得到了与实验结果相一致的C-RH、R-RH的关关系曲线,得到了元件感湿后电特性的变化是由于介电特性的变化引起的结论。在实验中,摸索到解决元件长期稳定性问题的工艺方法。     

Kevlar/Nomex蜂窝夹层结构表面粘贴镀铜箔聚酰亚胺薄膜的工艺研究

文章对Kevlar面板Nomex蜂窝夹层结构表面粘贴镀铜箔聚酰亚胺薄膜的工艺进行了研究,分析了工艺特点、工艺流程、工艺难点,以及针对工艺难点所采取的工艺措施,最后根据产品的研制情况给出结论。     

从应变计现状看电阻式传感器的前景

电阻式传感器的核心部件——电阻应变计是目前最常用的应力分析的敏感元件。也常用于测量力、压力、扭矩和加速度等物理量。作者简要回顾了电阻应变计的发展历史，介绍了电阻应变计的结构、分类及现状，展望了电阻式传感器的前景。     

关于薄膜反射镜成形机理的研究

聚酰亚胺薄膜反射镜是近几年发展起来的新概念。以Karman方程为基础讨论了薄膜反射镜的成型原理，分析了外载荷对薄膜反射镜面型的影响；给出了非线性耦合Karman方程的求解方法；以一种聚酰亚胺圆薄膜为例，用有限元法对Karman方程进行了数值求解，用zemike多项式拟合方法得到了圆薄膜在外载荷作用下的近似解析解，证明了把Karman方程解析解表示为多项式的合理性；用有限元法得到的不同外载荷作用下的薄膜的变形分析证明了通过控制外载荷的加载方式和载荷强度可以控制薄膜反射镜的面形，改善反射镜像差。     

用于薄膜技术的多功能高频溅射仪

介绍多功能高频溅射仪,这是一台具有自动气体流量控制和自动基片加热控制装置的三靶式磁控仪.它能进行基片加偏压溅射、反应溅射以及底溅射等,是目前国内较完善的薄膜制备设备.着重介绍他激振荡电源、磁控靶、传输线等设计特点;对影响溅射速率的因素以及两种特殊作用的溅射即衬底偏压溅射和衬底加热溅射作了讨论;最后介绍溅射的最新应用.     

灵敏度温度自补偿薄膜压力传感器的研制

溅射薄膜压力传感器具有长期稳定性好、耐高温等优点,但是由于受弹性体材料自身特性的影响,传感器的灵敏度温度误差大,大约在1.5×10-4~2×10-4/F.S℃,是导致传感器测量误差大的原因之一。在弹性体上设计加工灵敏度温度补偿电阻,使应变电阻和灵敏度温度误差补偿电阻可以在同一时间感受温度,比在后续电路上进行温度补偿,温度响应快。对灵敏度温度自补偿压力敏感元件进行设计与研制。实测结果表明,采用灵敏度温度自补偿工艺技术的敏感元件,灵敏度温度误差较小,可以控制在0.25×10-4/F.S℃以下,传感器的温度性能得到了提高。     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.