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61.
DD6镍基单晶合金气膜孔薄壁平板高温蠕变性能 总被引:1,自引:3,他引:1
采用气膜孔薄壁平板试样模拟冷却叶片,并与无气膜孔薄壁平板试样蠕变试验结果进行对比,研究了气膜孔对镍基单晶合金冷却叶片模拟试样高温持久断裂寿命的影响.试验结果表明:在950℃和377MPa条件下,无气膜孔薄壁平板试样的高温持久断裂寿命大约是气膜孔薄壁平板试样的2倍,扫描电镜(SEM)断口分析可以看出蠕变损伤首先发源于气膜孔周围并在气膜孔边缘开始起裂.基于晶体塑性理论建立单晶材料蠕变数值计算模型,将其编入Abaqus用户子程序中,对气膜孔和无气膜孔两种薄壁平板试样进行模拟分析.模拟结果显示在气膜孔周边存在应力集中和应力重分布,数值模拟分析结果与试样的断口表面形貌吻合.为便于工程应用,将高温持久断裂寿命与十二面体滑移系最大分切应力幅表达成指数关系,蠕变试验结果表明此式在该应力、温度条件下具有良好的精度. 相似文献
62.
63.
研究了磁流变液中水含量对KDP工件表面粗糙度的影响;通过在磁流变液循环系统中控制磁流变液的参数,实现了去除函数的稳定,为修形工艺奠定了基础;在自研的KDMRF-200磁流变机床上进行修形实验,口径为Φ75mm的KDP工件面形精度由0.936λ(PV)收敛到0.321λ(PV),低频误差明显改善。 相似文献
64.
针对航空发动机关键构件高温测试的技术难题,研究了1种用晶体作为传感器的测温技术,阐述了晶体的退火特性和缺陷观察方法,利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)增大,又随退火温度的升高,在700~1230℃呈线性规律的回复。基于此发展了1种适合测量高温和复杂温度场的技术方法。采用添加K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、后以及辐照后退火的SiC单晶进行位错腐蚀观察,结果表明:经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的1个重要因素。 相似文献
65.
66.
从分布式压电源声激发原理出发,分析了具有不同空间畴结构和激发方式的声激发问题;提出和证明了用上述晶体激发高频体声波的可能性,并导出用上述晶体做成高频、高转换效率的压电换能器的输入阻抗或导纳的解析表式,这种换能器工艺比较简单。 相似文献
67.
详细讨论了21.4MHz系列单片晶体滤波器的基本原理、设计方法、实验结果诸问题。特别是对八极点单片晶体滤波器。论述了不同电极形状和滤波器电气性能之间的关系。 相似文献
68.
简要评述了近几年来VHF/UHF晶体滤波器的进展,讨论了VHF/UHF谐振器的特点、VHF/UHF晶体滤波器的性能,以及SAW晶体滤波器和谐振器性能的比较。 相似文献
69.
叙述了500kHz全通型带阻晶体滤波器的设计原理,电路元件值的计算公式。通过实例描述了设计过程和调试方法。 相似文献
70.