晶体管h参数微变等电路的研究

晶体管h参数微变等效电路是电子技术中求解低频，小信号放大电路常有的分析方法，本文通过具体分析，将模拟放大电路进行了新的分类，并且明确而系统地给出运用微变等效电路求解各类模拟放大电路动态指标Av,ri和r0公式，解题难点及规律。     

高频大功率单端反激变换器的分析与应用

阐述了在过激工作状态下的单端反激变换器的计算方法，经验参数的选取原则，变压器结构特点，及特殊制造工艺．     

结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究

在分析了现行标准中晶体管稳态工作寿命试验方法存在问题的基础上,认为在现行的稳态工作寿命试验中没有对晶体管的结温实施测量和控制,是导致试验结果不准确的重要原因.旨在提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度,提出了一种在试验过程中实时测量并严格控制晶体管结温在最高允许结温附近的稳态工作寿命试验方法.以3DD820,3DD15D (F2金属封装)双极晶体管为实验对象,对结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法进行了验证.模拟试验数据分析结果表明,该试验方法可以有效地提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度.     

砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析

采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式,给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出,烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例;其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁,热斑烧毁,源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。     

采用单电子晶体管实现的积分器及其性能分析

阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I—V 特性的一种分区处理法,在此基础上设计了 SET 积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SETI—V 特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的方法同样适用于 SET 在其它模拟和逻辑电路中的应用。     

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电

对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究.给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析.研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重.     

GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10¹⁴,4×10¹⁴和1×10¹⁵protons/cm²。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气（2DEG）浓度和迁移率在辐照后有所降低。     

美火星探测器推迟两年发射

2008年12月4日,美航宇局称其“火星科学实验室”的发射时间将推迟到2011年秋,比原定的2009年10月晚了两年。这项探测任务将把一辆下一代漫游车送上火星。车上载有一些前所未有的研究工具,用于研究火星的早期环境史。无法按原计划发射是因为探测器在测试和硬件方面遇到难题。     

复旦大学成功研制出半浮栅晶体管器件

<正>据中国科技部网站2013年8月29日消息,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,近期取得重大突破,成功研发出半浮栅晶体管(SFGT)。采用该新器件构成的动态随机存储器,无需电容器便可实现传统动态随机存储器全部功能,不但成本大幅降低,而且集成度更高,读写速度更快。此外,半浮栅晶体管还可应用于主动式图像传感器芯片,提高感光单元密度,从而提升图像传感器的分辨率和灵敏度。半浮栅晶体管     

中国CFD史

本文简要回顾了中国的CFD史,早在20世纪70年代,在钱学森教授的建议下,一些中国学者对计算流体动力学(CFD)这一新型学科产生了浓厚兴趣并开始研究.从那时起,中国的CFD逐渐发展繁荣起来,特别是从世纪之交,中国CFD非常活跃,为航空航天和其他民用领域做出了巨大贡献.在中国,特别注重CFD的研究与物理分析的结合.本文首先介绍了M5A的概念,它概括了中国CFD的主要研究领域;随后,介绍了设计格式的原则,以此原则为指导发展了一系列格式,比如NND格式、ENN格式和紧致格式.最近,发展了一系列高阶精度数值格式并应用于实际外形的复杂流动计算.再后,讨论了求解气动方程的网格尺寸准则.最后,同顾了如流动分离、流动拓扑结构和结构稳定性理论、旋涡沿其轴向演化和Hopf分叉理论、动导数和飞行稳定性等代表性工作.