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基于DS18B20的智能温度控制器采用单总线数字温度传感器,硬件结构简单,测量精度高,抗干扰能力强,重点介绍DS18B20的特性和编程要点。 相似文献
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用X光衍射和透射电镜研究证实快速凝固Al88sCe2Ni7Fe3非晶铝合金晶化过程中的初期阶段为初生型晶化。初生相α-Al的结晶体积分数和纳米晶体尺寸随退火温度的升高表现出非同步增长行为:前者逐渐增加而后者变化不明显。不同退火态样品的小角X光散射结果表明,非晶基体中不断析出的纳米晶α-Al粒子,由开始的低温稀疏分布转向高温密集分布。根据实验结果,分析和讨论初生相α-Al的体积分数、晶粒数目、粒子尺寸及粒子分布在初生型晶化过程中的变化规律,为纳米晶α-Al粒子强化非晶基体提供了清晰的物理图像。 相似文献
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讨论关于分立式晶体滤波器(最常用的差接桥式电路)设计与调试中的几个问题,诸如合理确定滤波晶体的频率误差(调整频差)、差接变量器的设计考虑、滤波晶体的Q值与滤波器插入损耗之间的关系、以及利用负载电容C_1调整滤波器的带宽。 相似文献
17.
18.
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对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 相似文献
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为了将机载设备的故障检测定位至器件级,研制了ARINC429手动发码器,通过以可编程逻辑器件为核心单元的硬件电路实现了ARINC429信息的输出,完成了样机设计,并已投入使用. 相似文献