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81.
针对表面介质阻挡放电(SDBD)在激发等离子体时具有显著的气动效应和化学活化效应,为分析表面介质阻挡放电对空气/甲烷同轴剪切扩散燃烧的助燃效果,实验使用高频交流电源,基于等离子体诱导射流逆向激励对火焰施加控制。根据获取的射流流场纹影图像、火焰图像和CH*自发辐射,研究了等离子体对不同燃烧条件下火焰燃烧特性的影响。结果表明:受等离子体气动激励作用,火焰上游细长剪切层的空气/甲烷掺混得到增强,从而扩大了剪切层燃烧宽度,同时燃烧释热速率会明显提高,这主要与等离子体活化效应有关,并且该效应显著增强了位于喷嘴出口火焰基的燃烧强度。在空气流量较低时,等离子体气动激励可有效增大火焰下游湍流度和射流角,使火焰高度降低、宽度增大,且作用效果随放电电压提高逐渐增强。 相似文献
82.
基于激光的便携式飞机装配接缝质量检测仪及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种基于激光的便携式接缝质量检测仪的工作原理及硬件组成。使用该检测仪对飞机缝隙和台阶阶差进行了测量,通过与人工测量进行对比验证,证明了该装置可实现对特征三维信息的快速自动检测,工作准确可靠。 相似文献
84.
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 相似文献
85.
为了将机载设备的故障检测定位至器件级,研制了ARINC429手动发码器,通过以可编程逻辑器件为核心单元的硬件电路实现了ARINC429信息的输出,完成了样机设计,并已投入使用. 相似文献
86.
87.
为提高涡轮叶片疲劳寿命,探索了一种利用水下激光冲击强化方法处理涡轮叶片残余应力的技术。利用波长532 nm、脉宽10 ns、能量1.2~1.5 J、光斑直径1.0 mm的YAG激光器,对涡轮叶片榫齿部位进行了激光冲击强化处理。结果表明,水下激光冲击强化方法能有效消除、调整机械加工残余应力。当激光功率密度大于2.5 GW/cm~2且小于7.5 GW/cm~2时,随着功率密度的增加,表面残余应力也相应增加;当功率密度大于10.0 GW/cm~2后,表面残余压应力随功率密度的增加而明显降低;功率密度等于7.5G W/cm~2时,表面残余应力为-419.5 MPa,为最佳。 相似文献
89.
为满足系统电路级仿真,本文通过Pspice软件为无刷直流电机系统设计了一套Buck变换器的电机控制系统,分析了换相转矩脉动和非导通相续流问题.由Sg3525实现降压斩波,解决了Sg3525模型在Pspice不收敛的问题.重新设计了位置传感器模块,简化了系统模型,提高了仿真速度. 相似文献
90.