某型国产发动机压力传感器故障分析

从某型国产涡轴发动机压力传感器基本组成和工作原理出发,针对故障现象和特点,开展故障原因分析,得出了相应的结论,并提出了改进的合理建议,有利于提高发动机的可靠性。     

基于拟动力学的航空发动机主轴球轴承热弹流润滑分析

以航空发动机主轴球轴承高速高温重载典型工况为算例,基于轴承拟动力学分析,得到滚动体与套圈之间的微接触区运动和受力状态,分别用Hamrock-Dowson(H-D)拟合公式和翟文杰热修正公式计算了最小膜厚(MFT),同时结合热弹流润滑分析得到最小膜厚分布,对比了试验测试、H-D拟合、翟文杰热修正和热弹流润滑分析4种算法的最小膜厚,并根据膜厚比判定了轴承的弹流润滑状态.结果表明:H-D拟合和翟文杰热修正最小膜厚与试验测试结果相差较远,热弹流润滑分析结果与试验数据吻合性较好,误差10%以内;探讨了不同工况下的轴承弹流润滑性能.结果表明:存在径向载荷时,润滑膜整体压力增大,膜厚减小;随着转速增大,压力减小,膜厚增大,但是增大的趋势减缓.      

针栓式喷注器锥形液膜破碎特性试验

采用高速摄影获得了针栓式喷注器在不同喷注压降和结构参数下的表面波破碎图像,测量了锥形液膜的破碎长度和破碎时间,研究了变工况时液膜破碎长度和破碎时间的变化规律.试验结果表明:在喷注压降不变的条件下,针栓式喷注器能够实现流量的线性调节.针栓式喷注器设计时,在合理的推进剂动量比范围内,狭缝宽度应尽量取小.液膜在低工况时破碎得更快.液膜破碎长度和破碎时间均随喷注压降的增加而减小.      

冲击距与气膜孔方位角对旋流气膜冷却性能影响

为了获得冲击距Hi与气膜孔方位角α对旋流气膜冷却性能的影响规律,以六边形供气腔圆形气膜孔平板气膜冷却结构为研究对象,对五种冲击距参数(0.74D,1.14D,1.54D,1.94D,2.34D)(D为气膜孔直径)和五种气膜孔方位角参数(0°,10°,15°,20°,25°)进行了三维数值计算研究,得到了绝热壁面气膜冷却效率、展向平均气膜冷却效率、流场空间无量纲浓度分布等随冲击距与气膜孔方位角的变化规律,分析了肾形涡对旋流气膜冷却性能的影响机理。结果表明:冲击距对绝热壁面气膜冷却效率展向分布规律影响不大,而方位角增加能够明显提高绝热壁面气膜冷却效率及展向气膜覆盖面积,方位角0°模型展向气膜冷却效率最大值为0.42,方位角25°模型的最大值为0.48,相比前者增加14.3%;绝热壁面同一流向位置的展向平均气膜冷却效率随冲击距的增加而增大,随方位角的增加而增大,Hi=2.34D时的展向平均气膜冷却效率最佳,α=20°时的展向平均气膜冷却效率曲线最佳。方位角的增加能够明显破坏流场中存在的肾形涡结构。     

抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.     

垫层拉深工艺的试验研究

本文采用试验方法研究了聚乙烯膜在坯料与凹模表面之间的润滑效果，测定了不同润滑方式，ＳＰＣＣ和Ｌ４Ｍ板材的极限拉深系数，分析了采用了聚乙烯膜为润滑的润滑机理。结果表明，垫层拉深工艺能够有效地改善拉深件的表面质量，降低极限拉深系数，使变形程度得到提高。该研究结果对于改善拉深件的表面质量和提高变形程序，具有积极意义。     

双舌型挡板VGT蜗壳速度场的试验研究

使用IFA30 0热膜风速仪 ,通过选择合适的低通滤波器、合适的采样频率和采样时间 ,用X形探针测量了其无叶喷嘴出口速度的分布以及蜗壳流道的速度场。结果表明 :在两挡板全关时 ,喷嘴出口速度分布较均匀 ;随两挡板开度变化 ,喷嘴出口速度分布变化较大 ;而且沿蜗壳周向其径向速度分布较均匀 ,切向速度分布变化较大 ;沿蜗壳轴向 ,两者变化均较大。当两挡板开度变化时 ,蜗壳流道截面上通流速度的分布不同于自由涡流规律 ,二次流速度分量分布形态类似。     

预移相型恒温热线(膜)流速计的动态响应方程

分析传统恒温热线热膜流速计(简称 HWFA)动态方程后,提出了一种新型HWFA 线路模型——主电桥预移相模型,推导出真实条件下小扰动动态响应方程,并按此原理设计制造了崭新的高性能 IFV—900型 HWFA 样机。该机全部革除了传统HWFA 的三个调节参量,大大地简化了调节步骤;不自激振荡的范围明显增宽,极大地减少了使用上的麻烦;频带宽度比当今世界流行的 HWFA 增宽了2～5倍;加上一系列智能化功能后使自动化程度达到了新的高度。这一新型 HWFA 的问世将可能导至 HWFA技术的重大改进和新的变革。首先阐明主电桥预移相模型的提出和真实条件下小扰动动态响应方程的推导。随后将用若干姐妹篇阐明动态方程频率响应调节元物理值的解析解,频率特性实验分析手段的电扰动试验响应情况的理论分析等内容。     

磁控溅射沉积工艺条件对薄膜厚度均匀性的影响

薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标.在自行设计的磁控溅射沉积设备上,对薄膜沉积工艺中靶基间距、溅射功率、工作气压对膜厚均匀性的影响进行了研究,由连续光谱椭圆偏光仪SE800测量薄膜厚度.结果表明:靶基间距较大的情况下,薄膜均匀性明显改善;溅射功率和工作气压对薄膜均匀性也有较大的影响.