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182.
本文为紧耦合N线微带电路提出了一种可行的终端电路设计。这一设计旨在对MMIC(单片微波集成电路),实现较小的信号反射和较好的制作可行性。采用频域模型分析紧耦合微带线中的高速脉冲输。通过对系统响应作离散傅利叶反变换(IDFT)得到传输及反射波形的理论结果。对谱域法(SDA)计算出的理论数据运用多导传输理论求得系统响应。采用HP8510B网络分析仪测量了有本文提出孤终端电路的六线紧耦合微带电路的响应。 相似文献
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184.
载波捕获防错锁技术新探 总被引:1,自引:0,他引:1
应我国微波统一测控系统设备中存在的载波捕获错锁问题展开讨论,并对目前防错锁方法的优劣进行了分析,在分析和研究前人工作的基础上,提出了载波能量中心防错锁算法。 相似文献
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186.
为避免或减轻微波辐射对人体的危害,必须对微波辐射强度进行测量.简要介绍微波漏能测试仪的工作原理和主要组成部分,以及校准和定标方法.最后对微波漏能测试仪的误差进行了分析 相似文献
187.
基于片状Al2O3陶瓷互锁结构强度高的特点,制备出夹杂石墨的高气孔率的Al2O3多孔陶瓷,并通过原位还原在多孔骨架中制备出Ni微粒,形成一种轻质的双损耗陶瓷基吸波材料。通过XRD、FE-SEM和EDS研究了还原温度对多孔吸波材料的组成、微观形貌、元素分布和吸波性能的影响。结果表明,还原温度升温至700 ℃可将多孔网络中Ni完全还原,形成以堆叠互锁Al2O3为基,夹杂片状石墨和孔表面覆盖Ni微粒的双损耗轻质吸波材料。当复合材料厚度为6.5 mm时,最小反射损耗为-35.01 dB,有效吸收带宽达到1.75 GHz。片状Al2O3锁定的石墨片构筑的导电网络,Ni微粒与基体之间的极化效应等共同促进复合材料良好的微波吸收性能。 相似文献
188.
为了对国产微波半导体器件的抗辐射能力进行验证,我们于1994年9月对4种器件进行了总剂量效应实验。1 实验方案及要求 由于设备空缺,或虽有设备但测量范围不够、精度不够等原因,本次实验采取如下方案: 1)采用稳态总剂量辐照; 2)辐射源为60Co r射线; 3)采用移位测试,静态,辐照未加偏压; 4)专门设计印刷线路板和夹具,辐照中所有器件都固定在夹具上,用转换开关依次更换器件; 相似文献
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仪器实施的方案为固定视角圆锥扫描双参数温度外部两点式周期定标全功率型,论述了它的工作原理、视向与扫描方式、频段选择和总体的构形。同时对天馈技术、微波接收机、定位技术、数据采集与处理、驱动与传输、电源、热控制等技术进行了分析。 相似文献
190.