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91.
新型导电聚合物微波吸收剂的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
  相似文献   
92.
电子回旋共振等离子体推力器(ECRPT)是一种高比冲、高效率且结构简单的新型电磁式推力器。为了研究推力器的放电原理和工作机制,采用漂移-扩散流体模拟方法,仿真模拟了微波等离子体放电过程。仿真结果表明,电子数密度达到10~(16)~10~(17)m~(-3)数量级,氙气的电子数密度比氩气高50%;电子数密度、碰撞功率损耗均随着计算域内压强的增大而增大,电子温度随压强的增大而减小;电子数密度、碰撞功率损耗随着入射微波功率的增大而增大。在未来ECRPT的实际应用中,可以通过使用氙气,适当增大推力器腔内压强以及入射微波功率,使其具有最佳的推力、比冲和工作效率。  相似文献   
93.
座舱玻璃镀膜是实现飞行器隐身技术的重要途径之一。利用雷达散射截面(RCS)均值增益研究铌掺杂ITO镀膜玻璃隐身性能;针对不同方块电阻的铌掺杂ITO镀膜玻璃,进行系列化RCS暗室测试,分析不同入射频率、极化方式的电磁散射特性。结果表明:方块电阻增大时电磁散射减弱,合适的方块电阻(小于40Ω/m~2)有利于实现座舱外形隐身,散射特性与金属接近,频率较高时,镜面散射波峰较窄。  相似文献   
94.
针对高功率微波(HPM)耦合效应分析需求,采用时域多分辨分析法(MRTD)模型,给出了微带线端口电压和电流方程,验证了模型的适用性。基于MRTD,仿真分析了HPM作为入射波时其极化方式、入射方向对微带线电磁耦合特性的影响。结果显示:垂直线极化波和平行线极化波耦合系数峰值出现在不同的频率,且峰值相差约15 dB,采用圆极化波时耦合系数最大;入射方向变化时,耦合系数以水平入射最小,垂直入射时最大,高频段微带线边缘有绕射现象产生。该分析采用了分析计算电大尺寸HPM耦合效应的MRTD数学模型,提高了HPM与复杂结构的耦合计算效率。  相似文献   
95.
建立了两种通用直升机几何外形模型,采用物理光学法和等效电磁流法进行雷达散射特性计算分析.结果表明,两种通用直升机雷达散射水平较高,头向/尾向及侧向RCS分别达到数十和数百平方米;大曲率半径曲面机身比倾斜平面式机身散射强;可收放式起落架可以改善雷达隐身性能.本文结果对开展通用直升机雷达隐身设计研究具有重要的参考价值.  相似文献   
96.
简单地介绍了微波同轴匹配负载常见的几种结构型式和特点,并对影响匹配负载的主要因素进行了分析讨论,给出了宽带SMA微波同轴匹配负载的结构,以及国外两种同类负载在美国HP8409B自动网络分析仪上进行对比测试结果。测试结果表明,自行研制的SMA匹配负载,在DC—18GHz频带范围内,具有良好的电性能,其电压驻波比≤1.25。具有频带宽、驻波低、尺寸小、重量轻等特点。还介绍了一种结构新颖的宽带微波同轴匹配负载。最近几年,原子钟的长期稳定度已经进展到10~(-16)量级。这些装置在空间对于通过VLBI高精度的角度测量以及通过多普勒技术高精度的测距和测速是非常适用的。这篇文章将介绍某些正在进行和提出的应用高稳定度钟的空间科学实验以及钟在这些测量上的意义。  相似文献   
97.
上海天文台已经设计了一种尺寸小、重量轻的TE_111模式微波腔体。对腔体的特性及振荡因子进行了讨论,结果表明。  相似文献   
98.
描述并确定具有明显纹理粗糙表面均方根斜率的光散射技术(均方根斜率是联合表面轮廓高度和波长特性的混合参数)。称为散射光锥法(The scattered light-conemethod)的该技术是基于激光角散射检测阵列(DALLAS——Defector Array for Laser LishtAngular Scattering),它用于测量粗糙表面散射光角分布的仪器。均方根斜率是从DALLAS光散射图象的角宽得到的。一般可以发现角宽(即估计的均方根斜率)对光的入射角和散射角变化相当大时是不敏感的。这些结果与表面材料无关,并且对正弦和随机粗糙表面都是有效的。介绍了散射光锥法的测量原理、实验、数据分析和几点结论。  相似文献   
99.
本文简要介绍了相干散射雷达SABRE及其观测Pc5地磁脉动的工作原理。1985—1989年观测数据的统计分析结果表明,相位向极传播脉动事件的出现率峰值在当地时间午夜附近,而向赤道传播事件的出现率峰值则在18:00LT左右。文中给出了上述两类脉动事件出现率的日变化,与地磁活动的相关,与背景电离层等离子体对流特性的关系等统计分析结果。  相似文献   
100.
采用微波辅助的元素溶剂热法,以Zn,Se等单质为Zn源和Se源,en(en=乙二胺)为螯合剂,N2H4·H2O为还原性助剂,在160℃下反应4小时,合成了直径为50-100nm、分散性较好、高度结晶的球形ZnSe纳晶;采用XRD,SEM等手段对所合成的产物进行了表征,结果发现,反应温度和反应时间等反应条件共同控制着ZnSe纳晶的形貌。通过对其反应过程及机理的分析,结果表明,获得平均直径为60nm、高度结晶的球形ZnSe纳晶的优化反应条件是用en做螯合剂,N2H4·H2O为还原性助剂,反应温度为160℃,时间为4小时;并且球状ZnSe纳晶是在N2微泡上集聚而成的。  相似文献   
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