某扭力管万向节组件及支撑轴承的正弦振动疲劳研究

本文建立C919某扭力管万向节组件及支撑轴承的有限元模型，对其进行模态分析及正弦分析，推导了正弦振动下的疲劳寿命计算公式并预估了模型的寿命，通过模态试验验证了模型的正确性，通过正弦试验验证了疲劳寿命计算的正确性。该疲劳寿命计算方法可用来预估相关模型的正弦振动疲劳寿命。     

连续式跨声速风洞短轴探管设计与试验

为深入研究不同类型短轴探管的测值特性，设计了多种无需张线固定的短轴探管，通过风洞试验开展了相关探索研究。试验结果表明:不同外形参数的短轴探管与长轴探管在马赫数在0.95以下时马赫数方均根偏差量差异不超过0.000 3，马赫数修正量差异不超过0.000 8，测值曲线无明显变化；马赫数在1.0~1.4区间时，不同形式的短轴探管与长轴探管的测试结果存在明显差异，优化短轴探管头部外形参数、增加柱段长度可不同程度地降低头部对试验段流场的干扰。      

基于半物理的飞管系统集成验证技术研究

本文基于半物理的飞管系统集成验证技术，详细介绍了基于半物理的飞管系统集成验证平台架构与实现，研究了基于半物理试验的飞管系统仿真建模方法，完成了用于飞管系统半物理试验的仿真模型开发。在某型飞管系统集成试验过程中，搭建了基于半物理的飞管系统集成验证平台，在完整的全系统仿真基础上，通过真件与仿真件之间的逐一替换，逐步完成飞管系统集成验证工作。该方法有效的提高了飞管系统集成效率，满足了飞管系统集成验证需求。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。