我国干线飞机项目前八年的历程

文章夹叙夹议，对干线飞机项目（国际合作生产２０架ＭＤ９０－３０飞机）在８年推进过程中所遇到的许多重大问题或决策进行了历史的回顾和反思。     

AD-1精密数据放大器的应用

对于固体火箭发动机的推力和压强测试系统,用AD-1精密数据放大器代替SF-72数据放大器,仪器精度由0.1%提高到0.02%,改善抗干扰性能,提高稳定性,解决了数据采集,即与A/D的匹配问题,同时可节省供桥电源,经济性好,可推广应用.     

运算放大器电路反馈特性的研究

本文用信号分解和叠加的理论及方法，推导出一种适用于分析运算放大电路反馈特性的“分解方框图”，并通过实例介绍了相量图分析法。     

“干线机前起落架孔精加工技术研究”课题技术总结

对干线机前起落架交点孔精加工的加工工艺方法、工装工具的选择设计和制造、精加工刀具的设计和制造以及加工工艺参数的确定等方面进行了研究。通过在模拟试验台上对试件进行试切，保证了工装工具的正确定位，摸索了工艺参数，最后在产品上加工成功。     

陆地卫星地面站X波段场效应放大器

本文介绍用于陆地卫星地面站中X波段GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)低噪声放大器的功能、结构及热电致冷器,该冷却器将场放前二只管子冷却到-50℃,整个场效应放大器(由4只管子组成)的性能可与同波段常温参放相比美。对美国SATELINK公司生产的场放进行測试,在8025—8400MHz频带范围内,场放噪声温度小于86.1K,增益大于40dB.在整机中,以太阳为标准源对系统G/T进行测试,当俯仰角≥5°时,G/T≥31.05dB/K,满足原设计指标要求。     

微波放大器稳定性分析与设计

提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤，总结了放大器稳定性设计方法。     

低压低功率SiGe BiCMOS X波段低噪声放大器与IEEE 802．11a LNA的设计比较研究

介绍了一种采用0．25um SiGe BiCMOS工艺集成的低压低功率X波段低噪声放大器（LNA），比较了此种放大器与IEEE 802．11a LNA的设计。X波段LNA和IEEE 802．11a LNA的工作频率分别为10GHz和5．8GHz。所设计的LNA都采用了相同的结构和电压，并耗费同量的电流。两种LNA都只需要1．5V的电压，消耗1．5mW的直流功率。两种电路的差异是它们有不同的输入与输出匹配和负载。本文介绍的LNA在10GHz时的电压增益为11．49dB，噪声系数（NF）为3．84dB，输入反射损失为-15.37dB，输出反射损失为-17dB，P1dB为-3．75dBm。在5．8GHz时的电压增益为16．07dB，噪声系数为3．07dB，输入反射损失为-18．1dB，输出反射损失为-15．23dB，P1dB为-6．54dBm。两电路的关键特征是：低压、低功率和良好的噪声匹配。频率为IOGHz和5．8GHz时，噪声系数与最小噪声系数之差分别只有0．03dB和0．05dB。验证了一种高频（X波段）低成本设计，与其他技术（如GaAs、SiBJT、JFET、PHMET和MESFET等）相比，它是在SiGe BiCMOS中设计的。     

7万改变一生投资中国旅游休闲第四街"九寨边边街"赚世界的钱

世界唯一的九寨沟，九寨唯一的边边街 九寨边边街位于九寨沟沟口1000米处，依山傍水，背靠30多家星级酒店，紧邻自驾车、旅游大巴指定停靠的大型停车场，共有近十条支路与背后的星级酒店和旅游交通干线连结，是九寨沟政府为实现“人车分流”而规划的惟一人行通道，也是沟口惟一的商业步行街。边边街特邀2008年奥运会主会场“鸟巢”艺术顾问，全国名的艺术家艾未未先生担纲街区环境首席设计师，     

一种新型电动舵机系统

介绍了一种为某型无人驾驶直升机研制的新型电动舵机系统。该系统采用了航空精密微型滚珠螺旋副和基于智能功率集成电路（ＳｍａｒｔＰｏｗｅｒＩＣ－ＳＰＩＣ）的ＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａ－ｔｉｏｎ）伺服放大器，具有精度高、频带宽、线性度好、效率高和线位移输出方式等特点。文中详细描述了该系统的设计思想和结构特点。频响测试和机载试飞表明：这种新型的电动舵机系统具有良好的动态响应过程，完全满足无人驾驶直升机的使用要求     

星载L波段宽带低噪声放大器芯片设计

基于0.25μm 砷化镓赝品高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构，降低了芯片的工作电流，节省了宝贵的卫星能量资源；通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度，提高了卫星通信质量；恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小，芯片维持在稳定的工作状态下。测试结果表明：该放大器工作电流为35mA，在频率范围0.9~1.8GHz内，增益大于33dB，噪声系数小于0.6dB，增益平坦度小于0.5dB；芯片尺寸为2.0mm×1.3mm，满足航天产品的高性能小型化应用需求。