高功率射频真空热试验负载设计研究

文章研究了通讯卫星真空热试验时高功率射频RF的吸收冷却措施及安全策略,即通过RF负载及冷媒,将入射的电磁波能量转化为其它形式的能量(主要是热能)而损耗掉.综合考虑RF负载的反射率﹑温控﹑结构特性﹑安全等因素,文章提出了4种形式的结构负载,并分析比较了各自的优缺点.     

射频接收机系统级建模中的噪声谱分析

提出了一种在有限的系统参数下进行射频接收机系统建模时,各子电路噪声参数的分析和计算方法.从噪声功率谱的等效计算出发,给出了加性高斯白噪声通过有噪线性电路的分析方法.以一通信电台为例进行了分析计算,在给定有限的系统参数(信噪比,灵敏度,增益等)下分析出合理的各子电路的噪声参数,并进行建模仿真验证,理论结果与仿真结果较好吻合,表明了分析方法的有效性.该噪声功率谱的等效分析计算方法对射频系统建模有很好的指导作用.      

基于软件无线电的VOR射频激励源研究

在对机载VOR接收机进行测试与维护时,需要提供可以模拟地面台射频信号的激励源;目前使用的射频激励源一般为传统的专用硬件设备,存在调制参数固定、无法灵活调节等问题。为解决该问题,对VOR射频信号原理进行了分析,基于软件无线电原理,对VOR射频激励源进行了设计;采用零中频软件无线电结构,在计算机上实现对VOR射频信号的正交调制,从而能够对调制参数进行灵活调节,并通过通用的硬件平台发射VOR射频信号;系统可通过人机交互界面、网络或GPIB方式进行控制。使用频谱仪对系统进行了测试,并将输出的射频信号进行记录后,导入到Matlab进行分析验证。结果表明,系统误差在允许的范围内,能够为VOR接收机提供符合要求的射频信号。     

射频波电流驱动对经典单撕裂模影响的数值研究

本文在平板位型下采用二维可压缩磁流体模型,研究了沉积在不同位置的外部局域驱动电流对稳态经典单撕裂模的影响和极向剪切流对驱动电流抑制磁岛作用的影响。研究发现外部驱动电流对撕裂模的抑制作用对其沉积位置很敏感,尤其是对于其沉积位置在径向的偏移。当存在极向剪切流时,外部驱动电流对撕裂模的抑制作用对极向剪切流的幅值有要求,在阈值范围内极向剪切流越大外部驱动电流对磁岛抑制效果越好,超阈值却相反。     

2.92mm同轴连接器的设计及实现

简要介绍了目前国际广泛使用的２．９２ｍｍ同轴连接器的特点，叙述了２．９２ｍｍ同轴连接器的设计原理及实现方法，同时对设计的２．９２ｍｍ同轴连接器主要技术指标的测试结果同国外同类产品进行了比较。     

合成孔径雷达射频干扰抑制的现状及展望

对合成孔径雷达射频干扰抑制的现状进行总结 ,将射频干扰抑制分为参数化方法和非参数化方法 ,分别讨论了参数化抑制方法中的射频干扰模型、模型参数估计和非参数化抑制方法的两种主要技术途径 ,分析了射频干扰抑制效果的评估方法。最后根据我们的实践和经验提出了合成孔径雷达射频干扰抑制的几项建议     

PS1008单片机在程控射频开关研制中的应用

论述了PSl008单片机，程控射频开关工作原理，软件的实现及主要技术指标。     

基于多层PCB的基板射频信号传输性能研究

随着射频产品的小型化,特别是射频SIP（systems in package）产品的逐渐应用,基于多层PCB的基板射频组件等射频集成产品的应用越来越多,基板内射频信号传输性能的研究也越来越重要。通过对基于多层PCB的基板射频传输性能进行仿真测试,验证了DC-40GHz范围内射频基板传输性能,针对射频传输中极为关注的传输损耗问题,通过改进介质厚度或者铜箔材料实现基板射频传输损耗的优化,单位长度传输线射频传输损耗减小20%以上。同时针对星载等应用环境,通过深层充放电、总剂量试验,表明多层PCB的基板满足星载等航天应用。     

先进飞机平台天线孔径综合的总体设计技术

电子信息系统的综合一体化是先进平台的典型特征,天线孔径综合将众多分立的天线单元/阵列进行整合,可显著地缩减平台天线数量,改善平台的气动和隐身性能。天线孔径综合需要满足小尺寸、高性能、低耦合等诸多要求,是射频综合系统的主要难点之一。以先进飞机平台为例,介绍天线孔径综合的总体设计技术,主要包括天线孔径综合的总体思路、电磁兼容性的考虑和典型天线样机的研制。     

射频自体辉光放电辅助电子束沉积的放电特性与离子分布研究

为了克服电子束蒸镀技术的不足,提高蒸镀薄膜与基体的膜基结合力,通过增加射频线圈的方法,在电子束蒸镀沉积过程中实现了射频自体辉光放电。研究了放电参数对射频辉光放电反射功率的影响规律,结果表明采用3匝直径82mm的射频线圈条件下,最佳放电距离为100cm。电子束流在160mA以上时,起辉较容易,但是电子束流大于200mA后,蒸镀的膜层容易脱落。通过静电探针分析发现,放电产生的等离子体中离子密度高于1.0×1010atom/cm3,射频功率的增大提高了真空室中各个位置处的离子密度,尤其是线圈中心位置,导致了真空室中离子密度径向位置的不均匀性。当射频功率为170W时,各位置的离子密度急剧增加。