基于谱峭度与双谱的轴承故障诊断方法

针对强背景噪声情况下的轴承故障诊断问题,提出了一种基于谱峭度与双谱的轴承故障诊断方法。该方法采用谱峭度检测振动信号瞬态频带,利用最优带通滤波器抑制振动信号中的噪声得到滤波后信号。由带通滤波器的带宽确定低频矩形区域,计算落于该区域内的信号包络的局部双谱图,依据局部双谱图诊断轴承故障。仿真分析表明,强背景噪声和滚动体滑动会造成传统轴承故障诊断方法（如峭度、功率谱、包络谱）失效,而该方法能够有效地抑制噪声,更准确地诊断轴承故障,并通过6205-2RS JEM SKF轴承诊断实例,说明了该方法的有效性。     

一种基于调零理论检测低气压放电效应的方法

随着我国航空航天事业的飞速发展,对微波器件的功率容量要求也变得越来越高,其受低气压放电效应影响的问题也越来越突出,建立有效的低气压放电检测方法也就变得尤为重要和迫切。为提高低气压放电效应检测的灵敏度,文章研究了一种利用调零系统搭建的低气压放电效应测试平台来检测微波器件是否发生低气压放电的方法。首先,基于相位相消理论分析了调零系统应用于低气压放电测试的工作原理;其次,通过同频信号相位叠加实验对理论计算结果进行了验证,结果表明：相比于直接检测待测件反射信号幅度变化的传统低气压放电效应检测方法,调零法具有灵敏度显著增强的优点;最后,在100Pa~4500Pa的气压范围内,利用所搭建的测试平台对S波段的微带带通滤波器进行了低气压放电测试,结果表明：该测试平台可以根据调零信号的变化,有效实现对微波器件的低气压放电效应进行检测。     

平面多模带通滤波器的研究进展

文章介绍了应用于射频微波系统的平面多模带通滤波器,结合最近几年国内外多模滤波器的研究成果,从平面多模带通滤波器的设计方法等方面阐述了各种多模滤波器的技术发展状态。     

基于BP神经网络的飞机维护费用估算模型研究

前向反馈(Back Propagation,简称BP)网络通常是指基于误差反向传播算法(BP算法)的多层前向神经网络.目前,在人工神经网络的实际应用中,绝大部分的神经网络模型是采用BP网络或它的变化形式,它也是前向网络的核心部分,体现了人工神经网络最精华的部分.     

光电经纬仪红外成像跟踪处理器的研究与实现

以高性能数字信号处理器TMS320C6203为核心,结合CPLD（可编程逻辑器件）进行逻辑控制,用FPGA（现场可编程门阵列）进行预处理,设计了实时目标检测和跟踪系统。介绍了实时图像处理系统的硬件组成、工作原理、软件流程,重点分析目标检测算法和系统实时性。该系统被成功用于光电经纬仪红外图像处理系统中,经试验证明,系统对弱小目标的检测、识别和跟踪能力达到实际工程的实时性需求,大大提高了数据采集能力与处理速度,采样精度得到很大提高,完全满足系统设计要求。     

某型飞机告警系统故障分析与排除

某型飞机出现一起告警系统故障,故障现象复杂,本文通过对该故障的故障现象、排除过程和机理进行分析、阐述,为类似故障的排除提供思路和参考。     

大学毕业生高校培育能力与就业能力匹配度分析

通过对大学毕业生的就业情况进行调查,运用统计分析方法,分析了大学毕业生高校培育能力对就业能力的影响。首先,利用典型相关性分析法,分析了高校培育能力的10个指标与就业能力的10个指标的相关性。其次,运用偏最小二乘回归分析,将就业能力指标作为因变量组,以高校培育能力指标为自变量组,建立了偏最小二乘回归方程,得到两组指标之间的关系。最后,采用高校培育能力与就业能力作为潜变量,建立PLS通径模型并进行检验,得到结论为大学生经过学校培育所获得的能力与就业能力是相匹配的。     

一种新型窄带高性能带通滤波器的设计

在现代通信系统的射频前端中，微波带通滤波器是必不可少的重要器件。带通滤波器设计中，由于微带线的平面结构、加工方便及低成本等特点而成为最常用的微波滤波器实现方式。文章提出了一种集低插入损耗、高选择性、结构紧凑多种特点于一体的高性能窄带微波带通滤波器的设计方法。该种滤波器由基于平行耦合线和准集总电感耦合形式的四分之一波长短路谐振器实现。相比于常规滤波器，使用该种方法设计的滤波器可以集多种优势于一体，充分利用了微带传输线结构的特点。四级级联滤波器的耦合矩阵及网络变换方法被应用于该滤波器的设计并进行了详细的理论分析。为了验证本文提出方法的有效性，使用本文设计方法仿真设计了一个中心频率为1.575GHz的滤波器并进行了加工测设，仿真与测试结果的良好吻合充分证明了设计方法的有效性。     

某型雷达导引头同步器修理技术研究

介绍了雷达导引头同步器的主要功能、组成及原理,描述了同步器测试系统,根据同步器内部模块实现功能的不同,对同步器输出信号进行分类,详细分析了各路输出信号原理,并形成早期和后期同步器工作原理图和输出波形采样,为同步器的深度修理提供了技术支持.     

VDMOSFET导通电阻的最佳化设计

分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面积导通电阻）最小，并通过大量理论计算给出击穿电压为50V时的最佳单胞尺寸。