低输入电压大功率逆变器技术研究

分析了低压静止变流器的几种技术方案，这些方案均难以做到大功率应用。提出了采用移相调压技术的阶梯波合成逆变器方案，可有效地解决低输入电压大功率逆变器的技术难点。文中介绍了该方案的原理，建立了系统的动态分析模型，给出了参数设计方法。试验结果验证了方案的合理性和分析设计方法的正确性。采用本文方案研制的28V输入20kVA逆变器．具有优良的稳态和动态性能。     

向活塞要功率——航空汽油发动机漫谈(下)

昙花一现:转缸发动机1909年8月22日,在法国兰斯举行了人类历史上第一次世界航空博览会,这便是现代著名巴黎航展的前身。这次博览会上,法国人赛甘兄弟展出了一种新型航空汽油机——土地神(Gnme)旋转气缸发动机,引起了轰动。这台星形5缸两冲程发动机功率为37千瓦(50马力),它没有使用早期航空发动机常用的飞轮和水冷装置,曲轴固定不动,由气缸旋转完成工作循环,螺旋桨固定在曲轴箱盖中心的桨轴上,跟随发动机缸体一起转动。这种标新立异的     

一种新型大功率升降压变换器及控制方法

现有的升降压拓扑中双管级联变换器最符合高效大功率场合的使用要求,但如果工作模式标准选择不当,串联结构和Boost电路的非线性直流增益很容易在升降压转换过程中产生严重的振荡。本文提出了一种新颖的大功率IPOSBHB变换器,阐述了其电路结构及基本关系,建立了降压模式和升压模式下的开环小信号模型,设计了载波平移的组合控制方法,分析了升降压模式切换时传递函数的不一致性、占空比的不连续性和输入电压的扰动对变换器输出特性的影响,并给出了补偿措施。本文提出的载波平移组合控制策略和补偿方法很容易实现稳态时的高效控制和升降压模式切换时的平滑过渡,同时降低了输入电压扰动的不利影响。通过一台15 k W样机对本文提出的理论加以验证。     

一种对大功率器件微放电检测新方法的研究

文章提出了一种对大功率器件微放电检测的新方法,理论分析了这种方法的有效性,并对目前的微放电检测方法进行了分析,以表明这种新方法的优越性。     

强激光对材料的热—力学破坏效应

概述了强激光对材料的热－力学破坏效应的最新进展,内容包括加热和熔融、热应力、汽化和烧蚀及层裂等方面。     

现代数字化弧焊逆变电源的发展及应用

弧焊逆变电源从80年代初期至今已走过了20多年的路程.大功率电器元件的发展,先进的微处理器及数字控制技术的引入为数字化弧焊逆变电源的发展提供了一个广阔的天地.     

大功率电机投切过程冲击电流仿真分析

大功率电机电源短暂中断后又重合闸恢复供电现象是普遍存在的,而大功率电机投切过程带来的瞬态冲击电流问题危害严重.根据某公司试验站实际情况和给定的相关参数,对两种大功率电机投切方式进行PSCAD建模与仿真,旨在分析投切过程所引起的冲击电流水平,以及冲击电流与投切时间的关系.结果表明:直接投切到三角形绕组支路模式比直接投切到备用支路模式产生的冲击电流更大,而且两种模式都不建议直接投切大功率电机,若直接投切,必须采取相应的安全措施,更换相应保护设备.     

基于石墨板的电子设备大功率器件散热方法研究

针对宇航电子设备大功率器件的散热路径进行了分析.对顶部散热的器件采用高导热石墨板、精确控制导热垫压缩量、增加导热路径等方式进行散热,对腹部散热的器件采用覆铜通孔等方式进行散热,并结合热仿真和温循试验,有效解决了大功率器件散热问题.     

5kW离子电推进大功率屏栅电源的设计研究

本文针对航天器用5kW离子电推力器核心供电模块屏栅电源的技术需求,采用移相全桥技术设计了低电压输入高电压输出的大功率屏栅电源模块。对比分析了ZVS和ZVZCS两种移相全桥方案后,得出ZVZCS更适合于电推进屏栅电源的设计。提出了ZVZCS移相全桥变换器CDD无损缓冲电路中辅助电容的设计方法,论述了屏栅电源功率级和控制电路的设计过程。通过实物产品验证表明：采用ZVZCS移相全桥技术设计的屏栅电源模块能在较宽的负载范围内实现超前桥臂和滞后桥臂的软开关,提高了变换器的效率;采用CDD无损缓冲电路能辅助实现滞后桥臂的零电流关断,降低原边电流的损耗,同时降低高压整流管的电压应力。在具备完善的输入滤波,浪涌抑制及母线开关等功能以后,最大功率下效率在95%以上。     

一种W波段波导衰减器的设计与验证

针对太赫兹频段卫星通信系统对信号传输及控制的需求,设计了一种工作于75 GHz～ 110 GHz毫米波频段的大功率高精度波导可调衰减器.文章采用了吸收式衰减的方案,设计了一种插入式衰减的波导衰减器的衰减结构.首先确定波导可调衰减器结构要求;其次运用HFSS软件对衰减器射频指标进行设计仿真,并对衰减片方阻、厚度、外形结构等进行参数分析;最后通过制造出波导可调衰减器实物并进行测试,验证了设计方法及设计结果准确.结果 表明:波导可调衰减器的驻波比与衰减片外形有关,衰减平坦度与衰减片方阻值相关.在75 GHz～110 GHz频段,衰减器的电压驻波比小于1.2,插入损耗小于1.0 dB,衰减量调节范围为0 dB～ 30 dB,耐功率为500 mW,实现了低驻波比、小插损、大衰减范围、高精度的技术要求.