GaAs金属半导体场效应管振荡器的一种准线性设计方法

这里介绍一种砷化钾金属半导体场效应管(GaAs MESFET)振荡器简易的准线性设计方法。将产生功率Pgen表示为FET栅、漏射频电压的函数,在本征场效应晶体管端的电压幅值受到限制的条件下,Pgen有可能达到最大值。由此,得出了用反馈电路元件实现GaAs MESFET振荡器的方法,并用准线性方法设计,采用微波集成电路技术来制作X波段GaAs MESFET振荡器。     

一种新型微波功放线性化器

文章讨论了应用微波GaAs FET和微波二极管实现的微波功放线性化器。首先介绍了一些已有的FET线性化器;然后给出了一种新型的由GaAs FET和微波二极管共同实现的线性化器电路,并由Agilent ADS软件仿真;最后给出了微带实现的实际电路。这种线性化器具有可调节性强、适用范围广等特点,便于工程应用。     

微波放大器稳定性分析与设计

提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤，总结了放大器稳定性设计方法。     

空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计

针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0~20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功耗,提高了恒流源的效率.测试结果表明:恒流源输出电流0~10 A连续可调,霍姆赫兹线圈中心磁感应强度能达到20 Gs的设计要求,电流稳定度优于0.1%,磁场稳定度优于1%.      

MOSFET单粒子烧毁引起的DC/DC电源变换器功能失效试验研究

文章利用回旋加速器产生的Kr离子,对双路输出的DC/DC电源变换器开展了单粒子效应试验研究,分析了在空载和加载两种偏置条件下的试验结果,指出内部功率MOSFETs器件的漏-源端电压在单粒子辐照条件下超出了器件的击穿电压是导致DC/DC电源变换器单粒子功能失效的直接原因,最后给出了航天器电源系统抗辐射设计和功率MOSFETs器件选用建议。     

冗余电源技术在机载二次电源系统中的应用

冗余电源技术不仅可以提高电源系统的容量,还能提高系统的可靠性。本文对传统冗余电源的方案和新型的代替方案进行了介绍,并分析了他们的优缺点。着重介绍了MAX8536在冗余电源技术中的工作原理,根据其典型应用电路进行设计与实验,实验结果表明在减小损耗,散热,隔离等问题上取得了明显的改善。     

14 nm pFinFET器件抗单粒子辐射的加固方法

为探究先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在空间应用中的可靠性问题，研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明：加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时，抗辐射加固的性能最好，SET脉冲宽度降低程度可达40%左右；然而，当处于反偏状态时，由于特殊的电荷收集过程的存在，使得SET脉冲幅度反而会明显增大，脉冲宽度减小程度并不明显。此外，还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响，得到提高抗SET效果的加固方法。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。