Ka波段单通道调制器设计

在厚度为0.254mm、相对介电常数rε为2.2的RT5880基片上,设计一种基于MIC工艺的工作在Ka波段点频上的单通道调制器。该调制器由6dB耦合器和0/π调制器构成,主要用于天线方向校准系统。其和路插损3dB,差路插损12dB,0/π调制相位误差小于5°,0/π调制幅度误差小于0.8dB,各端口驻波比小于2:1,和路工作时载波信号对已调信号抑制比大于20dB,差路工作时已调信号对载波信号抑制比大于55dB,并满足星载设备高可靠性环境要求。     

太赫兹超材料及其应用综述

在太赫兹波段高效响应的天然材料较为有限,制约了太赫兹技术的应用和发展.超材料是近年来兴起的人工合成电磁材料,可以通过其晶格单元形状、结构以及关键尺寸的设计实现人工电磁材料宏观电磁响应的调节,在太赫兹功能器件研制以及太赫兹波有效调控方面具有巨大潜力.总结了太赫兹超材料的最新研究成果及遇到的问题,概括了近十年来太赫兹超材料...     

创久科技与中国航天强强联手进军SSD领域

<正>深圳创久科技有限公司成立于2007年,多年来在FLASH存储市场上沉淀了良好的产业链资源与庞大的营销服务体系。创久科技一直秉承"创鼎革新,久炼成钢,诚信为本,客户至上"的经营理念,致力于存储解决方案的研发和应用,注重于品质管理和监控,专注于产业链资源的整合及全球营销服务体系的建构。公司建设出从产品研发设计-原材料采购-生产加工-自主渠道销售为一体的一条龙营销模式,为客户提供广泛的存储软     

碘工质霍尔推力器原理与研究进展

霍尔效应推力器作为一种先进的电推进装置受到国内外航天界的广泛关注,利用氙气作为推进剂的中功率霍尔推进技术已相对成熟,并有上千台霍尔推力器在轨运行。然而,作为一种稀有气体,高纯度氙气价格昂贵,相对固体推进剂其储存密度偏低,高压储箱给安全和减重带来不利。因此,寻求一种新型固态工质替代氙气具有重要意义。2006年,有学者提出利用固态碘特有的升华和电离特性,可以代替氙气作为霍尔推力器的推进剂的想法,并对此进行了原理样机设计和初步实验研究。首先对国外的研究进展和目前能达到的推力器性能进行了概述,接着阐述了碘工质霍尔推力器的工作原理,然后总结了该推力器研究的关键技术和理论上可行的解决方案,最后对碘工质霍尔推力器的应用前景进行了展望。     

小数N频率合成器剩余量化误差补偿技术研究

介绍了采用锁存累加结构的Σ-Δ调制器,分析了噪声成形中剩余量化误差的获取及补偿模型,并给出了运用于小数N频率合成器中的方法。     

美实地测试诺·格公司100千瓦固态激光器

据诺斯罗普·格鲁曼公司网站2010年2月19日报道，诺斯罗普·格鲁曼公司固态激光系统正在新墨西哥州高能激光系统测试工厂进行实地测试。在与美国陆军太空与导弹防御司令部白沙导弹靶场测试合作之后，BAE系统公司与诺·格公司签订了合同，把联合高功率固体激光器第三阶段系统从加州激光工厂搬迁到新墨西哥州工厂。实地测试预计在今年展开。     

太赫兹固态电子器件和电路

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路,以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势,太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。     

适用于全方位离子注入过程的脉冲调制器上升沿参数设计的研究

本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1～2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求.     

导弹测试用的红外光学调制器

红外成像导弹的不断发展产生了这样一种需求即能完全表示红外场景的发生器。为了正确测试这些系统，就需要场景发生器具有非常大的动态范围。这是用电阻器加热元件阵列标准方法不易制成。本文描述了红外光学调制器的制造，它用于大动态范围及高帧速场景的生成。用加热可变反射率薄膜的方法产生调制，可通过反应溅射工艺，在一块适当厚度基片上生长一层二氧化钒（VO2）薄膜来实现。在大约68℃时，VO2历经了半导体向金属态的相变过程，就是利用反射率的相应变化制成了调制器。在生产高帧速器件过程中，VO2薄膜精确的化学成分至关重要。本文描述了透射型和反射型两种类型的调制器。