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481.
垂直起降飞行器升力突降动态过程的数值模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
针对短距/垂直起降(STOVL)飞行器动态起飞过程,采用基于雷诺时均方程的标准k-ε模型数值模拟STOVL飞行器气动流场,研究STOVL飞行器吸附力大小,获得了动态过程吸附力随冲击高度变化曲线,发现升力板下壁面主涡结构的存在和运动影响升力板静压沿程分布。在无量纲冲击高度小于3时,吸附力曲线斜率增大,吸附作用增加,并对比稳态结果,发现动态过程吸附力要大于稳态过程,在无量纲高度为1.5时,两者相差26%。流场响应迟滞是造成稳态、动态过程结果差异的原因。  相似文献   
482.
根据北斗卫星系统工作原理,提出了北斗卫星通信导航信号激励器的方案设计和在直升机型号设计中的应用。该激励器具有模拟北斗卫星通信导航信号的功能,其作用是在航电系统地面综合联试中,为机载北斗接收机和组合导航系统提供激励信号。  相似文献   
483.
涡轮机匣换热实验   总被引:8,自引:4,他引:4  
为了得到涡轮机匣内部壁面的换热规律,用瞬态液晶测量方法对某型涡轮机匣上表面的换热分布进行了全表面测量.机匣具有包括冲击、凹槽、阵列孔抽吸等的复杂结构,实验结果表明,射流冲击是造成上表面传热系数增强的主要因素,在冲击影响区域换热较强,其余区域换热较弱.实验结果对涡轮机匣内部流动换热计算、温度场计算、叶尖间隙控制具有重要的...  相似文献   
484.
边界形状对高压受限射流扩展稳定性影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
莽珊珊  余永刚 《推进技术》2011,32(3):334-338
为了探索整装式液体炮中提高燃烧稳定性的控制方法,探讨了边界形状对高压受限射流扩展稳定性的影响.建立了二维轴对称气液两相湍流模型,对三级阶梯渐扩型、圆锥渐扩型和圆柱型充液室内的燃气射流扩展过程进行了计算.采用高速录像系统,对阶梯渐扩型和圆柱型边界约束下的射流扩展过程进行了观测.计算与实验结果相吻合.研究结果表明,采用阶梯渐扩型边界可提高高压受限射流的稳定性.  相似文献   
485.
射流送风是载人航天器密封舱内电子设备冷却的一种有效方式,具有简单可靠、系统质量轻、换热系数大等优点.文章对中国载人航天器密封舱内2台大功耗电子设备射流送风冷却特性进行了试验研究,分析了射流风量、送风孔数、表面状态对设备平衡温度的影响.利用不超过0.4m3/min的风量,可将热流密度为315.8W/m2的设备温度控制在5...  相似文献   
486.
介绍一种新型干涉测量系统,该系统采用并列的两个参考镜,将产生的两组干涉条纹复合在同一视场。当测量系统产生的光程改变时,两组干涉条纹相对关系按一定规律变化,借助光电转换和图像分析技术,可用于长度和微小角度测量。介绍了可行性实验和测取的数据及分析所得出的结论。  相似文献   
487.
多路合成载波的包络特性与微放电关系分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
以前的微放电现象分析试验文章主要集中在对各种材料的微放电机理及处理方法的研究上。本文试图从时域角度对微放电产生的基本条件-多路信号的合成包络进行分析,得到了一些有用的结论,有助于对微放电现象的进一步理解,并对部件的微放电试验有一定的指导意义。  相似文献   
488.
本文结合弯弯扭组合变形的例题,利用相关数学知识,证明了圆轴含有弯弯组合的合成弯矩图如果出现曲线,则该曲线必是(上)凹的。  相似文献   
489.
Bulk mechanical alloying (BMA) has been successfully applied to solid-state synthesis of p-type and n-type thermoelectric materials Mg2Si1-xSnx (x = 0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) from element-powders at the room temperature in a relatively short time. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity of the Mg2Si1-xSnx are quite sensitive to the x-content. With the x-content rising, the electrical conductivity increases. When x = 0.6, it reaches the lowest and Mg2Si shows an n-type of semi-conducting However, when x = 0.2 and T 〉525 K, the Seebeck coefficient of the samples will change the opposite way. While x≥0.4, the samples present a p-type of semi-conducting. The figure of merit, Z of Mg2Si1-xSnx will be obtained in the range from 300 K to 700 K. When x = 0.6, Z proves to be higher than that of other samples at 300 K≤ T≤650 K.  相似文献   
490.
《推进技术》1994,15(2):82-82
水射流技术在我国固体火箭发动机领域的研究与应用为改变我国固体火箭发动机制造技术和工艺装备的某些落后状况,近几年来,三院三十一所有针对性地开展了一系列水射流应用技术的试验研究和设备研制工作。研究结果表明:利用高压水连续射流和磨料射流的切割、冲蚀、破碎、...  相似文献   
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