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111.
为减少叶顶泄漏流带来的气动损失,本文对高压涡轮叶顶复合蜂窝的排布角度进行寻优,并分析其气动性能。研究过程保持叶顶蜂窝几何形状不变,改变复合蜂窝在叶顶的排布角度,降低叶顶二次流的总压损失系数和叶顶相对泄漏比。以叶栅出口下游30%轴向弦长位置的面平均总压损失系数为目标参数,利用Isight软件嵌套图形-网格自动生成流程,对0~57°旋转角度内的蜂窝排布方式进行遍历寻优,得到低总压损失的蜂窝排布方式。研究表明,最优排布结果与平叶顶相比,叶栅总压损失降低5.21%,与基准角度蜂窝相比降低1.34%。最优排布方案对叶顶泄漏流的阻碍效果更明显,增大了蜂窝对气流的耗散能力,降低了跨叶顶的横向驱动力,减少了泄漏涡的损失。 相似文献
112.
为了揭示压气机叶尖区旋涡结构与流动非定常性之间的关联,采用URANS对一亚声速平面扩压叶栅在不同攻角下的流场进行了求解,并借助Q判据提取了叶尖瞬态涡系结构。结果表明:泄漏涡的破碎现象能够通过诱导新的涡结构间接作用于相邻通道的叶尖流动,是导致叶尖流场失稳的关键因素。在-0.3°和+0.7°攻角下,叶尖泄漏涡发生了螺旋破碎,并伴随有非定常诱导涡的出现,诱导涡对相邻叶片载荷的影响使得叶尖泄漏涡发生周期性摆动;在+1.7°攻角下,泄漏涡破碎会导致反流涡的形成,反流涡的输运会给叶片载荷和来流攻角带来非定常扰动,反过来又会作用于泄漏涡的破碎和反流涡的生成,最终表现为一种自维持的非定常流动现象。 相似文献
113.
为了验证周向单槽机匣处理调控高压涡轮叶尖泄漏流的效果,本文在GE-E3高压涡轮第一级的机匣上引入周向单槽式机匣处理,通过数值模拟手段研究了周向单槽的轴向位置、槽宽和槽深对叶尖泄漏流调控的影响及周向单槽调控叶尖泄漏流的物理机制。结果表明:周向单槽的引入虽然会使叶尖泄漏涡尺寸变大,但会显著降低叶尖泄漏涡及机匣通道涡的强度,使得涡轮转子通道内流动总损失降低,涡轮级效率提高。在设计工况下获得的最优结构参数的周向单槽,可以使涡轮转子通道内的流动损失相对减小9.10%,涡轮转子的效率提高0.40%,级效率提高0.85%。同时发现设计工况下获得的最优结构参数的周向单槽结构,在非设计工况时也有良好的控制效果。 相似文献
114.
115.
为了适应航空发动机技术的发展,近十年间,主轴密封技术已取得重大进展,高性能气膜式端面密封已进入实用阶段,反转轴间密封技术已取得突破性进展。 相似文献
116.
电子信息设备工作时无意发射的电磁波中包含有用信息,会导致电磁信息泄漏,从而威胁设备的信息安全。现有的电磁信息泄漏检测方法,在复杂现场环境下,难以从具有不确定性的电磁泄漏信号中提取有用信息。面向电磁信息安全问题,开展了电磁信息泄漏检测研究,提出了一种基于深度学习的检测方法。设计了一个适用于电磁泄漏信号的一维卷积神经网络,并结合改进的梯度加权类激活映射方法,在未知电磁信息泄漏特征的前提下,通过深度学习实现电磁信息泄漏特征的智能标定和自动提取,从而解决了现场环境下电磁信息泄漏检测难以提取有用信息的问题。分别通过实测和仿真对比实验,验证了所提方法的有效性。 相似文献
117.
为了应对国产雷达所有元器件均国产化需求,设计了一款工作频点在1.2GHZ~ 1.4 GHz的国产氮化镓(gallium nitride,GaN)固态雷达发射机。使用国产GaN功率模块对发射系统最大限度地进行小型化设计,降低组件的重量,加强设备的高可靠性及维护方便性设计,进一步完善GaN功率模块在线测试功能,使产品具有高可靠性和完善的雷达故障诊断功能。增加系统的监控、检测及显示功能,并将各种工作状态信号都传输到主监控上,使系统的各种工作状态都能够在终端上显示,使操作人员通过终端界面便可以检查发射系统的各种工作参数,判断发射机的工作状态。在电磁兼容方面通过谐波滤波器对二次谐波的抑制,测试结果表明,发射系统输出信号的二次谐波小于等于-66dB。 相似文献
118.
采用三维气热耦合数值模拟方法,分析了凹槽间隙底面受到泄漏流冲击的流动特性,对气膜冷却参数对凹槽间隙气膜冷却换热效果的影响进行了研究,探讨了吹风比、冷却孔位置、冷却孔角度对壁面换热的影响,并结合三维流固耦合计算,研究了叶顶气膜冷却方式对叶顶表面传热的影响。结果表明,冷却孔位于间隙流动冲击凹槽底面上游位置能有效降低壁面Nu数,获得较低的叶片表面平均温度,此时大吹风比效果更好;所选取的冷却方式使得E3高压涡轮第一级动叶的最大无量纲温度降低了0.156。 相似文献
119.
120.
为了强化涡轮叶顶间隙泄漏抑制,提出了将被动式气动封严与叶尖几何改型方法相结合用于抑制叶尖泄漏及其损失的流动调控新方案。对叶顶凹槽与自发射流耦合的3种典型方案进行了模型试验和数值模拟,探讨了2种被动式抑制方法的耦合机理。研究表明,叶顶凹槽与自发射流(STI)之间存在明显耦合作用,当自发射流出口位于凹槽底部时,自发射流与凹槽涡(GV)预先掺混,导致2种抑制效应相互抵消,无法对泄漏流形成有效抑制,为不良耦合。而当自发射流出口位于凹槽压力边或吸力边时,自发射流的反吹阻滞效应与凹槽涡的动能耗散效应相叠加,对泄漏流形成2次有效封堵,为有效的耦合方案,而且以自发射流出口位于凹槽吸力边时,对泄漏流的抑制效果最佳。 相似文献