遥望星空的红外眼睛

红外线也是一种肉眼看不见的电磁辐射。它的波长比可见光短,波长范围在0.7微米至1000微米之间。地球大气对大部分红外线都有吸收作用,能够穿透地球大气到达地球表面的红外线只有7个特殊的波长,它们分别足1.2微米、1.6微米、2.2微米、3.6微米、5.0微米、11.0微米、20.0微米。     

太阳质子事件能谱不确定性导致的器官剂量变化

计划地球磁场外长期任务主要关注的问题之一是可能存在的大型太阳质子事件(SPE)，这类事件会以大注量质子和重离子辐射位于薄屏蔽航天器内的航天员。这将造成乘员敏感器官接受大剂量辐射，从而使任务变得十分危险，还可能威胁生命。不幸的是，由于已经出版的质子注量谱的不确定性仍然未知，所以预估乘员器官剂量非常困难。     

分形地形模拟

在抗ＡＲＭ武器系统图形仿真中采用了分形几何方法，鉴于分形在计算机图形学中的广阔应用前景，文中在简要介绍分形几何的概念及其应用的基础上，主要介绍仿真中采用的ｆＢＭ方法的概念、主要特性，进而讨论使用其合成技术ＭＰＤ法中的三角形构网和四边形构网方式来模拟地形图。     

出口马赫数分布可控的二元高超进气道双重反设计

在出口马赫数分布预先给定的前提下,利用二维有旋特征线理论实现了压缩面马赫数分布可控的两弯曲激波和三弯曲激波高超二元进气道反设计。数值计算结果表明,设计点时,无粘条件下两种反设计方法均能实现预设出口马赫数分布,有粘条件下反设计的进气道出口主流区马赫数分布与预设分布吻合较好,接力点时出口主流区马赫数仍然保持较好的均匀性。以上结果说明这两种反设计方法均是正确可行的。设计条件下,在捕获高度、无粘出口高度、设计无粘总压恢复系数和装配点处流动参数均相同时,两弯曲激波反设计方法波系简单、有粘接力点流量系数较三弯曲激波高10.2%;三弯曲激波反设计方法有粘时内收缩比较前者小17%,设计点和接力点时总压恢复系数分别较前者高2.9%和2%。     

氦气驱动预压涡轮泵启动初期反流问题分析

用于某液体火箭发动启动动系统的气驱预压涡轮泵在起动初期出现了气体反流,导致预压泵呈夹气状态,对发动启动动过程控制不利。根据驱动试验系统原理,在MWorks平台中对驱动过程进行了仿真。对预压泵采用了Suter全特性表达式,对涡轮管路及排放路分别建立了描述排空与两相流动过程的简化数学模型。结果 表明,导致反流的原因为涡轮入...     

圆弧变截面碳/环氧辐射肋芯模研制

介绍了一种圆弧变截面空心薄壁碳/环氧辐射肋成型芯模,涉及芯模设计、制造、脱模、检测、校形等相关技术。采用该芯模制造的圆弧变截面碳/环氧辐射肋应用于高精度网状抛物面天线,芯模精度稳定,满足碳/环氧辐射肋成型要求,芯模制造成本低,经济实用。     

反红外伪装

随着红外探测器的出现,反红外伪装的研究已成为当务之急。本文简要介绍反红外伪装的方法和器材,内容包括:(1)反红外侦察涂料;(2)迷彩伪装;(3)伪装烟幕;(4)红外诱饵;(5)红外辐射屏蔽。     

美国研发应用于太空环境的电子技术

2006年5月底，NASA与大学和工业界共同组成的一个团队签订了1份为期1年价值275万美元的合同，目的是进一步开发一种可靠的、具有良好成本效益的电子技术，这种技术能够帮助极端寒冷和太空辐射环境中的机器人和人类太空任务操作。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.