低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计

基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益( G_C )为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中.      

某型雷达导引头角度指示执行误差不合格故障分析

针对某型雷达导引头角度指示执行误差测试不合格并伴随加温冲击电流异常现象,通过功能和原理分析,建立故障树,逐节点故障排查确定故障部位,对故障件进行失效分析,最终定位故障点并分析其产生原因,为类似故障的排除提供参考。     

Micowind与HSpice设计CMOS D触发器

本文用Micowind与HSpice结合设计并分析了一个或非门D触发器。Micowind设计版图并提取Spice参数供HSpice使用,HSpice可以精确的仿真出D触发器的输出特性,并可以通过改变MOS管参数看到不同的MOS管对D触发器性能的影响。     

毫米波混合集成电路工艺

总结了毫米波混合集成电路的工艺技术。讨论了影响电路性能的关键工艺因素，优化了工艺条件，确定了最佳的工艺参数，从而研制成功了多种毫米波混合集成电路组件，为整机系统国产化及小批量生产创造了条件。     

浅析半导体集成电路的用户需要和标准要求

对半导体集成电路的国家标准、国家军用标准、“七专”技术条件和有关用户技术协议进行了对比分析,阐述了各种标准中规定的筛选、鉴定和质量一致性检验等各种要求的特点,说明了这些标准在不同应用场合的要求差别。     

硅片在快速热处理系统中的温度测量

国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率，开展了硅片快速热处理的研究，在这项新技术中温度测量起着关键的作用，由于地快速热化学蒸汽沉积过程中，硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时，同时测辐射量和反射率２个参数，然后由反射率计算发射率，通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术，并介绍了原理，实验设备和初步实验结果。     

新型双频双极化微带阵元的设计

提出了一种新型双频双线极化多层叠式微带天线阵元。阵元的馈电机构是一种极化用孔径耦合，与之正交的极化用直接耦合。与其他类型的阵元相比，对两种极化而言，该微带阵元具有较宽的工作频段、较大的端口隔离和较高的辐射效率。使用基于矩量法(MoM)的通用软件进行了参数研究，并给出了研究结果。根据模拟尺寸制作了样机，并对样机进行了测试。测量结果与数字结果吻合良好。     

ASIC技术在弹载计算机小型化中的应用

扼要介绍了高层次设计方法和ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）技术，并给出了一个在弹载计算机小型化设计中的应用实例。     

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。