自主创新 科学发展 努力向国际一流电子技术大所迈进

中国航天科技集团公司第九研究院第771研究所始建于1965年10月,地处古都西安,是全国唯一的集专用微计算机、半导体集成电路和混合集成电路科研生产为一体的大型专业研究所,现有在职职工4855人,各类专业技术人才2300余人。45年的发展中,771所创造了我国计算机和集成电路发展史上的＂十个第一＂,成功参加了以神舟飞船、嫦娥一号、二号探月卫星等为代表的780余次国家重点工程研制及发射任务,为我国航天事业的崛起与腾飞作出了重要贡献。共取得科研成果2000多项,其中国家级40项,省部级240项。     

集成电路质量控制案例分析与建议

选取集成电路实际失效分析典型案例,对其主要失效模式及失效机理进行分析与研究,并对集成电路的质量控制及整机产品的设计提出几点建议。     

无刷电机在天马织机上的应用

介绍了 机的结构及工作原理，专用集成电路控制器ＭＣ３３０３５的内部构造及所组成的无刷电机调制速率， 天马Ｅｘｃｅｌ织机电子送经和电子卷系统。     

基于CPLD／FPGA的航空逆变电源控制电路

随着电子技术的不断发展与进步，电子系统的设计方法发生了巨大的变化，EDA技术的芯片设计正在成为电子系统设计的主流，逐步替代了传统的设计方法，大规模可编程器件CPLD／FPGA是当今应用最为广泛的可编程专用集成电路，本文将介绍其在航空逆变电源控制电路上的应用，说明了它具有缩短开发周期，降低成本，提高系统可靠性等优点，这项新的EDA技术对促进航空事业的快速发展有着积极的意义。     

朱迪思·雷斯尼克

早期经历：1970年～1971年任新泽西州穆尔斯敦市无线电公司设计工程师：1971年后在弗吉尼亚州斯普林菲尔德无线电公司任职，从事相控阵雷达控制系统的集成电路研制工作；作为设计部门的代表参加了美国航空航天局地球物理火箭和遥测系统项目的研制工作。     

航空电子小型化技术的发展

本文对航空电子小型化技术发展专用半导体集成电路(ASIC)、混合集成电路(HIC)和表面安装技术(SMT)做了介绍,并分析了它们用于航空电子设备的优点和问题。     

某型发控车计时控制系统

文中介绍某型地空导弹集成化发射控制车采用的部分ＣＭＯＳ集成电路，并简述了由集成电路构成的计时控制系统工作原理。     

SDI中的天基雷达

美国通用电气公司正在研究天基探测技术在战略防御计划(SDI)中的应用,重点是天基雷达的发射及接收电路以及信号和数据处理。本文介绍了天基雷达应具备的五个特点,即波束捷变、高分辨率、性能可靠、价钱便宜、识别目标能力强。文章中还提出了单片微波电路和雷达的设计方案。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.     

MCM和3—D封装

评述了多芯片组件（ＭＣＭ）、晶片规模集成（ＷＳＩ）、３—Ｄ堆垛技术以及３—Ｄ封装的概念、结构和特性．重点介绍了ＭＣＭ在航空机载电子设备中应用的实例，简要地描述了下一代微电子技术的某些发展方向．