星载L波段宽带低噪声放大器芯片设计

基于0.25μm 砷化镓赝品高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构，降低了芯片的工作电流，节省了宝贵的卫星能量资源；通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度，提高了卫星通信质量；恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小，芯片维持在稳定的工作状态下。测试结果表明：该放大器工作电流为35mA，在频率范围0.9~1.8GHz内，增益大于33dB，噪声系数小于0.6dB，增益平坦度小于0.5dB；芯片尺寸为2.0mm×1.3mm，满足航天产品的高性能小型化应用需求。     

新千年的相控阵

这篇综述文章概述了针对地面、舰船、飞机和空间应用的无源、有源双极型和单片式微波集成电路（MMIC）相控阵近期的发展和未来的趋势。文章论及THAAD（以前是GBR）、欧洲COBRA和以色列的BMD雷达天线；荷兰舰载APAR；机载的有美国F-22、欧洲AMSAR、瑞典AESA、日本FSX和以色列Phalcon；Iridium(轨道上66颗卫星共198个天线)和Globalstar MMIC星载天线；Thomson-CSF晶片集成94GHz导引头天线；数字波束形成；行和列铁氧体电扫描；通讯和雷达的光电扫描；通信、雷达、电子对抗（ESM）和ESM的MMIC C波段至Ku波段的高级共享孔径计划（ASAP）天线系统；以及连续横向短线（CTS）可变电压介质（VVD）天线。     

一种用于便携式GPS接收机射频芯片的低功耗低噪声放大器

针对便携式GPS系统对低功耗射频前端的需求,基于SMIC 180nm 1P6M RF CMOS工艺提出一种具有单端转差分功能的低功耗低噪声放大器。为了实现低功耗的目标,低噪声放大器的晶体管均被偏置在中等反型区。考虑ESD保护和焊盘寄生效应,后仿真结果显示,在最差工艺角情况下,增益为19dB,三阶交截点为-14dBm,噪声系数为4.2dB,输入回损为-8dB。在0.7V供电电压下,功耗为1mW,增益功耗比为19dB/mW,十分适合应用在便携式手持GPS领域。     

双极值模糊软K-代数

引入双极值模糊软K-代数的概念,讨论关于双极值模糊软集的交,并运算的相关性质以及它在模糊软K-同态下像的性质。通过双极值模糊集的（t,s）-水平截集给出了双极值模糊软K-代数的等价刻画。     

国产二次集成电路的主要失效模式及分析

在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上，分析了其产生的原因，并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。     

航空专用集成电路的技术及产业发展

航空专用集成电路是航空电子系统的核心和基础,本文从微电子技术的发展出发,介绍了信息系统的芯片集成和多芯片组件／系统级封装技术。在此基础上给出了航空专用集成电路的基本概念及类型,介绍了国外航空专用集成电路产业的发展状况,对商用芯片应用于军事领域可能产生的问题以及航空专用集成电路的关键技术进行了分析。     

多晶硅沉淀的灰色分析

本文给出了灰色信噪比的定义，并将其用于多晶硅沉淀的数据分析，使表面缺陷和沉淀厚度在最佳条件下试验结果与灰色预估值更符合。     

可编程逻辑器件的VHDL设计

新型的可编程逻辑器件（ＰＬＤ）已经显著改变了数字系统的设计过程，且超高速集成电路硬件描述语言（ＶＨＤＬ）在设计流程中的作用也日益显著。简要讨论在ＰＬＤ的ＶＨＤＬ设计中的一些注意事项，以期提高ＶＨＤＬ编码的效率和精确度。     

大功率HIC组装封装工艺研究

简要叙述了大功率混合集成电路(HC)组装、封装过程出现的工艺技术问题及解决途径。通过制造厚膜电阻基片,背面金属化、锡焊、粗线压焊、管壳结构设计、封装等方面的研究和实验,研制出了十余种大功率混合集成电路,满足了型号任务的需要。     

积极实施国家军用标准提高微电路质量与可靠性水平

简述了电子元器件产品研制与生产中实施国家军用标准的作用,介绍了硅栅CMOS集成电路和薄膜混合微电路两条生产线实施国家军用标准所做的工作情况,同时谈了做法和体会。