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201.
202.
从分布式压电源声激发原理出发,分析了具有不同空间畴结构和激发方式的声激发问题;提出和证明了用上述晶体激发高频体声波的可能性,并导出用上述晶体做成高频、高转换效率的压电换能器的输入阻抗或导纳的解析表式,这种换能器工艺比较简单。 相似文献
203.
详细讨论了21.4MHz系列单片晶体滤波器的基本原理、设计方法、实验结果诸问题。特别是对八极点单片晶体滤波器。论述了不同电极形状和滤波器电气性能之间的关系。 相似文献
204.
205.
206.
为了提高核探测、航空航天、国防和精密科学仪器等领域中传统电子倍增器的性能,使其在较低的工作电压和入射电子能量下实现高增益、低噪声、长寿命的目标,在材料制备、二次电子发射测试和电子倍增器性能优化等方面开展了大量研究工作。利用原子层沉积(atomic layer deposition, ALD)技术研制了具有较高二次电子产额(secondary electron yield, SEY)的新型薄膜材料,研究了元素掺杂和表面修饰改善材料二次电子发射特性的方法,详细测试了薄膜材料的二次电子发射特性参数。利用ALD技术将新型薄膜材料成功应用于微通道板(microchannel plate, MCP)和单通道电子倍增器(channeltron electron multiplier, CEM)中,测试结果如下:相同工作电压下,镀膜后MCP组件的增益、单电子分辨率、峰谷比分别改善了约166%、17%和260%;对于单个CEM,镀膜前工作电压为2700V时增益才能达到108,而镀膜后1600V下即可达到相同增益(工作电压降低了1100V),并且其它各项参数(分辨率≤26%,累计拾取... 相似文献
207.
208.
利用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(KH-550)和2-溴代异丁酰溴(BIB)对纳米二氧化硅进行改性制备了原子转移自由基聚合(ATRP)纳米活性中心,采用紫外光引发丙烯酸十二氟庚酯活性聚合接枝在纳米二氧化硅表面并沉积在玻璃基材表面制备了超疏水表面。通过热失重分析纳米活性中心的接枝率,采用水接触角研究了纳米活性中心含量和光聚合时间对超疏水性能的影响。结果表明:随着纳米二氧化硅活性中心浓度增加,工艺稳定性变好,但光聚合沉积形成超疏水表面所需的时间要长。纳米二氧化硅活性中心浓度为3.63μmol/g为最佳,经40 min光引发活性聚合后,二氧化硅表面含氟聚合物的接枝率达到34.12%,接触角达到164°,表面微纳结构致密。 相似文献
209.
针对高超声速风洞试验中对高频热流脉动的测试需求,研制了一种基于横向热电效应的原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。利用弧光灯热流传感器标定系统对其进行静态标定,获得ALTP热流传感器的灵敏度系数约为8.24 μV/(kW·m-2),优于国外同尺寸敏感元件的ALTP热流传感器6.90 μV/(kW·m-2)的灵敏度系数;利用激波风洞试验,并通过与薄膜热电阻热流传感器对比,初步获得ALTP热流传感器的响应时间上限,响应时间小于0.20 μs。 相似文献
210.
许朋 《西安航空技术高等专科学校学报》2021,(5):71-75
为了分析铯原子3011 nm红外激光能级分布的特点,建立能级跃迁的密度矩阵方程,并采用数值计算方法进行求解,研究出两种泵浦方案下布居几率随不同泵浦激光拉比频率的变化.计算结果对产生高功率铯原子3011 nm红外激光而选择合适的泵浦能级、泵浦光强度具有一定参考意义. 相似文献