SGCMG系统运动奇异机理及研究进展

介绍了单框架控制力矩陀螺（ＳＧＣＭＧ）系统的运动奇异机理,并对当前运动奇异的研究概况进行了综述;通过分析可以知道,对于ＳＧＣＭＧ系统奇异机理的认识,现在还处于一个较浅的层次上,还远达不到ＳＧＣＭＧ系统非奇异操纵的需要;同时指出,ＳＧＣＭＧ系统奇点的分布及可回避性判别将是未来ＳＧＣＭＧ系统运动奇异机理研究的主要方向。     

基于OCP的实时自适应资源管理技术研究

无人飞行器的自主飞行是一个非常复杂的过程,未来的先进无人飞行器要求能够对外界的环境扰动和突发事件做出迅速的反应,这就对资源的分配与任务的调度有了更高的要求,传统的技术手段已经不能适应先进无人飞行器的要求,本文从先进无人飞行器对QoS(Quality of service,服务质量)的要求出发,着重介绍了一种基于全新的OCP(Open Control P latform,开放式控制平台)的实时自适应资源管理技术,在介绍了一种Anytim e任务的调度方案之后,给出了下一步工作的重点。     

数据传输卡插拔互换性技术探讨

介绍了数据传输卡(DTC)插拔互换性技术有关的几个问题。在产品有使用延续性要求的限制下,在不提高原零部件制造精度和不改变原装配方式的条件下,提出了按照模拟量传递原则而建立的标准体系——装配检验对合平台,并以此在生产中实施,满足了产品使用互换性要求。同时提出了一种新型弹顶组件的设计,使弹顶位置更合理,弹顶更可靠,从而进一步提高了产品插拔可靠性。     

锂离子电池单离子导体聚合物电解质研究进展

锂离子电池在3C电子产品和动力汽车电池行业广泛应用,在航天电源领域也展现出一定的前景。单离子导体是基本仅由参与电化学反应的锂离子迁移的电解质体系,解决传统锂离子电池液态电解质存在的副反应和阴离子的浓差极化等问题,改善电池的库伦效率和循环寿命。研究者们发展了多种类型的单离子导体电解质。本文总结了近5年来不同阴离子类型的单离子导体聚合物电解质合成策略以及分子动力学模拟计算的最新进展。     

欧洲顺利完成伽利略导航卫星平台集成测试

日前，欧空局的伽利略在轨测试卫星的工程模板平台集成测试工作在位于意大利首都罗马的泰雷兹·阿莱尼亚航天中心顺利完成，该平台目前正在进行功能测试。     

基于大修平台的异地抢修安全生产探究

基于航空器大修平台，对如何安全、快捷并有效地组织异地抢修工作展开探讨，总结出一套适应当前民航业新形势的多元化管控异地抢修生产组织模式。     

单代号网络计划在民机短停保障中的应用研究

针对航班延误越来越严重的现状,提出了把单代号网络计划应用于机务过站保障中的方法。单代号网络计划是一项在建筑领域用于合理规划项目工期的成熟技术。该技术首次用于民用飞机短停保障,可以找到短停保障的关键线路和工期,通过规划调整关键线路,不仅能够解决工期问题,还可降低因机务原因引起的航班延误率。     

基于单颗粒模型的航发叶片砂带磨削微观仿生锯齿状表面形成及实验

基于鲨鱼皮衍生出来的微观仿生表面被广泛应用于机翼等航空零部件的设计中，对于提高航空零部件的疲劳寿命、气流动力性等服役性能具有重要作用。砂带磨削能实现零部件表面的高完整性要求的加工，故常用于叶片、整体叶盘等复杂曲面的精密磨削，且能实现微观表面形状，但目前缺乏砂带磨削微观表面的系统研究从而难以实现其精确控制。首先，分析了微观仿生锯齿状表面的典型结构特征，基于单颗粒砂带磨削模型，研究了单颗粒砂带磨削去除机理；然后，建立了砂带磨削多颗粒参数化数学模型，提出了微观仿生锯齿状表面砂带磨削方法；最后，以钛合金叶片型面为对象，搭建以钛合金为典型材料的微观仿生锯齿状表面砂带磨削基础实验平台，进行仿生表面的实验验证。通过对磨削后叶片的表面微观形状参数进行检测，结果表明通过砂带磨削方法实现的微观仿生锯齿状表面以锯齿形沟槽为主，其中沟槽的宽度在2.5~8 μm之间、平均值为4.91 μm，沟槽的高度在3.5~9 μm之间、平均值为5.91 μm，沟槽的夹角在28°~68°之间、平均值为42.3°，验证了微观仿生锯齿状表面砂带磨削的可行性。     

考虑星敏感器安装误差的弹道导弹捷联星光/惯性复合制导

弹道导弹捷联星光/惯性制导是在惯性制导基础上辅以星光修正的一种复合制导方法，能够显著提高导弹制导精度。由于星敏感器捷联安装在弹体上，安装误差会影响恒星测量的精度，进而影响复合制导精度，为此提出一种在线辨识并修正星敏感器安装误差的复合制导方法。建立了星敏感器观测量与数学平台失准角、星敏感器安装误差的关系方程，在导弹主动段关机后测量3颗独立的恒星获得6个观测量，利用最小二乘法估计出失准角和星敏感器安装、误差。改进了星光/惯性复合制导的最佳修正系数确定方程，直接修正了星敏感器安装误差的影响。数值仿真结果表明：所提方法可以有效地估计平台失准角和星敏感器安装误差，提高了捷联星光/惯性复合制导的精度。     

SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现

为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能，本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间，实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比，电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ，加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现，其抗辐照指标分别为：抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ，抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ，抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。