分布式航空电子系统信息传输机构设计研究

 航空电子系统日益增长的复杂性使其必须走向分布式处理的道路。本文介绍一个基于1553B总线的分布式航空电子系统的实验模型——EPDAS系统,讨论了EPDAS系统信息传输机构的有关组成部分:总线通信协议、通信管理软件和总线接口,本文在分析传统的同步总线控制方式的缺点之后,提出了询问和命令/响应相结合的总线控制方式,该方式能提高总线传输的效率和实时性。在EPDAS系统的总线接口设计中,引入了流水线并行处理技术,解决了总线接口的瓶颈问题,并使之易于VLSI化;伪DMA控制的概念,使总线接口电路更加简化;共享存贮器的互连技术,具有效率高、控制简单、容易实现等优点。EPDAS系统结构合理、效率高,符合国情、适合于新一代的飞机。     

极光区电离层Hall电导率的观测及其在E层电子加热情况下的特征

本文利用欧洲的ＥＩＳＣＡＴ雷达观测资料及与这配合的地磁观测数据，用电离层参数直接计算和地面磁场反演两种方法导出了极区电离层Ｈａｌｌ电导率，特别显示出在强对流电场激发的Ｅ层等离子体不稳定波对电子加热情况下，电导率明显增高。     

一种微波等离子体原子氧模拟装置

介绍了一种新颖的原子氧模拟试验装置。该装置采用了微波电子回旋共振（ｅｌｅｃｔｒｏｎｃｙｃｌｏｔｒｏｎｒｅｓｏｎａｎｃｅ简称“ＥＣＲ”）的先进技术。最佳调试状态下，可获得１０（１５）／（ｃｍ２·ｓ）的束流。在该试验装置上，对航天器上常用的Ｋａｐｔｏｎ和石墨环氧材料进行了原子氧效应试验，首次在国内成功的获得了原子氧束流模拟试验的样品结果。对样品的表面形貌分析证明：试验结果完全与国外同类设备的试验结论一致，这标志着中国在原子氧地面模拟技术领域的研究已取得重要进展。     

电子元器件分类标准浅折

介绍了我国目前电子元器件分类相关标准及民间各企业的分类方法,分析了相关分类标准及分类方法的不足,为电子元器件分类标准的制定提供参考价值.     

基于数值分析方法的SAS线端高速连接器设计

SAS高速连接器具有传输速度快、抗干扰能力强等优点。高速信号通过连接器进行传输时，由于信号的反射与串扰影响到信号的完整性，保证信号传输的完整性成为SAS高速连接器的关键。论文通过对高速信号在连接器中传输的理论研究，利用数值分析的方法确定分析设计方案，并对实物进行测试，验证了所设计的SAS高速连接器的正确性、优越性，为解...     

圆柱度仪系统误差的验证分析及消除

介绍了在使用MMQ400圆柱度仪测量高精度圆柱度时,通过对不同测量方法的测量数据差异对比及分析,验证测量系统误差对测量的影响,并提出消除系统误差的方法.     

10 cm口径发散磁场离子推力器放电模型

为研究10 cm口径发散磁场离子推力器内部的放电过程并对后续工程改进提供参考，采用COMSOL多物理场耦合软件建立推力器放电模型，获得关键放电参数，并根据试验结果进行验证。模拟结果表明：放电室内部上游磁极和下游磁极之间形成具有强烈发散特性的磁场，并在正交电场的影响下，使电子发生以磁力线为导向中心的霍尔漂移运动；放电室内部气体压强分布均匀且基本在0.1～0.11 Pa范围内，大部分区域的中性原子密度约为1.5×10¹⁹ m^-3，流体速度在0.2～0.9 m/s的范围内且呈现明显的黏滞流特性；电子密度峰值出现在阴极出口区域，约为8.57×10¹⁸ m^-3，阳极壁面附近及栅极上游区域的等离子密度约为6.8×10¹⁷ m^-3。试验结果显示：采用E×B探针测量得到双核离子占总束流离子比为14.1%，根据COMSOL计算值得到的0.353 mA束流理论值与0.323 mA的束流实测值比对误差为9%，误差主要来自于仿真条件设置及试验测量。研究结果可为离子推力器工程化改进...     

间冷回热循环发动机电子样机设计

在追踪和分析国外间冷回热技术在航空发动机领域应用的基础上,根据国内研究现状,对间冷器和回热器进行了模拟实验研究。初步拟定了间冷回热发动机总体结构方案,并将此结构方案建立为电子样机。总结了间冷回热发动机中各部件、系统,以及特有的间冷器管路系统和回热器管路系统的布局规律。通过样机建模,初步掌握了间冷回热发动机总体结构方案设计特点,探索了各部件、系统的布局,为间冷回热发动机的进一步研究积累了经验。     

基于VALOR NPI的航空电子模块DFM分析实现

为有效解决设计缺陷造成的航空电子模块可制造性问题,结合航空电子模块产品特点和工艺技术水平,提出建设基于VALOR的航空电子模块可制造性设计自动化设计平台,实现DFM自动化分析与设计,阐述了DFM设计的必要性、技术原理和实现过程,提出了“三库”构建方法和基于物料清单的印制电路板数据分析方法,应用结果表明,提出的方法能够覆盖PCB可制造性问题,提高分析效率。     

日照边缘区域电离层对耀斑的响应特点研究

利用MSIS模型和背景太阳辐射谱模型,在一定大耀斑辐射谱假设的前提下,计算了耀斑期间日照边缘区域的电子产生率,分析了这一区域电离层电子密度的变化特点.结果表明,大耀斑期间在日照边缘区域,甚至大于太阳天顶角90°的区域都有明显的电子产生率的增加.从不同太阳天顶角处的电子产生率剖面的形态来看,随着天顶角的增加最大电离率减少,但高度增加.计算还显示了在太阳天顶角小于90°的区域内电子产生率的垂直分布有明显的双峰结构,这种结构对应着电离层的E区和F区,但在天顶角大于90°区域,F区的电子产生率要大得多.考虑到离子和电子的复合过程,这一区域的总电子含量的增加主要产生在高F区.