机械能助渗锰工艺及其发展前景

本文对机械能助渗锰及常规的粉末渗锰工艺、渗锰层组织、结构进行了探讨。利用运动的粉末粒子的机械能冲击工件表面进行助渗锰，将渗锰温度由传统化学热处理的1000℃降低到300℃，可有效地提高耐蚀性和使用寿命。机械能助渗锰技术的社会经济效益好，很有发展前景。     

CMP加工过程中加工载荷对液膜厚度的影响分析

本文采用激光诱导荧光技术(LIF)来研究抛光参数对化学机械抛光加工区液膜厚度的影响.研究表明,抛光液膜厚度随着抛光载荷的增加而减少,减小的趋势随抛光载荷的提高而减缓.同时液膜厚度随着抛光速度的增加而变大.通过抛光参数的变化对抛光液液膜厚度影响的分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据.     

《宇航计测技术》2010年总目次(总第175期～180期)

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基于倒金字塔结构的自供电Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器

随着光电器件的进一步发展,陷光结构得到广泛关注,但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1μm以下调控,研究发现平均尺寸为1μm倒金字塔结构具有最优异的陷光性能。将具有优异陷光性能的倒金字塔结构硅衬底应用于Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器,该光电探测器在外加0 V偏压条件下对980 nm波长的光具有61mA/W的响应度和9.20×10¹² Jones的比探测率,实现了卓越的光电响应性能。本文为高性能Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器的制备提供了一种新思路,证明了倒金字塔结构具有广阔的应用前景。     

利用GPS载波相位实时测定动态飞行器姿态

本文阐述了利用GPS载波相位信号进行实时飞行器姿态测定的基本思想,建立了整个系统实时确定载体姿态的数学模型;给出了动态整周模糊单差的求解过程,阐明了其物理意义．     

界面相对3D-C/SiC复合材料热膨胀性能的影响

利用减压化学气相浸渗（LPCVI）技术制备了3D C/SiC复合材料,从热解碳（PyC）界面相厚度对界面结合强度和热应力的影响出发,研究了界面相对复合材料热膨胀性能的影响。结果表明:①界面相厚度对3D C/SiC复合材料热膨胀性能的影响主要归因于其对界面结合强度和脱黏面上的滑移阻力的影响。在一定厚度范围（约70～220nm）内,材料的热膨胀系数随热解碳厚度的增加而逐渐降低;②热处理可提高材料的热稳定性,并通过改变材料内部结构,使热应力重新分布,对复合材料的高温热膨胀产生显著影响,但是,并没有改变基体裂纹的愈合温度（900℃）。     

基于PLZT的RAINBOW陶瓷的特性及其微观结构

RAINBOW陶瓷是一种具有内部应力偏移 ,并具有特殊的拱形结构的大位移驱动材料 ,它是通过将普通的压电陶瓷在高温下化学还原制备所得。实验表明 ,PLZT压电陶瓷具有较好的还原性能 ,还原层厚度与时间有线性关系 ,理想的还原条件为 :95 0℃保温 1～ 1 5h ;电镜照片显示RAINBOW陶瓷有明显的分层结构 ,还原层表现出穿晶断裂而未还原层则是沿晶断裂的特征。XRD谱发现还原层主要由金属Pb及PbO ,ZrO2 ,ZrTiO4等氧化物组成 ,原先的晶体结构已不存在 ;还原机制的理论分析与实验结果一致     

镀镍碳纳米管的制备及电磁性能

将碳纳米管经过纯化、敏化、活化处理后,采用化学镀方法制备镀镍碳纳米管,利用DSC分析出合适的热处理温度,然后在惰性气体保护下进行退火处理.利用TEM、EDS、XRD对退火前后镀镍碳纳米管的形貌、元素组成、结构进行表征.结果表明:碳纳米管表面被成功镀上了一层镍磷合金,热处理后镀层更光滑,并发生晶化反应得到晶态镍,使得电磁性能得到较大提升.电性能测试表明,镀镍碳纳米管的电导率为450 S/m,热处理后提高到1400 S/m.磁性能测试表明,镀镍碳纳米管热处理前后均表现为软磁性,热处理前饱和磁化强度为2.753 emu/g,热处理后提高到11.254 emu/g.     

欧空局将造“哨兵5前驱”卫星

欧空局已选定由阿斯特里姆英国公司来建造“哨兵5前驱”对地观测卫星,合同价值6100万美元。卫星将采用“宇宙星”250平台,发射重量预计约500千克,定于2015年发射到800千米的极轨道,用于研究大气化学。     

航天火工品爆炸引起的电磁干扰测量

通过地面模拟试验测量了火箭分离时火工品的爆炸产生的电磁辐射.通过杆天线和实时频谱仪测量了不同种类的航天火工品的爆炸辐射,表明辐射随着爆炸能量的增加而增强.使用聚能炸药索时,在爆炸分离后的数十毫秒内都会有明显的电磁脉冲出现,其频率主要集中在兆赫兹量级,在单个频点上的电场峰值可达数个V/m.使用偶极子天线对爆炸时舱体内外的电磁环境进行了对比,并对舱内线路上的感应电流脉冲进行了测量,得到了一些初步结论.试验结果可为舱内电子设备的抗干扰设计提供参考.