星载微波功放二极管线性化器研究

文章讨论了两种应用GaAs肖特基二极管实现的线性化器。首先进行了原理分析,之后给出了具体的电路形式和仿真结果,最后得出这两种结构线性化器是否适合星载微波功放的结论。     

科技成果

微电子所研制成功高性能Ku、Ka频段功率放大器模块和国内首个256位分子存储器电路;中、澳科学家在太阳能电池材料上取得重要进展;美IBM公司展示运算速度高达1000万亿次／秒的全球最快超级计算机;韩国开发出智能皮肤天线;美国早期载人航天影像完成高清转换。     

一种微波功率放大器的热设计与验证方法

大功率、高热流密度微波功率放大器是环境监测有效载荷中的关键设备,对整星的热设计影响很大.功率放大器的热设计的目的是满足温度需要,从而确保功率放大器的安全可靠工作.文章在完成热设计的基础上,确定热控设计方案,对功率放大器进行了热试验.试验结果表明,热设计可以满足要求.     

用于下一代X波段T／R模块的20WGaN高功率放大器（HPAs）

用于未来X波段有源相控阵天线的下一代T／R模块的高功率放大器是在新型AlGaN／GaNHEMT结构的底板上实现的，该HEMT结构外延形成于Sil晶片基板上。设计和实现了作为发射链关键元件的混合和单片集成电路。 在混合电路设计基础上，可实现23W（436dBm）的最佳峰值功率电平及29％的相应功率增加效率（PAE）。在2GHz（X波段）的带宽范围内输出功率电平大于20W。 在一种更为复杂的方法中，采用新型通孔微带技术首先设计、仿真并制作了单片微波集成电路（MMICs）。在12mm^2的小型芯片上测量出了20W（43dBm）的输出功率电平以及30％的相应PAE。获得了高达36．5％的最大功率增加效率值。     

大功率高效率星载固态功率放大器研究

针对卫星系统对于微波大功率放大器的需求,研制了L频段200W高效率固态功率放大器,对其设计方法和关键技术进行了详细论述。应用低温共烧多层陶瓷技术,实现了射频电路的高集成和小型化;基于第三代半导体器件,应用波形赋形及线性补偿技术,提升了射频电路的功率和效率;采用移相全桥拓扑,研制了高效率、大功率二次电源。在1.45~1.55GHz的频带范围内,固放整机输出功率大于200W,效率高于60%,3阶交调优于18dBc,同时具备30dB增益可调,360°内步进5.6°的相位可调能力。试验结果表明,该固放为目前国内星载领域连续波功率和效率最高的单机。     

应用于D类放大器的新型混沌频率调制电路

针对D类音频放大器的电磁干扰问题,提出了应用于D类音频放大器的易于集成的混沌频率调制电路.电路中设计了新型的混沌序列生成器,并利用频闪映射方法建立了电路的混沌模型.新型电路在保留D类音频放大器结构的基础上,采用了全新的混沌频率三角波生成器,即以频率混沌变化的三角波替代了传统D类音频放大器中作为脉冲宽度调制载波的固定频率三角波.该电路已采用0.35μm CMOS工艺设计、验证和实现.仿真实验结果表明,使用混沌频率调制的D类音频放大器输出信号实现了15dB的电磁干扰峰值能量降幅.     

MOMENTUM法设计微波功率放大器

文章在对Momentum方法进行研究的基础上,利用ADS软件进行2-tone负载牵引法得到了晶体管输入和输出阻抗。在晶体管稳定性分析的条件下,运用共轭匹配法设计匹配网络,并将匹配网络转化为Momentum元件再用于电路设计中,大大提高了设计的准确性。成功设计出了LDMOS微波功率放大器。对比采用Momentum元件和理想原理图设计两种情况下功率放大器的小信号S参数和大信号下的输出结果,证明了设计过程的准确性。     

基于LMS算法的自适应数字预失真技术研究

文章研究了基于查找表LUT方法的功率放大器自适应数字预失真技术。针对传统的基于线性收敛算法的自适应收敛速度较慢的不足,文章根据自适应滤波理论中的LMS算法,推导并仿真验证了适用于功率放大器自适应数字预失真技术的LMS算法,并从功率放大器的传输特性、输出频谱等方面将此算法与线性收敛的Rascal算法进行比较,仿真结果表明了LMS算法收敛速度更快、预失真效果更好。     

MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm~2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。