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431.
朱珠康焱张力丹胡毅飞 《宇航计测技术》2023,(3):21-25
介绍了量子直流纳伏电压标准的基本原理、标准的组成、实现方案以及试验数据等等。量子直流纳伏电压标准基于交流约瑟夫森效应,利用可编程约瑟夫森直流电压标准的差分原理实现直流纳伏电压的产生。提出了量子直流纳伏电压标准的基本方案及改进设计方案,进一步提升了标准的性能。量子直流纳伏电压标准能够提供高准确度纳伏级量子化直流电压信号,不仅为纳伏级直流电压的精密测量提供了新的手段,还可以解决纳伏级直流电压的量值溯源难题。 相似文献
432.
针对航空电驱动系统零低速域高性能无位置传感器控制算法的需求,本文提出了一种基于零电压注入的无位置传感器控制策略。首先,针对传统高频注入法的高频噪声问题,引入随机高频信号代替传统信号,在估计的d轴中激励出与位置相关的响应电流。随后,对传统信号及随机高频信号的噪声产生与抑制机理进行理论分析;进一步分析死区效应对位置观测的影响,在随机高频信号注入基础上,额外注入零电压矢量,并设计死区补偿策略以抑制由死区效应所引起的位置观测误差。最后,通过MATLAB/Simulink验证了所提出无位置传感器控制策略的有效性。本文所提出的算法可实现零低速域的低噪声低谐波无位置传感器控制,对航空电驱动系统控制策略的设计具有参考价值。 相似文献
433.
接口阻抗测试是航天产品中对产品状态是否正常来进行判断的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。本文针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立了对应的电路模型,对芯片静电损伤的现象进行理论分析。分析说明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。 相似文献
434.
通过设计的试验电路,研究了零电压型混合式限流装置换流过程中的燃弧能量及开距长度对于介质恢复时间的影响,对临界击穿电压值函数内的参数进行了拟合,得到了一些规律性结论。 相似文献