苏联研制长寿命军用卫星

苏联军事航天计划仍然保持强大实力。尽管发射活动有所减少,但苏联国防官员们正在从事新的研制和革新。目前,苏联正在为军事海洋监视卫星研制新的战术,并有效地用于照相侦察卫星。在苏联导弹早期预警计划中使用的卫星已得到改进,在轨工作时间更长。另外,苏联正在加速研制新的照相雷达卫星,这对军事和民用航天用户都是有益的。在1990年头3个月,苏联共发射了15颗卫星,其中包括9颗专用于军事飞行。9颗卫星中有3颗是照相侦察卫星,其余有海洋监视、导弹预警、弹道导弹防御和军事通信     

航空复合材料市场分析展望

无论从重量还是从价值看,航空复合材料市场是全球复合材料市场中最大的单体市场。随着新一代飞机复合材料的用量的极大增加,将更加稳固航空复合材料市场在全球复合材料市场的地位。     

电子元器件分类标准浅折

介绍了我国目前电子元器件分类相关标准及民间各企业的分类方法,分析了相关分类标准及分类方法的不足,为电子元器件分类标准的制定提供参考价值.     

航空新研元器件质量与可靠性控制要求研究

根据多年的新研元器件管理与技术工作的研究和实践,提出新研元器件的立项论证、研制单位选择、研制合同签订、研制方案评审、初样研制、正样研制、详细规范审查、技术鉴定评审、检验验收、技术状态控制、信息管理等过程的质量与可靠性控制要求。     

基于数值分析方法的SAS线端高速连接器设计

SAS高速连接器具有传输速度快、抗干扰能力强等优点。高速信号通过连接器进行传输时，由于信号的反射与串扰影响到信号的完整性，保证信号传输的完整性成为SAS高速连接器的关键。论文通过对高速信号在连接器中传输的理论研究，利用数值分析的方法确定分析设计方案，并对实物进行测试，验证了所设计的SAS高速连接器的正确性、优越性，为解...     

航天型号行波管放大器工程规范架构设计

分析航天型号行波管放大器质量保证工作要求及相关规范的现状,以考核要求、性能参数指标和质量控制要求等体系为研究重点,提出航天型号行波管放大器工程规范架构的设计思路。     

10 cm口径发散磁场离子推力器放电模型

为研究10 cm口径发散磁场离子推力器内部的放电过程并对后续工程改进提供参考，采用COMSOL多物理场耦合软件建立推力器放电模型，获得关键放电参数，并根据试验结果进行验证。模拟结果表明：放电室内部上游磁极和下游磁极之间形成具有强烈发散特性的磁场，并在正交电场的影响下，使电子发生以磁力线为导向中心的霍尔漂移运动；放电室内部气体压强分布均匀且基本在0.1～0.11 Pa范围内，大部分区域的中性原子密度约为1.5×10¹⁹ m^-3，流体速度在0.2～0.9 m/s的范围内且呈现明显的黏滞流特性；电子密度峰值出现在阴极出口区域，约为8.57×10¹⁸ m^-3，阳极壁面附近及栅极上游区域的等离子密度约为6.8×10¹⁷ m^-3。试验结果显示：采用E×B探针测量得到双核离子占总束流离子比为14.1%，根据COMSOL计算值得到的0.353 mA束流理论值与0.323 mA的束流实测值比对误差为9%，误差主要来自于仿真条件设置及试验测量。研究结果可为离子推力器工程化改进...     

间冷回热循环发动机电子样机设计

在追踪和分析国外间冷回热技术在航空发动机领域应用的基础上,根据国内研究现状,对间冷器和回热器进行了模拟实验研究。初步拟定了间冷回热发动机总体结构方案,并将此结构方案建立为电子样机。总结了间冷回热发动机中各部件、系统,以及特有的间冷器管路系统和回热器管路系统的布局规律。通过样机建模,初步掌握了间冷回热发动机总体结构方案设计特点,探索了各部件、系统的布局,为间冷回热发动机的进一步研究积累了经验。     

基于VALOR NPI的航空电子模块DFM分析实现

为有效解决设计缺陷造成的航空电子模块可制造性问题,结合航空电子模块产品特点和工艺技术水平,提出建设基于VALOR的航空电子模块可制造性设计自动化设计平台,实现DFM自动化分析与设计,阐述了DFM设计的必要性、技术原理和实现过程,提出了“三库”构建方法和基于物料清单的印制电路板数据分析方法,应用结果表明,提出的方法能够覆盖PCB可制造性问题,提高分析效率。     

日照边缘区域电离层对耀斑的响应特点研究

利用MSIS模型和背景太阳辐射谱模型,在一定大耀斑辐射谱假设的前提下,计算了耀斑期间日照边缘区域的电子产生率,分析了这一区域电离层电子密度的变化特点.结果表明,大耀斑期间在日照边缘区域,甚至大于太阳天顶角90°的区域都有明显的电子产生率的增加.从不同太阳天顶角处的电子产生率剖面的形态来看,随着天顶角的增加最大电离率减少,但高度增加.计算还显示了在太阳天顶角小于90°的区域内电子产生率的垂直分布有明显的双峰结构,这种结构对应着电离层的E区和F区,但在天顶角大于90°区域,F区的电子产生率要大得多.考虑到离子和电子的复合过程,这一区域的总电子含量的增加主要产生在高F区.