逾渗理论在先驱体浸渍裂解法制备CMC工艺中的应用

应用物理学的逾渗理论对PIP法制备Cf/SiC复合材料浸渍和裂解过程进行了模拟解释和分析，并在此基础上对工艺进行了优化，使Cf/SiC复合材料的密度由原来的1．75g/cm^3提高到2．03g/cm^3，强度由原来的300MPa提高到500MPa。     

先驱体法制备SiC陶瓷纤维过程中聚碳硅烷纤维的交联方式

先驱体交联处理是SiC陶瓷纤维制备过程中的主要步骤。为了更好地促进交联技术的发展，本文详细综述了先驱体法制备了SiC陶瓷纤维过程中聚碳硅烷纤维的交联方式，比较了各种交联方式的优缺点，指出了各种交联方式的适用范围，为交联方式的选择提供一些参考。     

先驱体转化制备SiC／Si3N4复相陶瓷异型件——成型工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷异型件的成型工艺，以及各成工艺参数对后续烧成，烧结工艺和制品性能的影响。     

先驱体转化法制备SiC/Si_3N_4复相陶瓷异型件──烧成工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备SiC／Si3N4复相陶瓷异型件的烧成工艺，以及升温制度等对制品质量的影响。     

聚碳硅烷纤维的不熔化处理研究(Ⅱ)─-放大工艺的研究

采用熔融纺丝法纺出连续PCS纤维束,研究了升温制度、纤维装填量以及过热现象等因素对PCS纤维不熔化结果的影响,探讨了不熔化工艺的优化。结果表明,低温段慢速升温,中温段延长保温时间,高温段进一步强化的升温制度是比较合理的。纤维装填质量及密度增大到一定程度后,会因散热不利而引起急剧高温,导致纤维的熔并。急剧放热引起纤维结构的变化较大,而且内部纤维与表层纤维的反应程度不同。     

低成本聚硅氧烷制备SiC_f／Si-O-C材料性能研究

以聚硅氧烷为先驱体,采用先驱体转化法制备SiCf/Si-O-C复合材料,同时测试所得复合材料的弯曲强度、韧性、剪切强度、密度、热膨胀系数、导热系数、耐烧蚀性能.结果表明,SiCf/Si-O-C复合材料具有良好的综合性能.对所得材料微观结构进行分析讨论,发现界面结构与致密度是SiCf/Si-O-C复合材料具有高性能的主要原因.     

碳纤维编织物中真空浸渍引入SiC微粉的工艺研究

采用真空浸渍法在碳纤维编织物中预先引入SiC微粉,以缩短先驱体浸渍裂解制备碳纤维三维编织物(3D BCf)增强SiC陶瓷基复合材料的制备周期,考察了微粉粒度、浆料SiC/无水乙醇(EtOH)质量比等参数对引入SiC微粉体积分数的影响。结果表明,当SiC微粉粒度为 0. 4μm,浆料SiC/EtOH质量比为 1∶1和 1∶2时真空浸渍效果较佳,在碳纤维编织物中引入SiC微粉的体积分数可达 10%左右,缩短了先驱体浸渍裂解制备Cf/SiC复合材料的致密化周期,在相同浸渍裂解周期下,可提高材料的力学性能。     

空心石英纤维增强氮化物基低介电复合材料的制备及其性能

以环硼氮烷和全氢聚硅氮烷组成的混杂先驱体为原料,采用先驱体浸渍-裂解工艺制备了空心石英纤维增强氮化硼-氮化硅混杂基体的复合材料,研究了裂解温度对复合材料的致密化、力学性能、介电性能和断口显微形貌的影响。结果表明,当裂解温度从300℃提高到500℃时,复合材料的密度逐渐增大,材料的弹性模量随之提高,而其弯曲强度先增后减。当裂解温度为400℃时,复合材料表现出最高抗弯强度(132.4MPa),这源于较小的纤维损伤以及基体和纤维之间良好的界面结合状态。随着裂解温度的提高,复合材料的介电常数也逐渐增大,但三种温度下制备的复合材料均具有较低的介电常数(2.60～3.01)和较低的损耗角正切值(小于5×10-3),材料良好的介电性能源于介电性能优异的高纯度空心石英纤维增强相和较低密度的无碳氮化物基体。     

硅氧氮陶瓷先驱体的合成及表征

以MeViSiCl2、MeHSiCl2和MeSiCl3为原料,采用先部分水解再氨解的方法制备了硅氧氮陶瓷先驱体.利用FT-IR、1H-NMR、29Si-NMR、GPC以及TGA对聚合物先驱体的结构和热性能进行了表征.结果表明:合成的硅氧氮烷在DCP固化2 h后具有77.7%的陶瓷产率.     

CMC在航天领域的应用

论述了陶瓷基复合材料在航天领域的研究与应用,主要从陶瓷基复合材料的优势特点、制备方法、国内外研究进展以及CMC在航天型号产品上应用需要突破的难点和技术关键等五个方面进行了详细论述和介绍,提出了发展趋势和研究方向.